完整word版材料合成与制备期末复习题文档格式.docx
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4.粒子间的两个力:
(1)颗粒间的范德华力;
(2)双电层静电排斥能
增加粒子间能垒通常有三个基本途径:
(1)使胶粒带表面电荷;
(2)利用空间位阻效应;
(3)利用溶剂化效应。
6。
由溶胶制备凝胶的具体方法:
(1)、使水、醇等分散介质挥发或冷却溶胶,使其形成过饱和液,而形成凝胶。
(2)、加入非溶剂,如在果胶水溶液中加入适量酒精后,即形成凝胶。
(3)、将适量的电解质加入胶粒亲水性较强的憎液型溶胶,即可形成凝胶。
(4)、利用化学反应产生不溶物,并控制反应条件可得凝胶。
7。
溶胶-凝胶合成方法的适用范围:
(1)块体材料
(2)多孔材料
(3)纤维材料
(4)复合材料
(5)超细粉体材料
(6)薄膜及涂层材料
8.溶胶-凝胶合成生产工艺种类
Sol-Gel
过程类型
化学特征
凝胶
前驱体
应用
胶体型
调整pH值或加入电解质使粒子表面电荷中和,蒸发溶剂使粒子形成凝胶
1.密集的粒子形成凝胶网络
2.凝胶中固相含量较高
3.凝胶透明,强度较弱
前驱体溶胶是由金属无机化合物与添加剂之间的反应形成的密集粒子
粉末
薄膜
无机
聚合物型
前驱体水解和聚合
1.由前驱体得到的无机聚合物构成的凝胶网络
2.刚形成的凝胶体积与前驱体溶液体积完全一样
3.证明凝胶形成的参数-凝胶时间随着过程中的其它参数变化而变化
4.凝胶透明
主要是金属烃氧化物
块体
纤维
络合物型
络合反应导致较大混合配合体的络合物的形成
1.由氢键连接的络合物构成凝胶网络
2.凝胶在湿气中可能会溶解
3.凝胶透明
金属醇盐、硝酸盐或醋酸盐
9。
溶胶—凝胶合成工艺设备:
(1)有恒温加热的搅拌器;
(2)真空干燥箱;
(3)马弗炉
10.溶胶—凝胶合成材料的基本过程:
(1)溶液-溶胶化;
(2)凝胶化-成型
(3)固化处理
11。
在溶液-溶胶化阶段中,胶液的获得方法有三种:
(1)超细粉和溶液机械混合形成胶液
(2)金属无机化合物或金属醇盐水解
(3)金属有机化合物水解
12.凝胶质量好坏的影响因素:
前驱体选择;
反应配比;
溶液pH值;
反应温度;
反应时间等。
(1)前驱体原料的选择:
金属无机盐作为溶胶-凝胶合成反应的原料具有价格低廉的特殊优点,可以用作产业化生产的原材料;
(2)水解度的影响;
(3)催化剂的影响;
(4)溶胶浓度的影响;
(5)反应温度的影响;
(6)络合剂的使用。
13。
溶胶-凝胶法应用
(1)—气凝胶;
(2)—Al2O3耐热涂层;
(3)溶胶凝胶—自蔓延制备生物玻璃粉体。
气凝胶:
是由胶体粒子或高聚物分子相互聚结构成的纳米多孔网络固态非晶材料.
