第一季度光电子领域新授权发明专利精选文档格式.docx
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=CN200510126238.X
=闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法
=C30B25/00(2006.01)I
=C30B25/00(2006.01)I;
C30B29/16(2006.01)I
=中国科学院半导体研究所
=赵有文;
董志远;
段满龙;
魏学成
=2009.01.14
=CN100451180
=中科专利商标代理有限责任公司
=段成云
=2005.11.30
=100083北京市海淀区清华东路甲35号
=本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领
域,特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。
在封闭的石英
管内,一端放置高纯ZnO粉作为源,另一端放置籽晶,通过控制源区与
生长区的温度分布实现气相传输,生长ZnO体单晶,在生长过程中放入
少量的高纯碳。
选用一端为平面封口的圆形石英管作外管,再选用一根
外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管,用来顶住籽晶片,使其固定
在石英管的平面端,ZnO粉放置在内管的另一端,同时放入少量的高纯
碳粉,然后外管接真空系统,抽真空后用石英封泡封闭,将封好口的石
英管放入水平加热炉内升温加热,控制温度分布进行ZnO单晶生长。
=北京;
11
=CN200610019601.2
=和共面波导集成的侧面进光的10Gb/sAPD管芯及其制作工艺
=H01L31/107(2006.01)I
=H01L31/107(2006.01)I;
H01L31/18(2006.01)I
=武汉电信器件有限公司
=丁国庆
=CN100452445
=武汉宇晨专利事务所
=黄瑞棠
=2006.07.11
=430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
=本发明公开了一种和共面波导集成的侧面进光的10Gb/sAPD管芯及其制作
工艺,涉及一种和共面波导集成的侧面进光的10Gb/sAPD,尤其涉及一种二台
阶连体式管芯的结构及其制作工艺。
本管芯整体结构为一种和共面波导集成的、
二台阶连体式管芯,从下到上,InP掺铁的半绝缘衬底、下台阶和上台阶依次连
接;
本管芯制作工艺包括MOCVD外延,PECVD,光刻与化学腐蚀,化学清洗,扩
散,反应离子刻蚀,电子束蒸发,金属剥离,钝化处理,管芯分离;
制作工艺最
重要的是化学腐蚀和管芯分离。
本管芯是高速率、长距离光通信系统的关键光电
子器件;
管芯和共面波导一体化设计与制作,不仅简化了工艺,降低了成本,而
且减少了传输损耗,容易阻抗匹配;
本发明解决了侧面进光面的平整性问题。
=湖北;
42
=CN200510116481.3
=辐射芯片
=H01L33/00(2006.01)I
=奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
=J·
保尔;
D·
埃泽尔特;
M·
费雷尔;
B·
哈恩;
V·
海勒;
U·
雅各布;
R·
奥伯施米德;
W·
普拉斯;
施特劳斯;
J·
维克尔;
策恩德
=CN100452453
=中国专利代理(香港)有限公司
=胡强
=2001.11.06
=德国雷根斯堡
=本发明提供一种用于光电子学的芯片,尤其是发光二极管芯片,
它具有一个发出光子的有源区(8)和一个具有至少一个耦合输出面(7,
15,17)的耦合输出窗(4),其特征在于,该有源区(8)与该芯片
的一个主辐射方向(18)有关地设置在该耦合输出窗(4)的后面,在
该耦合输出窗(4)的与该有源区(8)对置的侧面(5)上形成一个镜
面(6),该耦合输出面(7,15,17)从侧面超出该有源区(8)的侧
面,该耦合输出面具有弯曲的表面,对沿该耦合输出面的该有源区(8)
的最大一半尺寸R<
sub>
1<
/sub>
来说,适用以下条件,即R<
<R<
2<
n<
A<
/n<
i<
,其中R<
是该
耦合输出面(7)的曲率半径,n<
是环境的折射率,n<
是该耦合输出窗
的材料的折射率。
=德国;
DE
=CN200580016795.4
