518系列ICT培训教材简体Word格式文档下载.docx
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Open/Short,R,L,C及PN结(含二极管,三极管,Zener,IC)
3.ICT与电表有何差异?
ICT可对旁路组件进行隔离(Guarding),而电表不可以。
所以电表测不到,ICT可能
测得到。
R//(R1+R2),则电表测不出R,只测出R(R1+R2)/(R+R1+R2),ICT却可测出R。
3
4.ICT与ATE有何差异?
ICT只做静态测试,而ATE可做动态测试。
即ICT对被测机板不通电(不加Vcc/GND),
而ATE则通电。
板上有一颗反向器要测,则ATE可测其反向特性,而ICT不能测。
ICT量测原理
奥姆定律:
R=V/I
请各位仔细透彻的理解奥姆定律,即:
R既可认为是电阻,也可认为是其它阻抗,如:
Zc容抗、Zl感抗。
而V有交流、直流之分。
I也一样,有交流、直流之分。
这样才可以在学习ICT测试原理时,把握其主脉,因为奥姆定律贯穿其始终,可称得上万能定律!
1.量测R:
单个R(mode0,1):
利用Vx=IsRx(奥姆定律),则Rx=Vx/Is.信号源Is取恒流
+
Vx=?
-
(0.1uA—5mA),量回Vx即可算出Rx值.
Is
Rx
信号源Is与Rx关系表
Rx(标准值)
Is(常电流源)Is/10(
低档电流源)
0<
Rx<
300Ω
5mA
0.5mA
300≤Rx<
3KΩ
50uA
3KΩ≤Rx<
30KΩ
5uA
30KΩ≤Rx<
300KΩ
0.5uA
300KΩ≤Rx<
3MΩ
0.1uA
Rx≥3MΩ
注:
系统测量电压Vx=IsRx=0.15V---1.5V
4
大电流应用:
R//C时,为测R,可以适当修改其Std_V(标准值),以便获得系统
提供更大测试电流,条件是R接近上表的下限值,如330Ω//100uF,则改Std_V为
299Ω,可提供5mA大电流,从而使测试更准确。
小电流应用:
R//D时,为测R,可以将Mode0改为Mode1,从而电流小一档,R
两端压降小于D导通电压,使测试更准确。
)
R//C(mode2):
信号源Vs取恒压(0.2V)、量回Ix,则
Vs=0.2V
Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix算出Rx值.
Ix
C
信号源取恒压0.2V,是因为:
1电压越小,则电容充电到饱和的时间就
越短,电容充电饱和后,其相当于开路,测Rx就会准确。
2ICT量测放大器侦测电压线性区间为
0.15V—1.5V,不宜取低于此范围的电
压。
R//L(mode3,4,5):
信号源取交流电压源Vs,籍相位法辅助.
Vs
|Y’|Cosθ=YRx=1/Rx,并Y’=I’x/Vs
L
故:
Rx=1/|Y’|Cosθ
根据Zl=2лfL,若R=20Zl,则R无法测试
2.量测C/L:
5
单个C/L(Mode0,1,2,3):
信号源取恒定交流压源Vs
Cx
Lx
Vs/Ix=Zc=1/2лfCx,求得:
Cx=Ix/2лfVs
Vs/Ix=Zl=2лfLx,求得:
Lx=Vs/2лfIx
电容:
范围
信号源
说明
1pF~2.99pF
2:
100K-AC
AC100KHz
3:
1M-AC
AC1MHz
3pF~2.99nF
0:
1K-AC
AC1KHz
1:
10K-AC
AC10KHz
5:
1K-相位
AC1KHz相位分离量测