溶胶—凝胶自蔓延合成技术:
是指有机盐凝胶或有机盐(燃料)与金属硝
酸盐在加热过程中发生氧化还原反应,燃
烧产生大量的气体,可自我维持并合成所
需燃烧物的材料的合成工艺。
第二章水热与溶剂热合成
1。
水热法:
是指在特制的密闭反应器(反应釜)中,采用水溶液作为反应体系,通过将反应体系加热至临界温度(或接近临界温度),在反应体系中产生高压环境而进行无机合成与材料制备的一种有效方法。
2.在水热条件下,水的作用:
既可作为溶剂又可作为矿化剂,在液态或气态下还是传递压力的媒介。
水热合成技术最大的缺点是:
反映周期长。
3.溶剂热法:
实在水热法的基础上发展起来的一种新的材料制备方法,江水热法中的水换成有机溶剂或非水溶酶(如有机胺、醇、氨、四氯化碳或苯等),采用类似于水热法的原理,以制备在水溶液中无法长成、易氧化、易水解或对水敏感的材料,如Ⅲ~Ⅴ族半导体化合物、氮化物、硫族化合物、新型磷(砷)酸盐分子筛三维骨架结构等。
与水热法相比,溶剂热法具有以下优点:
(1)在有机溶剂中进行的反应能够有效地抑制产物的氧化过程或水中氧的污染;
(2)非水溶剂的采用使得溶剂热法可选择原料的范围大大扩大,比如氟化物,氮化物,硫化合物等均可作为溶剂热反应的原材料;
同时,非水溶剂在亚临界或超临界状态下独特的物理化学性质极大地扩大了所能制备的目标产物的范围;
(3)由于有机溶剂的低沸点,在同样的条件下,它们可以达到比水热合成更高的气压,从而有利于产物的结晶;
(4)由于较低的反应温度,反应物中结构单元可以保留到产物中,且不受破坏,同时,有机溶剂官能团和反应物或产物作用,生成某些新型在催化和储能方面有潜在应用的材料;
(5)非水溶剂的种类繁多,其本身的一些特性,如极性与非极性、配位络合作用、热稳定性等,为我们从反应热力学和动力学的角度去认识化学反应的实质与晶体生长的特性,提供了研究线索。
5.水热法基本原理:
水热法常用氧化物或者氢氧化物或凝胶体作为前驱物,以一定的填充比进入高压釜,它们在加热过程中溶解度随温度升高而增大,最终导致溶液过饱和,并逐步形成更稳定的新相。
反应过程的驱动力是最后可溶的前驱体或中间产物与最终产物之间的溶解度差,即反应向吉布斯焓减小的方向进行。
但严格的说,水热技术中几种重要的反应机理并不完全相同,即并非都可用这种“溶解-结晶”机理来解释,水热反应的微观机理是急需解决的问题。
同时,反应过程中的有关矿化剂的作用,中间产物对产物的影响等也不十分清楚。
水热生长体系中的晶粒形成可分为三种类型:
•“均匀溶液饱和析出”机制
由于水热反应温度和体系压力的升高,溶质在溶液中溶解度降低并达到饱和,以某种化合物结晶态形式从溶液中析出。
当采用金属盐溶液为前驱物,随着水热反应温度和体系压力的增大,溶质(金属阳离子的水合物)通过水解和缩聚反应,生成相应的配位聚集体(可以是单聚体,也可以是多聚体)当其浓度达到过饱和时就开始析出晶核,最终长大成晶粒。
•“溶解—结晶”机制
当选用的前驱体是在常温常压下不可溶的固体粉末、凝胶或沉淀时,在水热条件下,所谓“溶解"
是指水热反应初期,前驱物微粒之间的团聚和联接遭到破坏,从而使微粒自身在水热介质中溶解,以离子或离子团的形式进入溶液,进而成核、结晶而形成晶粒;
“结晶"
是指当水热介质中溶质的浓度高于晶粒的成核所需要的过饱和度时,体系内发生晶粒的成核和生长,随着结晶过程的进行,介质中用于结晶的物料浓度又变得低于前驱物的溶解度,这使得前驱物的溶解继续进行。
