1、数字逻辑之疑点解释MOS电路MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET)制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。 MOS集成电路又分为PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(Complement Metal Oxide Sem
2、iconductor，复合互补金属氧化物半导体)等类型。 MOS电路中应用最广泛的为CMOS电路，CMOS数字电路中，应用最广泛的为4000、4500系列，它不但适用于通用逻辑电路的设计，而且综合性能也很好，它与TTL电路一起成为数字集成电路中两大主流产品。CMOS数字集成电路电路主要分为4000（4500系列）系列、54HC/74HC系列、54HCT/74HCT系列等，实际上这三大系列之间的引脚功能、排列顺序是相同的，只是某些参数不同而已。例如，74HC4017与CD4017为功能相同、引脚排列相同的电路，前者的工作速度高，工作电源电压低。4000系列中目前最常用的是B系列，它采用了硅栅工艺
3、和双缓冲输出结构。 Bi-CMOS是双极型CMOS（Bipolar-CMOS）电路的简称，这种门电路的特点是逻辑部分采用CMOS结构，输出级采用双极型三极管，因此兼有CMOS电路的低功耗和双极型电路输出阻抗低的优点。TTL电路编辑本段TTL电路介绍TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度和品种多等特点。 从六十年代开发 成功第一代产品以来现有以下几代产品。第一代TTL包括SN54/74系列，（其中54系列工作温度为-55+125，74系列工作温度为0+75) ，低功耗系列
4、简称lttl，高速系列简称HTTL。 第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL)和低功耗肖特基系列（LSTTL）。 第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。 各类TTL门电路的基本性能： 编辑本段TTL电路分类电路类型TTL数字集成电路约有400多个品种，大致可以分为以下几类： 门电路 译码器/驱动器 触发器 计数器 移位寄存器 单稳、双稳电路和多谐振荡器 加法器、乘法器 奇偶校验器码制转换器 线驱动器/线接收器 多路开关 存储器 编辑本
5、段特性曲线电压传输特性TTL与非门电压传输特性 LSTTL与非门电压传输特性瞬态特性 由于寄生电容和晶体管载流子的存储效应的存在，输入和输出波形如 右。存在四个时间常数td,tf,ts和tr。延迟时间td 下降时间tf 存储时间ts 上升时间tr 基本单元“与非门”常用电路形式 四管单元 五管单元 六管单元 主要封装形式 双列直插扁平封装 TTL反相器工作原理，请参照数字电子技术基础第四版 高等教育出版社，清华大学电子教研室 阎石主编的P53页电路图1、当Vi=Ve1=0.2v 时T1导通，这时Vb1被钳制到0.2+0.7=0.9v，由于T1导通，故Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于Vb20
6、.7v，所以T2导通，侧Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb40.7v,所以T4导通，由于T2的导通导致T3的基极Vb3被钳制到0V，所以T3截止；所以Vo输出为低电平。另外由于T4的导通，并且发射极接地，反过来有影响到T4的基极被钳制到Vb4=0v+0.7v=0.7v,同样T2导通所以T2的基极Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同样T1导通Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。集成电路科技名词定义中文名称：集成电路英文名称：integrated circuit 定义：将一个电路的大量元器件集合于一个单晶片上所制成的器件。 应用学科：材料科学技术（一级
7、学科）；半导体材料（二级学科）；总论（二级学科） 以上内容由全国科学技术名词审定委员会审定公布求助编辑百科名片 AMD推土机FX系列处理器中的集成电路集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特诺伊思（基于
8、锗的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。目录定义 特点 分类 简史 检测常识 型号命名 封装 制造 发展趋势 其他信息展开定义 特点 分类 简史 检测常识 型号命名 封装 制造 发展趋势 其他信息展开编辑本段定义集成电路（Integrated Circuit,简称IC）是20世纪60年代初期发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯
9、片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。编辑本段特点集成电路或称微电路（microcircuit）、 微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。本文是关于单片（monolithic）集成电
10、路，即薄膜集成电路。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。编辑本段分类按功能结构分类集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大 集成电路类。 模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放
11、机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）。按制作工艺分类集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。 膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。按集成度高低分类集成电路按集成度高低的不同可分为：SSI 小规模集成电路(Small Scale Integrated circuits)MSI 中规模集成电路(Medium Scale Integrated circuits)LSI 大规模集成电路(Large Scal
12、e Integrated circuits)VLSI 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits)ULSI 特大规模集成电路(Ultra Large Scale Integrated circuits) GSI 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路(Giga Scale Integration)。按导电类型不同分类集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简
13、单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。按用途分类集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电 集成电路路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。 1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。 2.音响用集成电路包括AM
14、/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路，电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。 3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。 4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。按应用领域分集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。按外形分集成电路按外形可分为圆
15、形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。编辑本段简史世界集成电路发展历史1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； 集成电路1950年：结型晶体管诞生1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺1951年：场效应晶体管发明1956年：C S Fuller发明了扩散工艺1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； 1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管196