6:
10K-相位
AC10KHz相位分离量
测,用以测量与电感并
联的电容
7:
100K-相AC100KHz相位分离量
位
测
3nF
~0:
299.99nF
AC10KHz相位分离量测
100K-相
AC100KHz相位分离量
9:
100-AC
AC100Hz
300nF
2.999
F
6
3F~29.99
4:
C-DC
固定电流源量测
30
F~4:
149.99
8:
C-DC(10mA)
150F~40mF
电感:
1
H~79.99H2:
80
H~799.99
H
AC10KHz相位分离量
100K-相位
800H~7.99mH
8mH~79.99mH
7
80mH
799.99mH
AC10KHz相位分离量测
800mH~7.99H
AC1Khz
AC1KHz相位分离量测
AC10KHz相位分离量
8H~60.0H
测试C或L时,取信号频率(f)的原则:
因为,Zc=1/2лfC,在实际测试时,我们希望Zc最好是在一定范围内,太大或太小,测试精度都会降低。
我们假设Zc=常数,则得到:
fC=常数,也即:
f∝1/C,可见f与C互为反比,这样我们得到一个重要的结论:
大电容以低频、小电容以高频进行测试,效果最好。
同理,我们也可推出:
f∝1/L,f与L互为反比。
C//R或L//R:
籍相位法辅助
R
|Y’|Sinθ=|Ycx|,即ωCx’Sinθ=ωCx
8
LxIx
求得:
Cx=Cx’Sinθ(Cx’=Ix’/2лfVs)
|Y’|Sinθ=|Ycx|,即Sinθ/ωCx’=1/ωCx求得:
Lx=Lx’/Sinθ(Lx’=Vs/2лfIx’)
3.量测PN结:
(D、Q、IC)
信号源0-10V/3mAor25mA可程序电压源,量PN结导通电压
4.量测Open/Short:
即以阻抗判定:
先对待测板上所有Pin点进行学习,R<
25Ω即归为ShortGroup,然后Test时进行比较,R<
5Ω判定为Short,R>
55Ω判为Open.
5.Guarding(隔离)的实现:
+Vx-
IsAIxRxBVb
Va
I1
R1
CVc
WhenVc=Va
ICT
7I1=(Va-Vc)/R1=0
3
U?
6
2
4
当Rx有旁路(R1)时,Ix=Is-I1≠Is,
Vx/Is≠Rx
此时取A点电位Va,送至C点,令Vc=Va,
则:
I1=(Va-Vc)/R1=0,Is=Ix
从而:
Vx/Is=Rx
9
程序的编写
1、在T[测试]下,设定P“测试参数”
测试参数
电路板名称:
DEBUGBOX
测试数据文件名称:
DEBUGBOX.DAT
治具上第一支测试针号码:
治具上最后一支测试针号码:
64
测试顺序:
开路/短路/零件测试
每几次测试即自动储存数据:
50
开路/短路不良时中断测试:
不要
开路/零件不良时重测次数:
双色打印机的厂牌:
VFI
VFI打印机是接到PC的:
COM1
测试不良时自动或手动打印:
手动打印
测试不良时最多打印行数:
10
开/短路不良测试点位置打
不良零件位置图的横行数:
不良零件位置图的纵列数:
删略的针:
2、在E[编辑]下,编写程序:
步骤零件名称实际值
位置
高点
低点隔点1
5
删略
量测值
标准值上限%下限%延迟信号
类别重测中停补偿值偏差%。
R3
47K
A1
21
101
D
C22
100n
D2
7
52
L1
22u
B2
87
10
D5
0.7V
C1
16
19
20
00
5Q1CE1.8VA211754200000
0.2V20-104Q0000
.