如此反复,只要反应时间足够长,前驱物将完全溶解,生成相应的晶粒。
•“原位结晶”机制
当选用常温常压下不可溶的固体粉末,凝胶或沉淀为前驱物时,如果前驱物和晶相的溶解度相差不是很大时,或者“溶解—结晶"
的动力学速度过慢,则前驱物可以经过脱去羟基(或脱水),原子原位重排而转变为结晶态。
晶体生长习性的研究就是对“晶体结构-晶体生长条件-晶体生长形态-晶体缺陷"
这四者关系的研究。
将水热条件下纳米晶粒的形成过程可分为三个阶段:
•生长基元与晶核的形成
•生长基元在固-液生长界面上的吸附与运动
•生长基元在界面上的结晶或脱附
成核理论
晶核的生长在结晶过程中起起决定性作用。
晶体生长理论:
从微观角度看,晶体生长过程可以看做一个基元过程。
基元过程包括以下主要步骤:
(1)基元的形成。
(2)基元在生长界面的吸附。
(3)基元在界面的运动。
(4)基元在界面上的结晶或脱附。
6.溶剂热基本原理
水热与溶剂热合成化学有如下特点:
(1)在水热与溶剂热条件下,反应物性能的改变,活性的提高,使其不但可以降低反应温度,而且可以代替部分固相反应和完成一些其他制备方法难以进行的反应,如合成低熔点化合物、有较高蒸气压而不能在融体中生成的物质和高温分解相等;
(2)在水热与溶剂热法条件下,存在着溶液的快速对流与溶质的有效扩散,且多数反应物能溶于水或非水溶媒,使反应在液相或气相的快速对流中进行,溶液、(相对)低温、等压环境有利于生长极少缺陷、热应力小、完美的晶体,并能均匀地进行掺杂以及易于控制产物晶体的粒度;
(3)由于水热与溶剂热合成始终在密闭高压釜中进行,可通过控制反应气氛(溶液组分、温度、压力、可化剂、pH等)而形成合适的氧化还原环境,使其能合成、开发出一系列介稳结构、特种凝聚态与聚集态的新物质;
(4)水热与溶剂热合成的密闭条件有利于进行那些对人体健康有害的有毒反应,尽可能减少环境污染;
(5)水热与溶剂热合成体系一般处于非理想非平衡状态,因此,应该用非平衡热力学研究合成化学问题;
(6)水热与溶剂热合成的可操作性和可调变性,将使其成为衔接合成化学和合成材料的物理性质之间的桥梁.
7.水热与溶剂热合成方法的适用范围
•
(1)微孔材料
(2)制备超细(纳米)粉末
(3)制备薄膜
•(4)低温生长单晶
(5)合成新材料、新结构和亚稳相
第三章电解合成
电解合成的特点:
优点:
(1)在电解中调节电极电位,能提供高电子转移的功能,这种功能可以使之达到一般化学试剂所不具备的氧化还原能力,同时可改变电极反应速度;
(2)控制电极电位和选择适当的电极、溶剂等方法,使反应按人们所希望的方向进行,故反应选择性高,副反应较少,可制备出许多特定价态的化合物,这是任何其它方法不能比拟的;
(3)电化学反应所用的氧化剂或还原剂是靠电极上失电子或得电子来完成的,在反应体系中除原料和生成物外通常不含其他反应试剂。
因此产物不会被污染,也容易分离和收集,因此,可得到收率和纯度都较高的产品。
对环境污染少。
(4)电化学过程的电参数(电流、电压)便于数据采集、过程自动化与控制,由于电氧化还原过程的特殊性,能制备出许多其它方法不能制备的物质和聚集态,而且电解槽可以连续运转。
不足之处:
耗电量大、电解槽结构复杂、电极活性物质的寿命短、生产管理和技术水平要求高.
电导率的物理意义:
是电极面积各为1cm2,两电极相距1cm时溶液的电导,其数值与电解质种类、溶液浓度及温度等因素有关.
