电工学电子技术课后答案第六版秦曾煌Word格式文档下载.docx
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此时,=,与成线性正比关系,对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压,或者反偏压,集电结反偏压,晶体管处于截止工作状态,对应输出特性曲线的截止区。
此时,=0,=。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置,即很小时,晶体管工作在饱和区。
此时,虽然很大,但。
即晶体管处于失控状态,集电极电流不受输入基极电流的控制。
14.3典型例题
例14.1二极管电路如例14.1图所示,试判断二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压值。
设二极管导通电压=0.7V。
256
例14.1图
解:
图(a)电路中的二极管所加正偏压为2V,大于=0.7V,二极管处于导通状态,则输出电压=—=2V—0.7V=1.3V。
图(b)电路中的二极管所加反偏压为-5V,小于,二极管处于截止状态,电路中电流为零,电阻R上的压降为零,则输出电压=-5V。
图(c)电路中的二极管所加反偏压为(-3V),二极管截止。
二极管所加正偏压为9V,大于,二极管处于导通状态。
二极管接在B点和“地”之间,则导通后将B点电位箝位在(-0.7V),则==-0.7V。
如果分别断开图(d)电路中的二极管和,处于正偏压为15V,处于正偏压为25V,都大于。
但是,二极管所加正偏压远大于所加正偏压,优先导通并将A点电位箝位在=-10V+0.7V=-9.3V,实际上,二极管处于反偏压,处于截止状态。
则输出电压==-9.3V。
例14.2电路如例14.2图所示,已知=(V),二极管导通电压=0.7V,试画出与的波形,并标出幅值。
在正半周,当大于3.7V时,二极管处于正偏压而导通,输出电压箝位在=3.7V,此时的二极管D2截止。
当小于3.7V时,二极管和均处于反偏压而截止,输出电压=。
在的负半周,当小于(-3.7V),二极管处于正偏压而导通,输出电压=-3.7V,二极管截止。
257
当大于(-3.7V)时,二极管和均处于反偏压而截止,输出电压=。
例14.2图
例14.3电路如例14.3(a)图所示,设稳压管的稳定电压=10V,试画出
0V30V范围内的传输特性曲线=f()。
当<
10V时,反向截止,所以=-;
当10V时,反向击穿,所以=—10—10=—20V。
所以传输特性曲线=f()如图(b)所示。
例14.3
例14.4晶体管工作在放大区时,要求发射结上加正向电压,集电结上加反向电压。
试就NPN型和PNP型两种情况计论。
和的电位哪个高?
是正还是负?
先就NPN管来分析。
>
为正。
,为正。
258
PNP管的各项结论同NPN管的各项结论相反。
例14.5用直流电压表测量某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别如例
14.5图所示。
试指出每只晶体管的C、B、E极。
例14.5图
管:
为C级,为B极,为E极。
为B极,为E极,为C极。
为E极,为B极,为C极。
例14.6在例14.6图中,晶体管、、的三个电极上的电流分别为:
例14.6图
=0.01mA=2mA=—2.01mA
=2mA=—0.02mA=—1.98mA
=—3mA=3.03mA=—0.03mA
试指出每只晶体管的B、C、E极。
为B级,为C极,为E极。
为C极,为E极,为B极。
14.4练习与思考
练习与思考14.1.1电子导电和空穴导电有什么区别,空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的?
259
答:
电子导电是指在外电场的作用下,自由电子定向运动形成的电子电流。
空穴导电是指在外电场作用下,被原子核束缚的价电子递补空穴形成空穴电流。
由此可见,空穴电流不是自由电子递补空穴所形成的。
练习与思考14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?
为什么杂质半导体中少数载流的子的浓度比本征载流子的浓度小?
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由本征激发产生的。
本征激发产生电子空穴对,其中有一种载流子和多数载流子相同,归于多数载流子,所以少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小。
练习与思考14.1.3N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体的空穴多于自由电子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?
整个晶体呈电中性不带电,所以不能说N型半导体带负电和P型半导体带正电。
练习与思考14.3.1二极管的伏安特性曲线上有一个死区电压。
什么是死区电压?
硅管和锗管的死区电压典型值约为多少?
当二极管正向偏压很小时,正向电流几乎为零,当正向偏压超过一定数值后,电流随电压增长很快。
这个一定数值的正向电压称为死区电压。
硅管死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1V。
练习与思考14.3.2为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关,而当环境温度升高时,又明显增大?
当二极管加反向电压时,通过PN结的只有少数载流子的漂移运动所形成的漂移电流。
在常温下,由于少数载流子数目极少,在不太大的反向电压下已全部通过PN结,因而,即使反向电压再升高,反向饱和电流仍保持很小的数值不变。
当环境温度升高时,少数载流子迅速增多,电流也明显增大。
练习与思考14.3.3用万用表测量二极管的正向电阻时,用R*100挡测出的电阻值小,而用R*1挡测出的大,这是为什么?
