电子技术基础维修电工中级资料.docx

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电子技术基础维修电工中级资料

电子技术基础（维修电工中级资料）

一、单项选择题

1．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。

A、已经击穿B、完好状态C、内部老化不通D、无法判断

2．基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。

A、截止区B、饱和区C、死区D、交越失真

3．单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为20伏，每个整流二极管所承受的最大反向电

压为（B）。

A、20VB、28.28VC、40VD、56.56V

4．信号发生器输出CMOS电平为（A）伏。

A、3～15B、3C、5D、15

5．一般三端集成稳压电路工作时，要求输入电压比输出电压至少高（A）V。

A、2B、3C、4D、1.5

6．普通晶闸管边上P层的引出极是（D）。

A、漏极B、阴极C、门极D、阳极

7．单结晶体管的结构中有（B）个基极。

A、1B、2C、3D、4

8．固定偏置共射极放大电路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，则UCEQ

为（B）V。

A、6B、4C、3D、8

9．分压式偏置共射放大电路，当温度升高时，其静态值IBQ会（B）。

A、增大B、变小C、不变D、无法确定

10．固定偏置共射放大电路出现截止失真，是（A）。

A、RB偏小B、RB偏大

C、Rc偏小D、Rc偏大

11．下列不是集成运放的非线性应用的是（C）。

A、过零比较器B、滞回比较器

C、积分应用D、比较器

12．RC选频振荡电路，当电路发生谐振时，选频电路的幅值为（D）。

A、2B、1C、1/2D、1/3

13．LC选频振荡电路，当电路频率高于谐振频率时，电路性质为（C）。

A、电阻性B、感性C、容性D、纯电容性

14．下列逻辑门电路需要外接上拉电阻才能正常工作的是（D）。

A、与非门B、或非门C、与或非门D、OC门

15．单相半波可控整流电路中晶闸管所承受的最高电压是（A）。

A、1.414U2B、0.707U2C、U2D、2U2

16．单相桥式可控整流电路电感性负载带续流二极管时，晶闸管的导通角为（A）。

A、180°-αB、90°-αC、90°+αD、180°+α

17．单相桥式可控整流电路电阻性负载，晶闸管中的电流平均值是负载的（A）倍。

A、0.5B、1C、2D、0.25

18．（D）触发电路输出尖脉冲。

A、交流变频B、脉冲变压器C、集成D、单结晶体管

19、若理想微分环节的输入为单位阶跃。

则其输出单位阶跃响应时一个（Ａ）

A.脉冲函数B.一次函数C.正弦函数D.常数

20．对于晶体管输出型PLC，要注意负载电源为（D），并且不能超过额定值。

A、AC380VB、AC220VC、DC220VD、DC24V

21．处于截止状态的三极管，其工作状态为（B）。

A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏，集电结反偏

C、射结正偏，集电结正偏D、射结反偏，集电结正偏

22．收音机发出的交流声属于（C）。

A、机械噪声B、气体动力噪声

C、电磁噪声D、电力噪声

23．直流单臂电桥使用（C）伏直流电源。

A、6B、5C、4.5D、3

24．直流双臂电桥为了减少接线及接触电阻的影响，在接线时要求（A）。

A、电流端在电位端外侧B、电流端在电位端内侧

C、电流端在电阻端外侧D、电流端在电阻端内侧

25．直流双臂电桥的测量具有（D）的特点。

A、电流小、电源容量大B、电流小、电源容量小

C、电流大、电源容量小D、电流大、电源容量大

26．示波器中的（B）经过偏转板时产生偏移。

A、电荷B、高速电子束C、电压D、电流

27．数字存储示波器的带宽最好是测试信号带宽的（D）倍。

A、3B、4C、6D、5

28．三端集成稳压电路W317，其输出电压范围为（A）V。

A、1.25～37B、17C、7D、6

29．符合有“1”得“1”，全“0”得“0”的逻辑关系的逻辑门是（A）。

A、或门B、与门C、非门D、与非门

30．晶闸管型号KS20-8中的S表示（B）。

A、双层B、双向C、三层D、三极

31．普通晶闸管的额定电流是以工频正弦半波电流的（D）来表示的。

A、最小值B、最大值C、有效值D、平均值

32．一只100A的双向晶闸管可以用两只（D）的普通晶闸管反并联来代替。

A、100AB、90AC、50AD、45A

33．单结晶体管发射极的文字符号是（C）。

A、CB、DC、ED、F

34．集成运放通常有（B）部分组成。

A、3B、4C、5D、6

35．集成运放共模抑制比通常在（C）dB。

