1、Super Thin Film Ltd. 由在太阳能、材料科学及应用科学领域有着多年经验的台湾和大陆地区的研究 人员和技术人员组成，目前，该公司持有 Asia Solar Technology Limited 公司 100%的股权。项目建设规模和规划方案建设规模和规划方案 建设规模和规划方案项目拟占地 400 亩，拟建 4 个厂房，每个厂房的占地面积为 200M160M，每个 厂房可同时放置 3-4 条设备线，项目建设分三期进行：第一期（2008年-2009年） ：拟新建1个厂房，实现年产9-12条设备线；第二期（2009年-2010年） ：拟新建2个厂房，实现年产24-36条设备线；第三期（
2、2010年-2011年） ：拟新建1个厂房，实现年产36-48条设备线。行业概况化石燃料（例如：煤、原油及天然气）所产生的能源，正面临多项挑战，包括价格 不断攀升及对使用化石燃料发电的环保问题（包括导致全球暖化及气候变化的风险）日 益严重。有关资料显示，煤炭还可以使用24年，石油还可以使用35年，铀238还可以使 用43年。故此，基于上述因素及该等能源面对的其它挑战，可再生能源，例如太阳能、 生质能、地热、水力及风力发电，均冒起成为具潜力的替代能源。故此，面对全球气温持续上升引致的全球暖化问题，环保的关键之一是全球性减少 使用化石燃料作为发电的主要能源。太阳能相较生质能、地热、水力、核能及风力
3、发电 等其它能源而言，属最普及的可再生能源之一，作为全球普及的替代能源，其地位预料 将越来越重要。于二零零五年，京都议定书生效，签署国须推广发展及使用可再生能源，并敦促减 少二氧化碳排放量至议定书所载各签署国的目标水平。于二零零二年八月二十六日，世 界持续发展高峰会于南非约翰内斯堡举行，参与政府均承诺致力推动绿色能源。光伏技术光伏技术发电既不会排放任何污染物及温室气体，亦无需使用有限的化石燃料资 源。光伏技术借着太阳能电池接触光能，便可把光能直接转化为电力。以下为以光伏技 术为基础之太阳能发电技术的原理图，其中剖示出所涉及的主要发电过程 光伏技术是一种将光能转化为电力的技术： 上图剖示基本光伏
4、或太阳能电池的运作。通过半导体薄片产生正负极两面 的电场，即p型硅及n型硅。 每当光能照射电池，半导体物料内的电子束解游动。倘若电导体附于正负 极两面，电子可转化为电力。 随后，所产生的电力可为照明灯或工具等负载提供能源。光伏系统适用于联网市场以及无法实质与一般电力传送网络连接或与电网连接在 经济上并不可行的离网工业及住宅市场。太阳能光伏技术的类别全球光伏电池生产技术大致上可分为若干不同类别，即单晶硅、多晶硅及薄膜。使 用类似电池、面板及数组之结构之基本光伏技术类别之概要列示如下根据Solarbuzz LLC（一家独立国际太阳能顾问公司）的资料，于二零零七年，全 球光伏电池制造产能约92%属晶
5、体系统。而薄膜最为一种替代技术，将成为太阳能产业 的发展趋势，终将替代传统的晶体太阳能电池，并最终取代燃煤发电，成为全世界普及 的新能源。全球太阳能光伏产业尽管太阳能光伏技术已采用了数十年，但太阳能光伏巿 场仅于过去数年大幅增长。 根据Solarbuzz的资料，按全年太阳能光伏装置产能计算，全球太阳能光伏巿 场规模由 二零零五年的1,460百万瓦至二零零六年的1,744百万瓦至二零零七年的2826MW。太阳能光伏产业的前景将持续乐观，并在未来20年将呈现爆发式增长。2007年中国的发电装机容量为100万MW，并按每年12%的速度增长。胡 锦涛主席于2006年APEC会议上已明确指出，在10年内
6、（即2016年之前） 可再生能源在能源消耗总量的比例将占20%。据此，至2016年，仅中国运 用可再生能源的发电装机容量约为55万MW，即550GW。如80%使用太阳 能电池，其装机容量约为44万MW，即440GW。2007年欧洲的发电装机容量约为500万MW， 美国约为300万MW， 按年5% 的增速计算，至2016年，欧盟和美国的发电装机容量约为1300万MW，如 果20%用太阳能发电替代，约为260万MW（2600GW）。以上测算还不包括其他太阳能应用产品 （如BIPV等） 对太阳能电池的需求。据Sharp总裁预测（权威人士），薄膜太阳能电池作为一种替代技术，2012年以薄膜 为基础之太