3、进入L[学习],做ShortGroup学习.若有IC,还需做ICClampingDiode学习。
4、在主画面在下测试,检验程序及开始Debug。
程序的Debug
编写好的程序在实测时,因测试信号的选择,或被测组件线路影响,有些Step会Fail(即量测值超出±
%限),必须经过Debug。
R:
在E[编辑]下,ALT-X查串联组件,ALT-P查并联组件。
据此选好“信号”(Mode)和串联最少组件的Hi-P/Lo-P,并ALT-F7选择GuardingPin。
R//C:
Mode2及Dly加大(参考:
T=5RC)
R//D(orIC、Q):
Mode1
R//R:
Std-V取并联阻值
R//L:
Mode3、4、5;
根据Zl=2πfL,故L一定时,若f越高,则Zl越大,则对
R影响越小
11
C:
在[编缉]下一般根据电容值大小,选择相应的Mode。
如小电容(pF级),可选高频信号(Mode2、3),大电容(nF级)可选低频信号(Mode0、1),然后ALT-F7选择隔离。
3uF以上大电容,可以Mode4、8直流测试。
C//C:
Std-V取并联容值
C//R:
Mode5、6、7,由Zc=1/2лfC,故C一定时,f越高,Zc越小,则R的影响越
小。
C//L:
Mode5、6、7,并且f越高效果越好。
L:
F8测试,选择Mode0、1、2中测试值最接近Std-V,然后Offset修正至准确。
L//R:
Mode5、6、7。
PN结:
F7自动调整,一般PN正向0.7V(Si),反向(2V以上)
D//C:
Mode1及加Delay。
D//D(正向):
除正向导通测试,还须测反向截止(2V以上)以免D反插时误判。
Zener:
Nat-V选不低于Zener崩溃电压,若仍无法测出崩溃电压,可选Mode1(30mA),
另外10-48Vzener管,可以HV模式测试。
Q:
be、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型(PNPorNPN),Hi-P一样(NPN),Lo-P一样(PNP),并可Debugce饱和电压(0.2V以下),注意Nat-V为be偏置
电压,越大Q越易进入饱和,但须做ce反向判断(须为截止0.2V以上),否则应调小Nat-V。
12
不良报表的阅读
不良零件位置图:
A
B
E
R3H1
D5L2
L1VH
C22H2
以H0代有上限值(标准值,
L0代表下限值:
L1表示:
量测值介于L0与L0-(H0-L0)10%之间
L2表示:
量测值介于L1与L0-(H0-L0)20%之间
VL表示:
量测值低于L2
H1表示:
量测值介于H0与H0+(H0-L0)10%之间
H2表示:
量测值介于H1与H0+(H0-L0)20%之间
VH表示:
量测值高于H2
不良记录:
******OpenFail******
(48)(4548)表示48点与短路组(4548)断开,可能是探针未接触到PCB焊盘,
或板上有断路。
******ShortFail******
(20)(23)表示20点与23点短路(R<
5Ω),可能是板上有锡渣造成Short,装错零件
造成Short,零件脚过长造成Short等。
13
******ComponentFail******
1R3M-V:
52.06K,Dev:
+10.7%Act-V=47KStd-V=47KLoc:
Hi-P=21L0-P=101+LM:
+10%-LM:
-10%
表示:
R3偏差+10.7%,可能为零件变值,或接触不良。
若偏差+999.9%或很大,可能
为缺件、错件超出标准值所在量程上限,(如47K在30K—300K量程内);
若偏差0.00%
或很小,可能为短路,错件超出其标准值所在量程下限。
ICT误判分析
1.ICT无法测试部分:
⑴.内存IC(EPROM、SRAM、DRAM,)
⑵.并联大10倍以上大电容的小电容
⑶.并联小20倍以上小电阻的大电阻
⑷.单端点之线路断线
⑸.D//L,D无法量测
⑹.IC之功能测试
2.PCB之测点或过孔绿油未打开,或PCB吃锡不好
3.压床压入量不足。
探针压入量应以1/2-2/3为佳
4.经过免洗制程的PCB板上松香致探针接触不良
5.PCB板定位柱松动,造成探针触位偏离焊盘
14
6.治具探针不良损坏
7.零件厂牌变化(可放宽+-%,IC可重新Learning)
8.治具未Debug好(再进行Debug)
9.ICT本身故障
硬件检测
1、开关板:
诊断(D)----切换电路板(B)----系统自我诊断(S)----切换电路板诊
断(S)
若有B*C*表示SWB有Fail,请记录并通知TRI。
C*有可能为治具针点有Short
造成。
进入切换电路板诊断功能时,屏幕上显示如下的画面:
切换电路板自我检测
(治具上不要放置组装电路板,维修盒不要接到待测的切换电路板
第几片插
11
9
8
槽
测试点数
128
测试结果
N/A
OK
22
18
17
15
14
13
12
DC
AC
OT7
15
2、系统自我检测:
诊断
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