7.2.2可编程ROM.pptx
- 文档编号:1023231
- 上传时间:2022-10-15
- 格式:PPTX
- 页数:20
- 大小:1.08MB
7.2.2可编程ROM.pptx
《7.2.2可编程ROM.pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《7.2.2可编程ROM.pptx(20页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
7.2.2可编程ROM,总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同。
7.2.3可擦除的可编程ROM,由于存储单元采用不同的工艺,ROM的写入方式和擦除,数据的方式也不同。
分为EPROM、E2PROM。
1、EPROMEPROM采用叠栅注入MOS管(SIMOS管)构成存储单元。
SIMOS管有两层相重叠栅极,上层是控制栅、下层是浮置栅。
在EPROM出厂时,片内所有存储单元的浮置栅均无电荷。
用SIMOS管构成的存储单元:
注意:
EPROM的擦写都必须是在专用的擦写器中完成。
2.E2PROM,7.2.4利用ROM实现组合逻辑函数,原理:
由于地址译码器是一个与阵列,它的输出包含了输入地址变量的全部最小项,每一条字线对应一个最小项;存储矩阵是一个或阵列,每一位输出数据都是将地址译码器输出的一些最小项相加。
所以任何形式的组合逻辑函数都能用ROM来实现。
结论:
用具有n位输入地址和m位数据输出的ROM可以获得一组(最多m个)任何形式的n变量组合逻辑函数。
例7.5.1用ROM产生组合逻辑函数:
Y1=ABC+ABCY2=ABCD+BCD+ABCDY3=ABCD+ABCDY4=ABCD+ABCD,解:
将原函数化成最小项之和形式:
Y1=m2+m3+m6+m7Y2=m6+m7+m10+m14Y3=m4+m14Y4=m2+m15列出数据表:
实现图:
例7.5.2用ROM设计八段字符译码器,以输入地址A3A2A1A0为DCBA,以输出数据D0D1D7作为a,b,g,h,7.3随机存取存储器(RAM),也称随机读/写存储器根据工作原理的不同,分为:
静态随机存储器(staticRAM,SRAM)存储单元是以双稳态锁存器或触发器为基础构成的,在电源不变时信息不会丢失。
特点:
不需刷新,但集成度较低动态随机存储器(dynamicRAM,DRAM)存储原理以MOS管栅极电容为基础,所以电路简单,集成度高。
但因为电容中电荷由于漏电会逐渐丢失,所以DRAM需定时刷新。
7.3.1静态随机存储器RAM,电路结构,地址译码器:
行地址译码选出一行,列地址译码选出一列(或几列)片选输入端:
当CS0时RAM为正常工作状态;当CS=1时所有的I/O端都为高阻态,不能对RAM进行读/写操作。
读写操作信号:
R/w1执行读操作、R/w0执行写操作。
(双译码编址存储器),7.3.2存储单元,6只N沟道增强型MOS管组成的静态存储单元,集成芯片:
2114RAM(10244位),7-4,存储器容量的扩展,7-4-1位扩展方式位扩展是指存储器字数不变,只增加存储器的位数。
用8片10241位的RAM,构成10248位的RAM,在扩展时应将各片存储器的地址线、片选信号线和读/写信号线对应地并接在一起,而各片的数据线作为扩展后每个字的各位数据线。
7.4.2字扩展方式,1024x8RAM,字扩展是指扩展成的存储器字数增加而数据位数不变。
例:
用4片256x8位RAM1024x8位存储器,在扩展中芯片原有的地址线用于控制对各片RAM中的字进行访问,扩展的地址线经译码后控制各片RAM的片选信号。
A9A8,00,Y0=0,A7A6A5A4A3A2A1A000000000011111111,CS=0字线,0(),01,1,Y=0,000000000,11111111,256(),10,2,Y=0,000000000,11111111,512(),11,Y3=0,000000000,11111111,768(),课堂练习:
1、若存储器的容量为256k8位,则需要多少条地址线,多少条数据线?
2、若用1k4的RAM组成4k8的存储器,需要几片?
如何实现?
小结,在只读存储器(ROM)中,介绍了掩膜ROM、PROM、EPROM和FlashROM等不同类型ROM的工作原理和特点。
在随机存储器(RAM)中,介绍了静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)的工作原理和特点。
本章的重点和难点:
存储器扩展存储容量的方法、用存储器设计组合逻辑电路的概念。
作业:
题7.1
(2)、题7.7,
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 7.2 可编程 ROM