7、阳能产品的市场占有率将达50%，市场前景乐观。太阳能光伏产业的市场组合载列如下：2007 年按地区划分之光伏市场Solarbuzz根据所采纳的预测方案，于二零一一年，德国将占全球市场需求的28% 至30%，日本占9%至11%，欧洲其它国家占23%至24%，美国占16%至23%，而世界 其它国家则占16%至20%。二零零七年，约80%太阳能光伏装置位于德国、日本及美国，当地政府一直积极以 有利法规及财政支持，推广使用包括太阳能在内之可再生能源。于二零零七年，德国为 太阳能装置产能增长最迅速的国家，其装置产能（968百万瓦）超越全球第二大太阳能 装置产能国日本（300百万瓦）逾两倍。根据Solar
8、buzz的预测，于二零零八年至二零一 一年，美国、欧洲其它国家及世界其它国家将成为增长最迅速之国家或地区，而德国及 日本则预料以少于10%之年复合增长率稳定增长。11德国及日本为推行全国性长期鼓励资助政策的先锋， 藉以将太阳能引入主流能源之 列。西班牙、法国、希腊、意大利及葡萄牙等其它欧洲市场亦设有不同的支持计划，如 减税及回馈规定。美国亦一直与多个国家合作投资太阳能发展，推行太阳能回扣计划， 美国国土资源部已特批2.5亿英亩的土地用于发展太阳能，原军火商洛克希德马丁业已 转行于太阳能行业，并已开始在25个州悄悄进行。其它若干国家正引入有利太阳能产业的法律，配合产业预期的强劲显着的增长。中 国
9、为全球最大能源消耗国之一，其太阳能产业发展亦开始萌芽，目前中国已批准两家太 阳能发电站的上网电价为4元人民币/度。光伏价值链传统的晶体太阳能产品传统的光伏价值链指净化及晶化硅材、将晶硅（或硅锭）切割成硅片、将硅片加工 成为电池、装嵌电池成为模块、为制造厂提供经常性能源。目前，市面出售的太阳能电 池及模块大多数为单晶硅或多晶硅的结晶硅。下图列示制造以结晶硅为基础的太阳能产品之价值链。 ?12可以看出，传统的光伏价值产业链是原料导向和依赖型的，其未来的发展取决于原 料价值的持续降低和原料供给量的持续增长，而这些也将成为制约其发展的瓶颈。根据 独立研究所水清木华研究中心发出的报告，太阳能多晶硅于过往
10、年度一直出现供应短 缺，导致供不应求的情况，此情况 仍会持续，并日益严峻，其原因在于投资多晶硅原料 厂门槛高，耗资大，2万吨产量需投资20亿美元，且建厂周期为3年。故于二零零四年， 太阳能多晶硅（适用于制造太阳能硅锭及硅片）的现价低于40美元公斤，而于二零零 八年，所增加的太阳能多晶硅供应的现价约为500美元公斤。以薄膜为基础的太阳能产品以薄膜为基础的太阳能产品之价值链则相对简单， 其核心是设备， 属于设备导向型。设备 太阳能薄膜 电池生产线TCO 玻璃在平板玻璃 表面通过镀 膜的方法均 匀的镀上一 层透明的导 电氧化物薄 膜。电池模组 反应气体在 一定的保护 气氛下反应 生成硅原子 沉积在加
11、热 的衬底上， 并 一次成形多 个电池发电机组 建成太阳 能发电机 组13太阳能产业之主要增长动力太阳能发电是近年增长最快之可再生能源发电来源之一，下列因素已经并将会继续 推动全球太阳能产业之增长全球关注暖化及环境问题，同时电力需求持续增长；政府推出有利太阳能产业之优惠措施以及颁布可再生能源法；客户及最终用家转而采用太阳能作为主要可再生能源；及光伏模块之成本随科技进展而下降及其生产规模扩充所带来之规模经济效益， 均令采用太阳能之费用更为相宜。14核心竞争力本项目的核心竞争力如下： 世界领先的产能：逐年大增， 世界领先的产能：逐年大增，保持大幅领先 每条线产能从每条线50MW （2009） 到1