3.不论强、弱电解质,浓度增大时,电导率均呈现先增加后降低的趋势。
电动势的大小与温度、压力、浓度以及热力学状态函数等因素有关。
5.电位序有较大的实用意义:
由电位序可知,在标准情况下氢前面的金属都是容易氧化的金属,氢后面的是难氧化的金属,前面的金属能把电位序表中排在后面的金属从盐溶液中置换出来;
可计算由任何两组金属组成的电池的电动势。
6.发生反应物价态的增加即氧化反应,这个金属电极即为阳极.在与电源负端连接的电极金属上电子充足,因此,发生反应物质价态的降低即还原反应,这个金属电极即为负极.
电极上产生超电位的原因:
(1)浓差过电位;
(2)电阻过电位;
(3)活化过电位
8.电解过程大致可分为以下三类:
(1)金属电极过程,包括金属电沉积和金属溶解,如Ni2++2e=Ni(镀镍的阴极过程)和Cu(粗铜)=Cu2++2e(铜电解精炼的阴极过程);
(2)气体电极过程,如电解盐酸溶液的阴、阳极反应2H2++2e=H2和2Cl-=Cl2+2e;
(3)电解氧化还原过程,如MnO42-+e→MnO4—等。
9.电解合成的适用范围
在水溶液、非水溶剂和熔融盐中,通过电氧化或电还原过程可以合成出多种类型与不同聚集状态的化合物和材料,主要一下几个方面:
(1)电解盐的水溶液和熔融盐以制备金属、某些合金和镀层;
(2)通过电化学氧化过程制备最高价和特殊高价的化合物;
(3)含中间价态或特殊低价元素化合物的合成;
(4)C、B、Si、P、S、Se等二元或多元陶瓷型化合物的合成
(5)非金属元素间化合物的形成;
(6)其它方法难以合成的混合价态化合物、簇合物、嵌插型化合物、非计量氧化物。
例如:
合成纳米材料、、电极材料、、功能材料、、超导材料等。
10。
电解合成设备
进行电解的装置叫电化学反应器,又名电解池,工业上称电解槽,高温熔盐体系叫电解炉。
电解合成最基本的装置包括5部分:
电源、阴极和阳极、电解容器、电压测量仪表、电流测量仪表。
11.几个重要的电解合成术语
(1)电流效率(h);
(2)电能耗;
(3)电能效率(z);
(4)时空产率
12。
电解合成工艺流程通常包括电解合成前处理、电解合成、电解合成后处理各步,其中电解合成是最重要的步骤.
水溶液中电沉积金属时电解液的组成必须符合以下几个要求:
(1)含有一定浓度的欲得金属的离子,并且性质稳定;
(2)电导性能好;
(3)具有适于在阴极析出金属的pH值;
(4)能出现金属收率好的电沉积状态;
(5)尽可能少地产生有毒和有害气体。
14。
熔盐特性
(1)高温离子熔盐对其它物质具有非凡的溶解能力:
一些用一般湿化法不能进行反应的矿石、难熔氧化物和渣,以及超强超硬、高温难熔物质,可望在高温熔盐中进行处理。
(2)熔盐中的离子浓度高、粘度低、扩散快、导电率大,从而使高温化学反应过程中传质、传热、传能速率快、效率高.
(3)金属/熔盐离子电极界面间的交换电流i0特别高,达到1-10A/cm2使电解过程中的阳极氧化和阴极还原不仅可以在高温高速下进行,而且能耗低;
动力学迟缓过程引起的活化过电位和扩散过程引起的浓差过电位都较低,熔盐电解生产合金时,往往伴随去极化作用。
(4)常用熔盐作为溶剂,用于电解制备金属等。
(5)不少熔盐在一定温度范围内具有良好的热稳定性,它可使用的温度区间从100℃~1100℃(有的更高),可根据需要进行选择(见表3。
8)。
(6)熔盐的热容量大、贮热和导热性能好;
(7)某些熔盐耐辐射;
(8)熔盐的腐蚀性较强.