A、60B、80C、80~110D、100

36．固定偏置共射极放大电路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，则IBQ为

（A）。

A、40μAB、30μAC、40mAD、10μA

37．分压式偏置共射放大电路，稳定工作点效果受（C）影响。

A、RcB、RBC、RED、Ucc

38．共射极放大电路的输出电阻比共基极放大电路的输出电阻是（C）。

A、大B、小C、相等D、不定

39．容易产生零点漂移的耦合方式是（C）。

A、阻容耦合B、变压器耦合C、直接耦合D、电感耦合

40．要稳定输出电流，增大电路输入电阻应选用（C）负反馈。

A、电压串联B、电压并联C、电流串联D、电流并联

41．RC选频振荡电路，能产生电路振荡的放大电路的放大倍数至少为（B）。

A、10B、3C、5D、20

42．LC选频振荡电路达到谐振时，选频电路的相位移为（A）度。

A、0B、90C、180D、-90

43．串联型稳压电路的调整管工作在（A）状态。

A、放大B、饱和C、截止D、导通

44．CW78L05型三端集成稳压器件的输出电压及最大输出电流分别为（B）。

A、5V、1AB、5V、0.1A

C、5V、0.5AD、5V、1.5A

45．单相半波可控整流电路电阻性负载，（B）的移相范围是0～180°。

A、整流角θB、控制角αC、补偿角θD、逆变角β

46．单相半波可控整流电路的电源电压为220V，晶闸管的额定电压要留2倍裕量，则需选

购（D）的晶闸管。

A、250VB、300VC、500VD、700V

47．单结晶体管触发电路输出（B）。

A、双脉冲B、尖脉冲C、单脉冲D、宽脉冲

48．晶闸管电路中采用（C）的方法来防止电流尖峰。

A、串联小电容B、并联小电容

C、串联小电感D、并联小电感

49．晶闸管两端并联压敏电阻的目的是实现（D）。

A、防止冲击电流B、防止冲击电压

C、过流保护D、过压保护

50.晶闸管型号KP20-8中的K表示（D）。

（A）国家代号（B）开关（C）快速（D）晶闸管

51.普通晶闸管中间P层的引出极是（C）。

（A）漏极（B）阴极（C）门极（D）阳极

52、积分集成运放电路反馈元件采用的是（C）元件。

A、电阻B、电感

C、电容D、二极管

53、滞回比较器的比较电压是（B）。

A、固定的B、随输出电压而变化

C、输出电压可正可负D、与输出电压无关

54、组合逻辑电路的设计是（C）。

A、根据已有电路图进行分析B、找出对应的输入条件

C、根据逻辑结果进行分析D、画出对应的输出时序图55、555定时器构成的单稳态触发器单稳态脉宽由（C）决定。

A、输入信号B、输出信号

C、电路电阻及电容D、555定时器结构

56、当74LS94的控制信号为00式时，该集成移位寄存器处于（C）状态。

A、左移B、右移

C、保持D、并行置数

57、当74LS94的Q3经非门的输出与Sr相连时，电路实现的功能为（B）。

A、左移环形计数器B、右移扭环形计数器

C、保持D、并行置数

58、集成显示译码器是按（C）来显示的。

A、高电平B、低电平

C、字型D、低阻

59、集成译码器74LS47可点亮（B）显示器。

A、共阴七段B、共阳七段

C、液晶D、等离子

60、集成计数器74LS161是（A）计数器。

A、二进制同步可预置B、二进制异步可预置

C、二进制同步可清零D、二进制异步可清零

61、一片集成二一十进制计数器74LS90可构成（A）进制计数器。

A、2至10间德任意B、5、

C、10D、2

62、集成运放电路（A），会损坏运放。

A、输出负载过大B、输出端开路

C、输出负载过小D、输出端与输入端直接相连

63、集成运放电路的输出端外接（D）防止负载过大而损坏器件。

A、三极管B、二极管

C、场效应管D、反串稳压管

64、集成与非门的多余引脚（C）时，与非门被封锁。

A、悬空B、接高电平

C、接低电平D、并接

65.78及79系列三端集成稳压电路的封装通常采用（A）。

（A）TO-220、TO-202（B）TO-110、TO-202

（C）TO-220、TO-101（D）TO-110、TO-220

66、集成与非门被封锁，应检查其多余引脚是否接了（C）。

A、悬空B、高电平

C、低电平D、并接

67、可控RS触发器，易在CP=1期间出现（D）现象。

A、翻转B、置零

C、置1D、空翻

68.符合有“1”得“0”，全“0”得“1”的逻辑关系的逻辑门是（D）。

（A）或门（B）与门（C）非门（D）或非门

69、JK触发器，当JK为（B）时，触发器处于置零状态。

A、00B、01

C、10D、11

70.普通晶闸管的额定正向平均电流是以工频（C）电流的平均值来表示的。

（A）三角波（B）方波（C）正弦半波（D）正弦全波

71.单相桥式可控整流电路中，控制角α越大，输出电压Ud（B）。

（A）越大（B）越小（C）为零（D）越负

