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    T1题库.docx

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    T1题库.docx

    1、T1题库第一章 半导体器件自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ) 解:(1) (2) (3) (4) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. (3)稳

    2、压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 解:(1)A (2)C (3)C (4)B 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD0.7V。图T1.3解:UO11.3V,UO20,UO31.3V,UO42V,UO51.3V,UO62V。四、已知稳压管的稳压值UZ6V,稳定电流的最小值IZmin5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。图T1.4 解:UO16V,UO25V。五、某晶体管的输出

    3、特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM200mW,试画出它的过损耗区。 图T1.5 解图T1.5 解:根据PCM200mW可得:UCE40V时IC5mA,UCE30V时IC6.67mA,UCE20V时IC10mA,UCE10V时IC20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。 六、电路如图T1.6所示,VCC15V,100,UBE0.7V。试问: (1)Rb50k时,uO? (2)若T临界饱和,则Rb? 解:(1)Rb50k时,基极电流、集电极电流和管压降分别为 A 所以输出电压UOUCE2V。 图T1.6(2)设临界饱和时UC

    4、ESUBE0.7V,所以 习 题 1.1 选择合适答案填入空内。 (1)在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12A增大到22A时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 解:(1)A ,C (2)A (3)C (4)A 1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么? 解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V时,管

    5、子会因电流过大而烧坏。 1.3 电路如图P1.3所示,已知ui10sint(v),试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图P1.3 解图P1.3 解:ui和uo的波形如解图P1.3所示。 1.4 电路如图P1.4所示,已知ui5sint (V),二极管导通电压UD0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。 图P1.4 解图P1.4 解:波形如解图P1.4所示。 1.5 电路如图P1.5(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD0.7V。试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。图P1.5解:uO的波形如解图P1.5所示。解图P1.5 1.6

    6、 现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.7 已知稳压管的稳定电压UZ6V,稳定电流的最小值IZmin5mA,最大功耗PZM150mW。试求图P1.7所示电路中电阻R的取值范围。 解:稳压管的最大稳定电流 IZMPZM/UZ25mA电阻R的电流为IZMIZmin,所以其取值范围为 图P1.7 1.8 已

    7、知图P1.8所示电路中稳压管的稳定电压UZ6V,最小稳定电流IZmin5mA,最大稳定电流IZmax25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值; (2)若UI35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?解:(1)当UI10V时,若UOUZ6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 当UI15V时,稳压管中的电流大于最 图P1.8小稳定电流IZmin,所以 UOUZ6V 同理,当UI35V时,UOUZ6V。 (2)29mAIZM25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.9 在图P1.9所示电路中,发光二极管导通电压UD1.5V,正

    8、向电流在515mA时才能正常工作。试问: (1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光? (2)R的取值范围是多少? 解:(1)S闭合。(2)R的范围为 图P1.91.10 电路如图P1.10(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。图P1.10解:波形如解图P1.10所示解图P1.10 1.11测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.11所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。图P1.11 解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.15所示。解表P1.15管号T1T2T3T4T5T6上ec

    9、ebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 1.12 电路如图P1.12所示,晶体管导通时UBE0.7V,=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解:(1)当VBB0时,T截止,uO12V。 (2)当VBB1V时,因为 A 所以T处于放大状态。 (3)当VBB3V时,因为 A 图P1.12 所以T处于饱和状态。 1.13 电路如图P1.17所示,试问大于多少时晶体管饱和? 解:取UCESUBE,若管子饱和,则 所以,时,管子饱和。 图P1.131.14 分别判断图P1.14所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。图P1.14解:(a)可能 (b)可能 (c)不能 (d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。 (e)可能


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