15.阳极效应是指:
端电压急剧升高,电流则强烈下降,同时,电解质与电极之间呈现润湿不良现象,电解质好像被一层气体膜隔开似的,电极周围还出现细微火花放电的光圈。
16。
应用举例
1.氯碱生产;
2.熔盐电解制备铝;
铝电解过程中的阳极效应;
第四章化学气相沉积
1.化学气相沉积:
乃是通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励火光辐射等各种能源,在反应器内使七台或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
这种技术可以提高材料抵御环境作用的能力,如提高材料表面的硬度、耐磨性和耐腐蚀性;
他还可以赋予材料某些功能特性,包括光、电、磁、热、声等各种物理和化学性能.
2.化学气相沉积法的概念:
化学气相沉积简单来说就是两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到气体表面上。
从气相中析出的固体的形态主要有以下几种:
在固体表面上形成薄膜、晶须和晶粒,在气体中形成粒子。
为适应CVD技术的需要,选择原料、产物及反应类型等通常需满足以下几点基本要求:
(1)反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸汽压而易于挥发成蒸汽的液态或活固态物质,且有很高的纯度;
(2)通过沉积反应已与生成所需要的材料沉积物,其他副产物均易挥发而留在气相排出或易于分离;
(3)反应易于控制.
化学气相沉积法的原理:
是通过化学反应的方式,利用加热等离子激励火光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
化学气相沉积反应技术的反应原理:
CVD是一种材料表面改性技术。
它利用气相间的反应,在不改变基体材料的成分和不削弱基体材料的强度条件下,赋予材料表面一些特殊的性能.
用于化学气相沉积技术的通反应类型通常有如下五种:
(1)热分解反应;
原理:
是最简单的沉积反应。
利用热沉积反应沉积材料一般在简单的单温区炉中进行,其过程通常是首先在真空或惰性气氛下将衬底加热到一定温度,然后导入反应气态源物质使其发生热分解,最后在衬底上沉积出所需的固态原料.
热分解法可应用于制备金属、半导体以及绝缘材料等.
(2)氧化还原反应沉积;
(3)化学合成反应沉积;
(4)化学输运反应沉积;
(5)等离子体增强的反应沉积。
化学气相沉积法合成生产的工艺种类包含的系统:
一般而言,任何CVD系统,均包含一个反应器、一组气体传输系统、排气系统及工艺控制系统等。
第五章定向凝固技术
1.定向凝固:
在凝固过程中采用强制手段,在凝固金属和凝固熔体中建立起特定方向的温度梯度,从而使熔体沿着与热流相反的方向凝固,获得具有特定取向柱状晶的技术。
2.定向凝固技术的工艺参数:
(1)凝固过程中固液界面前沿液相中的温度梯度GL;
(2)固液界面向前推进的速度R;
(3)GL/R值是控制晶体长大形态的重要判据。
定向凝固基本原理:
即利用晶体的生长方向与热流方向平行且相反的自然规律在铸型中建立特定方向的温度梯度,是熔融合金沿着与热流方向相反的方向,按照要求的结晶取向进行凝固的结晶工艺。
传统定向凝固技术:
(1)发热剂法;
(2)功率降低法(PD法);
(3)高(快)速凝固法(HRS);
(4)液态金属冷却法(LMC法);
(5)流态床冷却法(FBQ法)。
用什么冷却?
•
第六章低热固相合成
固相反应:
广义:
指由固态物质参加的反应.
狭义:
有固体物质直接参加的反应,它既包括固—固反应,也包括固-气反应和固-液反应。
根据固相化学反应发生的温度将固相化学反应分为三类:
(1)低热固相反应(反应温度<100°
C);
(2)中热固相反应(100°
C<反应温度<600°
C);
(3)高热固相反应(反应温度<600°
C).