12、00MW （2010） 200MW 至， （2011） ， 400MW（2013）领先对手，为世界第一。世界领先的转换效率：（在专用设备商中） 世界领先的转换效率：（在专用设备商中） ：（在专用设备商中 从2009年起主力机种线，9转换效率，至2010年主力机种线11，2011 年主力线为12，2012年主力线为13，2013年主力线为15%。低成本优势 每瓦的设备购置成本仅为1.2美元， 远低于其他设备竞争厂家 （美国Applied Materials为USD3/W，欧洲Orlekon为USD3.30/W）。极具竞争力的交货周期 交货周期不高于9-12个月，而其他设备竞争厂家的交货周期一般为
13、一年半 至两年。管理团队经验丰富，熟悉太阳能产业， 管理团队经验丰富，熟悉太阳能产业，具备扎实往绩记录 CEO张一熙先生在硅与III-V化合物及薄膜成长微观结构与光电特性的关 联有独到的技术和逾25年的经验。15 COO 万资仁先生有优秀的技术管理能力与经验， 曾成功担任十数亿美元的 大陆上市公司的营运长； 担任过台湾资本额 6 亿美元的千人大公司营运长。成本竞争分析（核心竞争力经济效益） 成本竞争分析（核心竞争力经济效益）每瓦购置设备成本，本公司为USD1.2/W，远低于其它设备竞争厂家：美国 Applied Materials 欧洲 Orlekon 日本 ULVACUSD3.00/W US
14、D3.30/W USD2.00/W转换效率竞争分析（核心竞争力技术效益） 转换效率竞争分析（核心竞争力技术效益）本公司从以高过对手2-3%、世界领先转换率9%开始，且自2010年至2013年，逐步 提高至15%以上，在卖专用设备商领域中，为世界第一遥遥领先。2009 年交货之薄膜设备保证效率在 6% 保证效率在 7% 保证效率在 7%光电组件与工艺先进性我们的光电组件与工艺先进性具有下列特性：以微晶层为主、奈米硅-锗晶层为辅的双层架构（Tandem），可达成11%长 期使用的转换效能，并逐步升级至15%的效能（11-13%, 12-14%, 13-15%）使用同步热处理及高频等离子电浆，促使微
15、晶层得沉积速度增加3-5倍完善微晶层结晶组成，使晶体缺陷成为现有微晶层的千分之一至十万分之一落实硬设备的开发，使工艺技术与硬设备合而为一，一步到位，产生最佳的量 产绩效开发两段式脉冲式快速退火设备，可为将来升级转换效率的设备手段与技术核心竞争力增大微晶粒、降低缺陷在2011年后将推出化合物半导体光电膜与微晶硅在玻璃上的新型复合膜的超 高转换效率结构的生产线。光电组件先进性说明至2007年，薄膜太阳电池的转换效能大多是6上下，其原因在于无晶层在工艺完 成后，虽可表现在89左右，但是经数个月在太阳光照射下即产生衰变。经由无晶层 孔洞的产生不同种氢键与悬挂键的聚合，使得电阻增值大，电子通过不易外，逐
16、步造成 大量连续的复合中心 （recombination center） 出现， 使得光电子、 电洞的生命期 （life time）缩短，因此能通过无晶层的电流下降，转换效能只有原始的百分之70甚至更低。 这种由太阳照射所产生的光衰现象，在高效能的要求下，虽说可以加入微晶层的考虑使 之略增高，但是毕竟在工艺的制作上，无晶层在先而微晶层在后的方式，无法对微晶做 有效的退火， 也就无法更有效的使用微晶层的物理光电效应。 因此到目前为止成就不大。本公司的技术理论即在于解决这种架构（Tandem）的不良性，而提出次序上的安排 与辅助式的双重快速退火，达到无晶层与微晶层对绿光与红橘光吸收的极大性。工艺先
17、进性说明首先，用PECVD磊上微晶薄膜，在工艺的过程中加装基板加热装置，使原子的排 列较近晶体式的排列，同时膜的沈积效率亦是一般的35倍，再由下一道工序流程中的 工艺制作腔内，再做一次快速退火，使得微晶在巨观下有某些已是多晶的型态，这一层 微晶应该使晶体缺陷较目前市面所提供的微晶层的千分之一至十万分之一。 因此微晶 层9-10的转换效能在六个月的太阳光照射后亦有8.1-9%。完成微晶层之后，再进入无核心竞争力晶层的沈积，由一般的6%的转换效能来看，再经过数个月阳光照射后，实际转换效能 将衰减至原有的百分之70，亦即4.2%。但在本公司的独有的制程工艺理论下，我们应 得到1214%左右。 也就是