=光电子半导体部件和用于这种部件的壳基体
=卡尔海因茨·
阿恩特
=CN100452457
=北京集佳知识产权代理有限公司
=杨生平;
杨红梅
=2005.05.12
=本发明涉及一种光电子半导体部件,其具有至少一个发出辐射(11)
的半导体芯片
(1),所述半导体芯片设置在壳基体(3)的凹口
(2)中,
其中所述凹口
(2)侧面地由环绕所述半导体芯片
(1)的壁(31)的内侧
(32)形成边界并且至少部分用包封物质(4)来填充,所述包封物质遮盖
所述半导体芯片
(1)并且对由所述半导体芯片
(1)所发射的电磁辐射是
良好地可透射的。
这样地构造所述壁(31)的形成凹口
(2)的边界的内侧
(32),使得在所述半导体部件的正面的俯视图中,构造了内侧(32)的完
全环状地围绕半导体芯片
(1)的部分面(33),从发出辐射的半导体芯片
(1)来看,所述部分面处于阴影中,并且所述部分面完全环绕着半导体芯
片地至少部分被包封物质(4)所覆盖。
此外还说明了用于这种半导体部件
的壳基体。
=CN200710086671.4
=一种液体导引泵浦光束的装置
=H01S3/00(2006.01)I
=H01S3/00(2006.01)I;
H01S3/02(2006.01)I;
H01S3/04(2006.01)I;
H01S3/042(2006.01)I
=清华大学
=巩马理;
黄磊;
黄云火;
柳强;
闫平;
李晨
=CN100452570
=
=2007.03.30
=100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室
=一种液体导引泵浦光束的方法及装置,属于光学与激光光电子技术领域。
它含有泵浦
光源、光学耦合装置、液体导引装置和光纤。
其中:
光学耦合装置接受泵浦光源发出的泵
浦光;
液体喷嘴,经过光学耦合装置耦合的泵浦光束被耦合到液体喷嘴喷出的液柱中;
冷
却液收集器的中心线对准液体喷嘴的中心线;
回液管,进液端与冷却液收集器连通;
散热
器和循环泵,相互串联,该散热器的进液口与回液管的出液口相连,而循环泵的输出端与
液体喷嘴下端连通;
液体喷嘴、冷却液收集器、回液管、散热器和循环泵串接形成了一个
液体导引装置。
本发明解决了固体激光器和光纤激光器中的高功率泵浦问题,可以使激光
器的输出平均功率得到提高,确保激光器系统工作的稳定性和可靠性。
=CN200710055785.2
=半导体激光线阵及迭阵的微通道热沉化学清洗装置
=H01S5/024(2006.01)I
=H01S5/024(2006.01)I;
H01L21/00(2006.01)I;
B08B3/04(2006.01)I;
B08B3/08(2006.01)I
=中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
=刘云;
王立军;
李再金;
姚迪
=CN100452578
=长春菁华专利商标代理事务所
=赵炳仁
=2007.06.20
=130031吉林省长春市东南湖大路16号
=本发明属于半导体光电子学技术领域,涉及一种半导体激光线阵及迭阵的微
通道热沉化学清洗装置,包括底座,支架,滑块,升降调节杆,微调旋钮,第一
橡胶板,第二橡胶板,第三橡胶板,鱼夹;
通过调节微调旋钮可以使滑块相对于
升降调节杆上下滑动,带动第三橡胶板上以相同高度水平排列安装的鱼夹上下移
动,从而使夹紧在鱼夹上的微通道热沉浸入腐蚀液适当深度,提高了微通道热沉
的腐蚀质量和成品率;
并且在相同的时间内可以一次性完成多个微通道热沉的清
洗,提高了多个微通道热沉腐蚀效果的一致性和清洗效率。
本发明结构简单、制
作成本低,适用于高功率半导体激光线阵、迭阵微通道热沉及其他热沉的化学清
洗。
=吉林;
22
=CN200410027960.3
=柔光发光二极管红绿灯
=G08G1/095(2006.01)I
=杨忠义
=2009.01.28
=CN100456336
=2004.07.08
=518067广东省深圳市蛇口花果路62号6栋401号
=一种发明柔光发光二极管红绿灯装置,基本结构是由塑料光纤导光板1、发光二
极管2(在导光板周边发光面顺着导光板表面)、焊接发光二极管2与电阻串并联的软
体印刷电路板3、导光板表面中心部份发光面垂直于导光板表面的发光二极管4、绝缘
密封条5、导光板背面印刷一层采光材料层6等组成的红绿灯。
示意图中没画出采光
料层6。
由于采用发光二极管分组串联加限流电阻再多组并联,提高发光二极管使用
寿命并不必严格挑选发光二极管起亮电压的一致性。