16、3年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺
17、，这是一个里程碑式的发明1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器18021976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM1985年：80386微处理器问世，20MHz1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有35
18、00万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段1989年：1Mb DRAM进入市场1989年：486微处理器推出，25MHz，1m工艺，后来50MHz芯片采用 0.8m工艺1992年：64M位随机存储器问世1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6m工艺1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35m工艺； 集成电路1997年：300MHz奔腾问世，采用0.25m工艺1999年：奔腾问世，450MHz，采用0.25m工艺，后采用0.18m工艺2000年：1Gb RAM投放市场2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18m工艺2001年：Inte
19、l宣布2001年下半年采用0.13m工艺。2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。我国集成电路发展历史我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善
20、集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。编辑本段检测常识1、检测前要了解集成电路及其相关电路的工作原理检查和修理集成电路前首先要熟悉所用集成电路的功能、内部电路、主要电气参数、各引脚的作用以及引脚的正常电压、波形与外围元件组成电路的工作原理。如果具备以上条件，那么分析和检查会容易许多。2、测试不要造成引脚间短路电压测量或用示波器探头测试波形时，表笔或探头不要由于滑动而造成集成电路引脚
21、间短路，最好在与引脚直接连通的外围印刷电路上进行测量。任何瞬间的短路都容易损坏集成电路，在测试扁平型封装的CMOS集成电路时更要加倍小心。3、严禁在无隔离变压器的情况下，用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备严禁用外壳已接地的仪器设备直接测试无电源隔离变压器的电视、音响、录像等设备。虽然一般的收录机都具有电源变压器，当接触到较特殊的尤其是输出功率较大或对采用的电源性质不太了解的电视或音响设备时，首先要弄清该机底盘是否带电，否则极易与底板带电的电视、音响等设备造成电源短路，波及集成电路，造成故障的进一步扩大。4、要注意电烙铁的绝缘性能不允许带电使用烙铁焊接，要确认烙铁不带电，最
22、好把烙铁的外壳接地，对MOS电路更应小心，能采用68V的低压电烙铁就更安全。5、要保证焊接质量焊接时确实焊牢，焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。焊接时间一般不超过3秒钟，烙铁的功率应用内热式25W左右。已焊接好的集成电路要仔细查看，最好用欧姆表测量各引脚间有否短路，确认无焊锡粘连现象再接通电源。6、不要轻易断定集成电路的损坏不要轻易地判断集成电路已损坏。因为集成电路绝大多数为直接耦合，一旦某一电路不正常，可能会导致多处电压变化，而这些变化不一定是集成电路损坏引起的，另外在有些情况下测得各引脚电压与正常值相符或接近时，也不一定都能说明集成电路就是好的。因为有些软故障不会引起直流电压的变化。7、测试仪
23、表内阻要大测量集成电路引脚直流电压时，应选用表头内阻大于20K/V的万用表，否则对某些引脚电压会有较大的测量误差。8、要注意功率集成电路的散热功率集成电路应散热良好，不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。9、引线要合理如需要加接外围元件代替集成电路内部已损坏部分，应选用小型元器件，且接线要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要处理好音频功放集成电路和前置放大电路之间的接地端。1编辑本段型号命名我国集成电路的型号 根据国际，我国集成电路的命名由五部分组成。第0部分 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分各部分的含义如下第0部分：用字母表示符合国家标准，C表示中国国际产品。第一部分：用字母表示
24、器件类型。第二部分：用数字表示器件的系列代号。第三部分：用字母表示器件的工作温度。第四部分：用字母表示器件的封装。国标GB/T34301989半导体集成电路命名方法规定集成电路型号各部分的符合及意义如表所以。集成电路型号各部分的意义第0部分第一部分第二部分第三部分第四部分符号意义符合意义意义符号意义符合意义CC表示中国制造TTTL电路用数字表示器件的系列代号C070F多层陶瓷扁平HHTL电路G2570B塑料扁平EECL电路L2485H黑瓷扁平CCMOS电路E4085D多层陶瓷双列直插M存储器R5585J黑瓷双列直插µ微型机电路M55125P塑料双列直插F线性放大器S塑料单列直插W稳
25、定器K金属菱形B非线性电路T金属圆形J接口电路C陶瓷芯片载体ADA/D转换器E塑料芯片载体DAD/A转换器G网络针栅陈列D音响、电视电路SC通信专用电路SS敏感电路SW钟表电路例如： 肖特基4输入与非门 CT54S20MDC符合国家标准TTTL电路54S20肖特基双4输入与非门M55125D多层陶瓷双列直插封装编辑本段封装1、BGA(ball grid array)球形触点阵列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按阵列方式制作出球形凸点用 以代替引 集成电路脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点阵列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI
26、用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360引脚BGA仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通
27、过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。2、BQFP(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。3、C(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。4、Cerdip用玻璃密封的陶
28、瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIPG(G即玻璃密封的意思)。5、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的 集成电路Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.52W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高35 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm
29、 等多种规格。引脚数从32 到368。 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJG(见QFJ)。6、COB(chip on board) 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。7、DFP(dual flat package) 双侧引脚扁平
30、封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。8、DIC(dual in-line ceramic package) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).9、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIP(dual in-line package) 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的
