刘克哲物理学课后习题

1、物理学第三版刘克哲第二章解析及答案教学文稿物理学第三版刘克哲第二章解析及答案第二章 机械能守恒定律21 功和功率一功定义:力对质点所做的功为力在质点位移方向的分量与位移大小的乘积.1恒力的功恒力:力的大小和方向均不变.如图21,功为 即 说。

2、半导体物理学刘恩科第七版课后习题解第四章习题及答案精第四章习题及答案1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2 V.S和1900cm2 V.S. 试求Ge 的载流子浓度. 解:在本征情况下,npni。

3、半导体物理学刘恩科第七版前五章课后习题解答1精半导体物理学刘恩科第七版前五章课后习题解答第一章习题1设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Eck和价带极大值附近能量EVk分别为:h2k2h2kk12h2k213h2k2Ec,EVk3m。

4、半导体物理学刘恩科第七版课后习题解第三章习题和答案第三章习题和答案1. 计算能量在EEc到之间单位体积中的量子态数.解:2. 试证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为式36.3. 当EEF为1.5k0T,4k0T, 10k0T时,分别用费米。

5、为变力，在第个位移元中，看作恒力，对物体做功为质点从过程中，对质点做的功为功的精确数值为即：讨论：恒力功直线运动设，如图3-10，质点在中，功为合力功设质点受个力，合力功为二、功率。

6、132. 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/（ V.S）和500cm2/（ V.S）。
当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。
比本征Si的电导率增大了多少倍？解：3。

7、 （2） f的方向如何？解 立方体每个顶角上放一个电荷q，由于对称性，每个电荷的受力情况均相同。
对于任一顶角上的电荷，例如b角上的qb，它所受到的力 、 和 大小也是相等的，即首先让我们来计算 。

8、5-2 一个圆盘绕通过其中心并与盘面相垂直的轴作定轴转动，当圆盘分别在恒定角速度和恒定角加速度两种情况下转动时， 圆盘边缘上的点是否都具有法向加速度和切向加速度？数值是恒定的还是变化的？解（1）当角速度 一定时，切向速度 也是一。

9、13at2=8.2710s1971.6第二章习题1.实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不。

10、2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。
3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。
费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1.。

11、13at2=8.2710s1971.6第二章习题1.实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不。