同样达到所需的高亮度及充分发
挥发光二极管本身的长寿命。
灯具顶面如铺设太阳能电池,解决了断电时红绿灯照常
工作。
本发明属光电子学及照明技术领域。
=广东;
44
=CN200610085237.X
=纳米二氧化钛/二氧化硒复合物及其制备方法
=B01J21/06(2006.01)I
=B01J21/06(2006.01)I;
B01J27/057(2006.01)I
=安徽大学
=张胜义;
陈小景;
田玉鹏;
郜洪文;
金葆康;
杨家祥;
吴杰颖
=2009.01.21
=CN100453165
=安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
=吴启运
=2006.06.02
=230039安徽省合肥市肥西路3号
=一种纳米二氧化钛/二氧化硒复合物,首先由前驱体钛酸酯或四氯化钛或硫酸钛或硫酸
氧钛与SeO<
或亚硒酸通过均相反应生成无定形复合物,再通过水浴陈化法或水热合成法或
高温灼烧法得到晶相复合物。
该复合物用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射
仪、高分辨透射电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线能量色散分析仪、X射线光电子能谱仪、
红外光谱仪、紫外光谱仪等测定,结果表明,复合物为球形粒子,粒径10-30纳米,晶型
结构为锐钛矿相,复合物中硒与钛元素均以正四价形式存在,SeO<
的存在使TiO<
的紫外光谱
吸收边发生蓝移,反应产物单质硒在可见光区有吸收。
SeO<
可以提高纳米TiO<
对太阳光光能
利用率,从而提高纳米TiO<
光催化分解能力及纳米TiO<
太阳能电池性能。
=安徽;
34
=CN200380108858.X
=微型机械或微型光电子器件及生产该器件的载体
=B81B7/00(2006.01)I
=工程吸气公司
=马柯·
阿米欧迪
=CN100453442
=中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
=李玲
=2003.12.24
=意大利米兰
=本发明披露了一种微型机械器件(10;
20)或微型光电子器件
(30),包括吸气材料的沉积物(17;
25;
35),用于吸收对于所述
器件的操作是有害的气体,以及集成系统(18,18’19,19’),用于在器
件的寿命期间在需要时从外部加热吸气材料。
还披露了用于制造这些
器件的载体的不同的实施例。
=意大利;
IT
=CN200580021400.X
=用于电气和光学互连的设备
=G02B6/43(2006.01)I
=G02B6/43(2006.01)I;
H05K1/00(2006.01)I
=英特尔公司
波萨门捷
=CN100454064
=张亚宁;
梁永
=2005.06.24
=美国加利福尼亚州
=一种光学-电子接口(10),包括电路衬底、安装在衬底(18)上
的电气部件(16)、离开衬底安装的光学部件(14)和柔性互连(12),
柔性互连(12)具有电气连接到光学部件的第一端和电气连接到紧接
电气部件的第二端。
电气部件可包括电引线且电路衬底可包括连接到
这些电引线的导电迹线。
柔性互连的第二端可直接电气连接到电气部
件的电引线或直接电气连接到紧接电气部件的位置的导电迹线。
柔性
光电子互连可包括第一和第二介电层、具有设置在这些介电层之间的
信号迹线的信号层、在第一和第二介电层上的接地平面层和电气耦合
第一和第二接地层的多个通道。
=美国;
US
=CN200510090612.5
=防止不正确模块插入的光学笼系统
=G02B6/36(2006.01)I
=G02B6/36(2006.01)I;
G02B6/42(2006.01)I;
G02B6/26(2006.01)I
=JDS尤尼弗思公司
=詹瑞德·
丹尼尔·
玛拉格瑞诺·
Jr.;
迈克尔·
L.·
扎姆博瑞恩
=2009.02.04
=CN100458483
=广州华进联合专利商标代理有限公司
=郑小粤
=2005.08.17
=本发明涉及一种光电子系统,所述光电子系统包括光电子模块和笼组件,以将所述
光电子模块电气连接并固定到主计算机设备上。
在所述模块和笼组件上提供相应的机械
结构以防止模块被插入不兼容的笼组件中。
=CN200710064777.4
=一种在硅晶片上制备硅化镁薄膜的方法
=H01L21/20(2006.01)I