18、说， 一般的供货商所提供的是以无晶层为主的双层 （Tandem） 结构，可能不具长程的要求与竞争力，本公司所主张的是以微晶层为主的双层架构。在本公司拥有光电子组件与材料的双项优势之下，我们以长效使用1113%的转换 效能，为开始进入市场地设备先进标准，往后逐年增进至15%效能，同时，我们亦将研 发其它多层薄膜技术，向高于18%为目标迈进，坚持我们技术之先进性。设备先进性采用同时制造20片等离子电浆镀膜的大批量设备，可为同业产能的四八倍以 上采用基板加热镀膜同步退火，快速退火设备，微晶成长速度是同业的五倍设备数量低于2套25MW之非晶薄膜设备较同瓦数之非晶薄膜设备，节省清洗机、传送设备车匣传送设
19、备成熟稳定较同瓦数之非晶薄膜设备，节省厂房面积4成较同瓦数之非晶薄膜设备，节省TCO玻璃、EVA胶膜及框架 4成以上核心竞争力设备价格较同业低3成以上50MW单线USD60M，批量优惠可致USD45MUptime 可达9成以上。 连续车体多腔镀膜设备较同业设备稳定运作、 维修简单 快速退火设备降低薄膜电池的缺陷，增加转换效率开发两段式退火设备， 可为将来升级转换效率的设备手段与技术， 增大微晶粒、 降低缺陷。五年内快速提高每线产能8倍，从每条线50MW, 100MW, 200MW至400MW。设备的设计是基于工艺的流程要求与先进性； 设备是具体的来实现科学领域中的研 发成果，将之系统化用机械设
20、备的商业化手段，产生大量生产。本公司是由客制化服务开始，将客户的需求除了作短期的应用方案外，并架构长期 的规划，使得今日的设备仍能在下一波的竞争中，加装若干部件，仍充分发挥使用。除 了拥有多位设备硬件设计与制程应用的精英外， 更值得与业界竞争的是多位材料专精的 专家，他们不仅是提供工艺的先进性，更在设备开发的阶段积极的运用量测设施抓牢薄 膜的结晶结构的巨观变化与微观调整。因此，我们的设备较之一般设备供货商不同之处在于：与客户需求和市场要求作紧密结合。将组件工艺技术整合入硬设备之中。产品稳定度的先进性（使用后） 产品稳定度的先进性（使用后）光电流的稳定度在10%微晶结构为主的薄膜，经过退火处理，
21、缺陷减低；在使用时太阳长期照射，也 不易改变其膜层之原子堆栈结构，缺陷程度稳定，因而光电流转换效果稳定， 初始电流与长期使用电流差在10%以内。成品率可达90%以上 成品率可达90%以上 90%制造合格之成品率可达9成以上微晶结构为主，经制程退火处理的薄膜，均匀度高、缺陷少、光电转换效率稳 定，连续制程维持均一性高，所以成品率较非晶薄膜高组织结构组织机构顾问委员会生产工艺流程玻璃基板送入待料区后，由机械手臂抓送至清洗机，将包装、运送途中可能产生的 灰尘或污染清洗干净后，将已镀有 TCO 膜之玻璃基板送至红外线雷射割线机做出第一 次割线工艺，割线完成后将基板作二次清洗。将洗净之基板送入PECVD
22、镀膜机， 做连续多腔之镀膜使产生P型层/微晶层（1.5微米 2微米）/n型层/反射层/P型层/ia-si层/n型层等工艺步骤后，经由绿光雷射割线机后，各 电池的接触点已打开，再経 由金属模溅镀机后，以具有传导之效应，再由绿光雷射割线 机将不必要的金属剥除， 太阳能电池工艺制作完成， 可由IV测试机完成基本数据之量测。玻璃基板清洗机雷射割线机 红外线雷射PECVD 镀膜IV 测试机绿光雷射 切割机金属膜溅镀雷射割线机 绿光雷射厂房选址制造工厂目前拟定在北京市平谷区马坊工业区，平谷区位于北京东北部，距离北京 首都机场仅35公里，15分钟的车程，全程高速，交通极为便利，为北京东北部海、陆、 空、铁多
23、式联运的最佳结合点。平谷距天津港仅135公里，区内设保税物流区，进出口 方便并可享受保税等优惠政策。23制造工厂拟位 于北京平谷区 马坊工业区。北京市和平谷区政府对于双方的合作表示高度重视，并多次召开协调会议，确保在 政策上给予公司最大的扶持。 目前公司已与马坊工业区管委会签订了战略合作框架协议 （详见附件） ，明确了双方的合作框架、原则和一些基本条款：地方政府按照1:1的比例进行配套资金投入；协助落实国家装备资金的支持；协调落实银行的信贷支持（授信规模不低于注册资本的2倍）。优惠地价不高于15万/亩（市场价为40万/亩）；地价和税收返还；第一个厂房由政府代建（建设成本约1000万美元），交由
