可控硅参数说明及中英文对照表Word文档下载推荐.docx
- 文档编号:21239759
- 上传时间:2023-01-28
- 格式:DOCX
- 页数:11
- 大小:19.07KB
可控硅参数说明及中英文对照表Word文档下载推荐.docx
《可控硅参数说明及中英文对照表Word文档下载推荐.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《可控硅参数说明及中英文对照表Word文档下载推荐.docx(11页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximumforwardorreverseleakagecurrent
断态重复峰值漏电流
为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
mA
IRRM
Maximumreverseleakagecurrent
反向重复峰值漏电流
IDSM
断态不重复平均电流
门极断路时,在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。
VTO
Onstatethresholdvoltage
门
槛电压
-
IT(RMS)
?
On-StateRMSCurrent(fullsinewave)
通态电流均方值
ITSM
Non-RepetitivePeakon-stateCurrent
通态浪涌电流(通态不重复峰值电流)
浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。
浪涌电流有上下两个级,这个参数可用来作为设计保护电路的依据。
IGM
ForwardPeakGateCurrent
门极峰值电流
I2T
CircuitFusingConsideration
周期电流平方时间积
A2ses
dIT/dt
Repetitiverateofriseofon-statecurrentaftertriggering(IGT1~IGT3)
通态临界电流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通,门极临近处立即导通,然后迅速扩展至整个有效面积。
这迟后的时间有一个极限,即负载电流上升率的许可值。
过高的dIT/dt可能导致局部烧毁,并使T1-T2短路。
假如过程中限制dIT/dt到一较低的值,双向可控硅可能可以幸存。
因此,假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出,可在负载上串联一个几μH的不饱和(空心)电感。
A/μs
VDRM
Repetitivepeakoff-statevoltage
断态重复峰值电压
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时间不超高10ms。
规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压)UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo,所留裕量大小由生产厂家自行规定。
UU
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Nonrepetitivelinepeakpulsevoltage
最高不重复线路峰值电压
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
PG(AV)
Averagegatepowerdissipation
门极平均散耗功率
W
PGM
Peakgatepower
门极最大峰值功率
AverageGatePower
门极平均功率
Tj
OperatingJunctionTemperatureRange
工作结温
为了长期可靠工作,应保证
Rthj-a足够低,维持Tj不高于80%Tjmax,其值相应于可能的最高环境温度。
℃
Tstg
StorageTemperatureRange
贮存温度
TL
Max.LeadTemperatureforSolderingPurposes
引脚承受焊锡极限温度
Rth(j-mb)
ThermalResistanceJunctiontomountingbase
热阻-结到外壳
℃/W
Rth(j-a)
ThermalResistanceJunction-to-ambient
热阻-结到环境
IGT
Triggeringgatecurrent
门极触发电流
为了使可控硅可靠触发,触发电流Igt选择25度时max值的α倍,α为门极触发电流—结温特性系数,查数据手册可得,取特性曲线中最低工作温度时的系数。
若对器件工作环境温度无特殊需要,通常选型时α取大于1.5倍即可。
IH
HoldingCurrent
维持电流
维持可控硅维持通态所必需的最小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。
IL
LatchingCurrent(IGT3)
接入电流(第三象限)/擎住电流
擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流。
对同一晶闸管来说,通常IL约为IH的2--4倍。
ID
Off-stateleakagecurrent
断态漏电流
-
VGT
Triggeringgatevoltage
门极触发电压
—可以选择Vgt25度时max值的β倍。
β为门极触发电压—结温特性系数,查数据手册可得,取特性曲线中最低工作温度时的系数。
若对器件工作环境温度无特殊需要,通常选择时β取1~1.2倍即可。
VGD
Non-triggeringgatevoltage
门极不触发电压
VFGM
PeakForwardGateVoltage
门极正向峰值电压
VRGM
PeakReverseGateVoltage
门极反向峰值电压
IFGM
PeakForwardGateCurrent
门极正向峰值电流
PeakForwardOn-StateVoltage
它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。
为减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VTM小的可控硅
dV/dt
CriticalRateofRiseofOff-stateVoltage
断态临界电压上升率
dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。
此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。
由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容,如图2所示。
我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流,这个电流就会成为Ig,也就是出现了触发电流,导致误触发
V/uS
(dI/dt)c
Criticalrateofdecreaseofcommutatingon-statecurrent
通态电流临界上升率
指在规定条件下,晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。
如果电流上升太快,则晶闸管刚一开通,便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
A/ms
dVCOM/dt
Criticalrateofchangeofcommutatingvoltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。
驱动高电抗性的负载时,负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。
当负载电流过零时双向可控硅发生切换,由于相位差电压并不为零。
这时双向可控硅须立即阻断该电压。
产生的切换电压上升率(dVCOM/dt)若超过允许值,会迫使双向可控硅回复导通状态,因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
dICOM/dt
切换时负载电流下降率
dICOM/dt高,则dVCOM/dt承受能力下降。
结面温度Tj越高,dVCOM/dt承受能力越下降。
假如双向可控硅的dVCOM/dt的允许值有可能被超过,为避免发生假触发,可在T1和T2间装置RC缓冲电路,以此限制电压上升率。
通常选用47~100Ω的能承受浪涌电流的碳膜电阻,0.01μF~0.47μF的电容,晶闸管关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流,此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。
一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。
A/mS
tgt
GateControlledDelayTime
门极控制延迟时间
us
Tq
CircuitCommutatedTurn-offTime
周期转换关断时间
恢复晶闸管电压阻断能力所需的最小电路换流反压时间。
Rd
DynamicResistance(Tj=125℃)
动态阻抗
mΩ
欢迎下载交流!
【最新资料,WORD文档,可编辑修改】
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 可控硅 参数 说明 中英文 对照
![提示](https://static.bdocx.com/images/bang_tan.gif)