=中国科学院物理研究所
=杜小龙;
王喜娜;
王勇;
梅增霞;
张天冲;
薛其坤
=CN100459046
=北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
=尹振启
=2007.03.26
=100080北京市海淀区中关村南三街8号
=本发明公开了一种在硅晶片上制备Mg<
Si薄膜的方法,即分五步
依次在超高真空环境下热处理硅晶片获得清洁的硅表面、低温沉积金
属镁薄膜、低温氧化金属镁膜以获得MgO层、低温沉积氧化物覆盖层、
以及高温退火形成Mg<
Si薄膜层,从而制备出Mg<
Si薄膜,其优越的
结晶性表明该薄膜非常适合于高性能光电子器件以及热电器件的制
作。
Mg<
Si是一种窄禁带半导体,具有热电系数高、电阻率及热导率低
的特点,是优良的热电器件材料,同时它又是n型硅良好的欧姆接触
材料,在硅基集成电路、微电子/光电子器件中也有重要的应用前景。
=CN200510101679.4
=基于胺基染料/无机复合的非线性光学聚合物及制备方法
=C09B69/10(2006.01)I
=C09B69/10(2006.01)I;
G02B1/04(2006.01)I
=华南理工大学
=奚红霞;
李忠;
夏启斌;
梁兆熙
=2009.02.11
=CN100460471
=广州粤高专利代理有限公司
=何淑珍
=510640广东省广州市天河区五山路381号
=本发明公开了一种基于胺基染料/无机复合的非线性光学聚合物及制备方
法,将Sol-Gel法应用于非线性光学聚合物的制备,能在低于有机生色团的分
解温度下,将无机玻璃与有机生色团进行掺杂或键合制备有机/无机复合非线性
光学聚合物,通过无机玻璃的刚性无定型三维结构和优良的高温稳定性来抑制
有机非线性光学生色团的取向松弛,提高非线性光学聚合物的高温稳定性。
这
种方法制备的聚合物具有良好的高温稳定性、可突破溶解度对有机生色团在复
合材料中含量的限制、更易于成膜,有利于器件化。
本发明的含胺基染料/无机
复合非线性光学聚合物可应用于光通讯、光电子学和光信息处理等领域。
=CN200510009084.6
=用于光电子器件的含有导电聚合物的分散体和膜
=C08J5/18(2006.01)I
=C08J5/18(2006.01)I;
C08L81/00(2006.01)I;
H01L33/00(2006.01)I
=气体产品与化学公司
=江学忠;
巴斯蒂安
=2009.03.25
=CN100471899
=郭煜;
邹雪梅
=2005.01.12
=美国宾夕法尼亚州
=提供了一种分散体、一种由该分散体形成的膜和光电子器件。
分散体含有
导电聚合物,其含有粒度小于450mm的颗粒,其中导电聚合物包括取代或未
取代、不带电荷或带电荷的噻吩并[3,4-b]噻吩聚合单元,并且其中由分散体
滴液流延而成的膜的电导率为10<
sup>
-1<
/sup>
~10<
-6<
S/cm,其使用四点探针法测定。
=CN200610080318.0
=周缘曝光装置、涂敷显影装置及周缘曝光方法
=G03F7/20(2006.01)I
=G03F7/20(2006.01)I;
G03F7/30(2006.01)I
=东京毅力科创株式会社
=岩下泰治;
下村一郎
=2009.03.04
=CN100465795
=张天安
=2006.05.09
=日本东京都
=本发明中包括:
第1光路形成部件和第2光路形成部件,各自的
入口侧配置在来自光源的光电子束的通路内;
第1放置台,放置基板,
绕垂直轴自由旋转,并且基板的周缘部位于来自第1光路形成部件的
出口侧的光电子束照射区域;
第2放置台,基板的周缘部位于来自第2
光路形成部件的出口侧的光电子束照射区域;
遮光机构,用于遮挡来
自第1和第2光路形成部件的光的照射。
由于可例如可采用共通的光
源对第1放置台和第2放置台上的基板进行周缘曝光,所以具有较强
的处理能力,并且能够抑制装置的大型化。
=日本;
JP
=CN200380102561.2
=电解电容器用电解液及电解电容器、以及有机鎓的四氟铝酸盐的制造方法
=H01G9/035(2006.01)I
=H01G9/035(2006.01)I;
H01G9/04(2006.01)I
=三菱化学株式会社
=武田政幸;
宫内博夫;
宇惠诚
=CN100466122
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- 第一 季度 光电子 领域 授权 发明专利 精选