万用表测电阻是通过测量电阻中的电流而获得其电阻值。
指针式万用表测电阻,指针偏转角度越大,读出电阻值越小。
在使用R*100挡时,万用表内阻小,加到二极管两端的正偏压大,流过二极管的正向电流大,指针向右偏转角度大,测得的电阻小。
在使用R*1挡时,万用表内阻大,加到二极管两端的正向偏压小,流过二极管的正向电流小,指针向右偏转角度小,测得的电阻大。
练习与思考14.3.4怎样用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏?
将万用表旋到电阻挡,表笔接在二极管两端,以阻值较小的一次测量为
260
准,黑表笔所接的为正极,红表笔接的一端为负极。
当正接时电阻较小,反接时电阻很大表明二极管是好的。
练习与思考14.3.5把一个1.5V的干电池直接接到(正向接法)二极管的两端,会不会发生什么问题?
产生大的电流,烧坏电源。
练习与思考14.3.6在某电路中,要求通过二极管的正向平均电流为80mA,加在上面的最高反向电压为110V,试从附录C中选用一合适的二极管。
选择2CZ52D
练习与思考14.4.1为什么稳压二极管的动态电阻愈小,则稳压愈好?
动态电阻是指稳压二极管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值,动态电阻越小,反向击穿特性曲线越陡,稳压效果越好。
练习与思考14.4.2利用稳压二极管或者普通的二极管的正向压降,是否也可以稳压?
也具有一定的稳压作用,硅管两端保持0.6~0.8V,锗管两端保持0.2~0.3V,其实际意义不大。
练习与思考14.5.1晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用,为什么?
晶体管结构主要特点是:
E区的掺杂浓度高,B区的掺杂浓度低且薄,C区结面积较大,因此E极和C极不可调换使用。
练习与思考14.5.2晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时,其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大?
不一样大,在饱和区,的变化对影响较小,两者不成正比,放大区的放大系数不适用于饱和区。
练习与思考14.5.3晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件各为什么?
外部条件:
晶体管的偏置电压必须满足发射结正向偏置,集电结反向偏置。
内部条件:
发射区掺杂浓度高,基区很薄且掺杂浓度低,集电结面积大,且集电压掺杂浓度低。
练习与思考14.5.4为什么晶体管基区掺杂浓度小且做得很薄?
只有这样才可以大大减少电子与基区空穴复合的机会,使绝大部分自由电子都能扩散到集电结边缘,形成集电极电流=,使晶体管成为电流控制器件。
261
练习与思考14.5.5将一PNP型晶体管接成共发射极电路,要使它具有电流放大作用,和的正、负极应如何连接,为什么?
画出电路图。
电路如图所示,这样连接才能保持发射结正向偏置,集电结么向偏置,三极管具有电流放大作用。
练习与思考14.5.5图
练习与思考14.5.6有两个晶体管,一个管子=50,=0.5;
另一个管子=150,=2的晶体管由于比较大,受温度影响大,影响静态工作点的稳定性。
练习与思考14.5.7使用晶体管时,只要1)集电极电流超过值;
2)耗损功率值;
3)集一射极电压超过值,晶体管就必然损坏。
上述几种说法是否都是对的?
1)会损坏;
2)会损坏;
3)会损坏,以上几种说法都正确。
练习与思考14.5.8在附录C中查出晶体管3DG100B的直流参数和极限参数。
直流参数:
=0.1,=0.1,=0.1,=1.1V,=30
极限参数:
=40V,=30V,=4V,=20mA,=100mV,=150
练习与思考14.5.9测得某一晶体管的=10,=1mA,能否确定它的电流放大系数?
什么情况下可以,什么情况下不可以?
=,,两者的含义是不同的,但在输出特性曲线近于平行等距,并且较小的情况下,两者数值较为接近,在这种情况下,可以利用和的值确定,否则不行。
练习与思考14.5.10晶体管在工作时,基极引线万一断开,为什么有时会导致管子损坏?
当基极断开,加在C极,E极之间的电压>
时,管子会被损坏。
14.5习题讲解
习题14.3.1题14.3.1图是二极管组成的电路和输入电压的波形,试画出
262
输出电压和电阻R上电压的波形。
二极管的正向压降可忽略不计。
分析:
在二极管正向压降可忽略不计的条件下,5V时,二极管导通,=5V+。
5V时,二极管截止,=5V。
与波形如下图所示:
习题14.3.2在题14.3.2图所示的各电路中,E=5V,=(v),二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压的波形。
263
习题14.3.2图
图(a)和图(c)电路中,二极管接在输出回路中,当二极管导通时,=E;
当二极管截止时,=。
图(b)和图(d)电路中,二极管串接在输入回路中,二极管截止时,=E;
二极管导通时,=E+=。
(a):
为正半周时,当>
E,D导通,当<
E,D截止。
负半周时,D截止。
两种情况的等效电路如下图(e)、(f)所示,由图可见,D导通时,=E;
D截止时,=。
(b):
E,D截止,<
E,D导通;
为负半周时,<
E,D导通。
两种情况的等效电路如下图(g)、(h)所示,由图可见,D导通时,=,D截止时,=E。
(c):
图(c)与图(a)电路比较,二极
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- 电工学 电子技术 课后 答案 第六 版秦曾煌