24、公司免费使用两年后生产由公司以成本价购回；进口设备免交关税和增值税；所得税享受两免三减半的优惠等。厂房及生产设施规划 厂房及生产设施规划 及生产设施制造工厂主要从事薄膜太阳能电池生产线的组装、调试和试运行，将占地400亩， 项目拟建4个厂房，每个厂房的占地面积约为200M160M，每个厂房可放置3-4条设备 线。公司会视乎市场需求而在第五年之后再添置厂房，进一步提升年产能。厂房和薄膜太阳能电池生产线的设计适合每天不停运作，以应付生产需求。为免任 何突发性设备故障引致本公司薄膜太阳能电池设备生产停顿，有关设备作定期维修养 护，并可独立运作。薄膜太阳能电池生产线厂房的规划配置如下：2526上述厂房
25、于投产后将全面运作，并全面使用所有指定产能。自第五年开始，可实现 年产32条400MW的薄膜太阳能电池生产线的产量。设备方案产品种类玻璃清洗机 PECVD 镀膜机 快速退火机 AZO 膜雷射划线机 雷射划线机 机械手臂 AI,ZnO 镀膜机 焊线机 承压固化机 太阳光仿真器 有轨车 背板供应机 工厂自动化 传输设备产品型号AS GC I AS PECVD II AS RA I AS IR I AS GL II AS RBT I AS PVD I AS WD I AS LM I AS SSL I AS TC I AS BB I AS SW I AS TRT I尺寸（M）8 * 2.3 * 2 2
26、0 * 2.3 * 3 2.4 * 1.6 5.4 * 1.8 * 1.8 5.4 * 1.8 * 1.8 H-Reach 2.1 28 * 2.3 * 3 3*2 14 * 3.6 2.1 * 2.1 * 5 2*2 1.6 * 1.2 TBD 170 * 2功率 KVA62 300 60 18 18 35 320 12 50 2.5 15 2 TBD 30产品价格 USD165K 10,500K 500K 647K 647K 130K 3,237K 216K 230K 183K 108K 140K 2,158K 324K数量 50MW3X 2X 1X 2X 3X 12X 1X 2X 7X
27、2X 10X 2X 1X 2X小计 MUSD0.5 21 0.5 1.3 2 1.5 3.2 0.4 1.6 0.4 1 0.3 2.1 0.627扩充计划公司未来生产设施及产能的扩充计划如下：于二零零九年 十二月三十一 日 生产线 5OMW 100MW 200MW 400MW 总产能 40OMW 8条 -于二零一零年 十二月三十一 日于二零一一年 十二月三十一 日于二零一二年 十二月三十一 日于二零一三 年十二月三十 一日24条 4条 8条 16条 28条 32条 1.6GW 4GW 5.6GW 12.8GW28采购及存货控制采购公司制造之薄膜太阳能电池生产线之零配件、元器件以及原材料的采购
28、、前期组装 等工作均委托台湾上市公司东捷科技股份有限公司进行，公司然后从东捷科技处采购， 运至大陆的工厂进行调配、测试、试运行和后期完善。东捷科技股份有限公司（ 原名东捷半导体科 技股份有限公司）主要 从事薄膜晶体管液晶显示 器（ TFT-LCD）等相关机械设备之制造及销售业 务。东捷科技目前已经成为台湾一个专业TFT LCD光电设备之领导制造厂商，汇集百余名数年 机台设计之研究开发人员，聚焦于机构设计、电 气设计、视觉系统、人机接口软件、系统自动化控制等高阶技术开发及整合。东捷科技 技术实力雄厚，生产和代工经验丰富，生产能力充足，足以保证公司的需求，即使公司 需求实现爆破式增长，其供给能力仍绰绰有余。目前公司已经与东捷科技股份有限公司确立了战略合作关系， 东捷科技已经向公司 签发了同意支援书（见附件）。公司一般以美元向供货商付款。结账的方法包括电汇及信用证。付款条件为签约后 支付30%的定金，在交付设备（即设备运到公司指定地