20世纪90年代中期,Kaupp等通过原子力显微镜观察有机固相反应,提出了三步反应机理,即相重建、相转变、晶体分解或分离。
4.新泉领导的研究小组1988年开始报导“固态配比化学反应研究”系列。
5.低热固相合成影响因素分析:
(1)固体结构对其反应性的影响;
(2)固体的Tammann温度对其反应性的影响;
(3)反应温度对低温固相合成的影响;
(4)外力作用对固相反应的影响;
(5)颗粒尺寸影响;
(6)杂质的影响;
(7)固体缺陷的影响;
(8)结晶水的影响。
第七章热压烧结
1.烧结:
是陶瓷生坯在高温下的致密化过程和现象的总称。
烧结过程可以分为两大类:
(1)不加压烧结;
(2)加压烧结
热压烧结的原理:
(1)固体粉末烧结的过程和特点
●坯体烧结后在宏观上的变化是:
体积收缩,致密度提高,强度增加
●烧结程度可以用坯体收缩率、气孔率或体积密度与理论密度之比等来表征。
在热力学上,所谓烧结是指系统总能量减少的过程.
根据其变化特点来划分烧结阶段:
烧结初期
烧结中期
烧结后期
(2)固体粉末烧结的本征热力学驱动力
(1)本征过剩表面能驱动力
可以用下述简单方法估计本征过剩表面能驱动力数量级。
假定烧结前粉末系统的表面能为Ep,烧结成一个致密的立方体后的表面能为Ed,忽略形成晶界能量的消耗,则本征驱动力为:
代入晶体材料的摩尔质量Wm(g/mol),固-气表面能γsv(J/m2),粉末比表面Sp(cm2/g),致密固体密度d(g/cm3),则有:
由于
,则可近似为
要想在适当的烧结时间内获得烧结体的充分致密化,粉末颗粒系统应当满足下式关系:
式中Dv-—体积扩散系数,cm2/s;
2a-—粉末粒度,μm
例如,Dv的数量级为10-12cm2/s,则粉末粒度要在1μm左右。
如果Dv太低,则某些共价键材枓(如Si的Dv为10—14cm2/s)若要充分地烧结致密化就要求使用粒度0。
5μm左右的粉末。
一般金属粉末的Dv比陶瓷粉末的Dv大,因而金属粉末的粒度可以粗些.而陶瓷则须细粉末才能获得好的烧结结果,这与烧结经验是完全吻合的。
(2)本征Laplace应力
除了松散烧结(也称重力烧结)之外,粉末总是在被压制成某种形状的压坯后再进行烧结的;
这样的颗粒系统就有另外两个本征的特点:
颗粒之间的接触相颗粒之间存在着“空隙”或称孔洞;
系统表面的减少。
自由能的降低主要是通过孔洞的收缩来实现的。
烧结开始时,孔洞的形状并不是球形,面是由尖角形,圆滑菱形,近球形莲浙向球形过渡,如图7-2所示.
此时,孔洞的收缩必然伴随着颗粒接触区的扩展。
这个接触区最先被称作金属颗粒之间的“桥”,旋即被Kuczynski,定义为颈(neck).
不加压固相烧结空洞形状变化示意:
颗粒之间接触的直接结果是颈部出现了曲率半径;
Laplace和Young以弯曲液体表面为例,给出了表面的曲率半径、表面张力和表面所受的应力差值。
式中R1与R2——表面上相互垂直的两个曲线的曲率半径,称为主曲率半径.
对于一个球形孔洞,R1=R2,则变为Gibbs的解释。
对于不加压团相烧结的颗粒系统,由颗粒接触形成的曲率半径对Laplace应力有重要影响,颗粒接触形成的颈如图7。
3所示.
图7。
3中,x表示接触面积的半径,ρ表示颈部的曲率半径,即式中的R1与R2,则颗粒接触的本征Laplace应力为:
式中负号表示ρ从孔洞内计算,正号表示x在颗粒内计算半径值。
同时可注意到,颈部凹表面拉伸应力σ的存在,相当于有压应力ρ作
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