72．基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。

A、截止区B、饱和区C、死区D、交越失真

73．信号发生器输出CMOS电平为（A）伏。

A、3～15B、3C、5D、15

74．普通晶闸管边上P层的引出极是（D）。

A、漏极、B、阴极C、门极D、阳极

75．CW7806的输出电压、最大输出电流为（A）伏。

A、6V、1.5AB、6V、1A

C、6V、0.5AD、6V、0.1A

76．如图所示，IS=5A，当US单独作用时，I1=3A，当IS和US共同作用时I1为（B）。

A、2AB、1AC、0AD、3A

77．面接触型二极管应用于（B）。

A、整流B、稳压C、开关D、光敏

78．当二极管外加电压时，反向电流很小，且不随（D）变化。

A、正向电流B、正向电压C、电压D、反向电压

79．三极管的fα高于等于（C）为高频管。

A、1MHzB、2MHzC、3MHzD、4MHz

80．射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）。

A、带负载能力强B、带负载能力差

C、减轻前级或信号源负荷D、取信号能力强

81．根据仪表取得读数的方法可分为（D）。

A、指针式B、数字式C、记录式D、以上都是

82．验电笔在使用时（C）手接触笔尖金属探头。

A、提倡用B、必须用C、不能用D、可以用

83．下面适合于制造电阻器的材料是（D）。

A、金B、银C、铝D、康铜

84．电阻器可分为实芯电阻器、线绕电阻器及（A）。

A、非线绕电阻器B、合金型电阻器

C、非金属膜电阻器D、合成型电阻器

85．电阻器上标注的符号为3R9的含义是（A）。

A、3.9欧姆B、39欧姆C、0.39欧姆D、390欧姆

86．电感元件的型号一般由主称、特征、型式等（B）部分组成。

A、3B、4C、5D、2

87．在100兆赫兹以上时一般不能用（B）线圈。

A、空芯B、铁氧体C、胶木D、塑料

88．下列哪种电容器不属于有机介质电容器（D）。

A、涤纶介质电容器B、聚苯乙烯介质电容器

C、漆膜介质电容器D、独石电容器

89．在高温下工作，应采用（D）。

A、瓷介电容器B、电解电容器

C、云母电容器D、玻璃电容器

90．二极管的最大特点是（D）。

A、开关B、发光C、稳压D、单向导电

91．锗二极管的正向导通电压为（A）。

A、0.3V左右B、0.6V左右C、0.8V左右D、0.7V左右

92．检波二极管属于（A）二极管。

A、开关型B、整流型C、微波型D、变容型

93．三极管的封装可分为（A）。

A、塑料、金属B、金属、橡胶C、橡胶D、陶瓷

94．集电极最大允许功率损耗，其大小决定于集电结的最高（C）。

A、电压B、电流C、温度D、功率

95．按三极管的用处来分，三极管可分为（A）。

A、放大管、检波管、开关管等B、放大管、整流管、开关管等

C、放大管、稳压管、开关管等D、截止、检波管、开关管等

96．对于1W以下的中小三极管，可用万用表的（D）挡测量。

A、R×1或R×10B、R×100或R×10

C、R×1或R×1KD、R×100或R×1K

97．相同用电功率的内热式电烙铁比外热式电烙铁的发热功率（A）。

A、大B、小C、相等D、不好定

98．一般印制电路板、安装导线应选用电烙铁的烙铁头温度为（A）。

A、300~400℃B、300℃C、400℃D、400~500℃

99．电烙铁长时间通电而不使用，易造成电烙铁的（D）。

A、电烙铁芯加速氧化而烧断B、烙铁头长时间加热而氧化

C、烙铁头被烧“死”不再“吃锡”D、以上都是

100．焊锡配比为35%的锡、42%的铅、23%的铋的熔点温度为（A）度。

A、150B、200C、180D、240

101．焊锡丝成份一般是锡含量为（C）的铅锡合金。

A、50%~60%B、40%~50%C、60%~65%D、70%~75%102．下列不属于助焊剂的特性为（D）。

A、去除氧化膜并防止氧化B、辅助热传导

C、降低金属表面张力D、使焊点失去光泽

103．当松香被加热到（C）度以上或经过反复加热，会成为黑色的固体，失去化学活性。

A、200B、250C、300D、400

104．PN结正偏的特性是（A）。

A、正偏电阻小、正偏电流大B、正偏电阻大、正偏电流大

C、正偏电阻小、正偏电流小D、正偏电大、正偏电流小

105．（B）是工作在反偏状态，由PN结电容的变化而工作。

A、开关二极管B、变容二极管

C、稳压二极管D、检波二极管

106．2DW7A表示的是（B）二极管。

A、发光B、稳压C、光敏D、变容

107．3AG53A表示的是（A）三极管。

A、高频小功率B、高频大功率C、低频小功率D、低频大功率108．单相整流电路负载上到的电压是（C）。

A、恒定直流电B、交流电C、脉动直流电D、恒定交流电109．单相桥式整流电路输出电压的波形为（D）。

A、正弦波B、三角波C、双向脉冲波D、单向脉冲波110．已知电源变压器的副边电压为20伏，现采用单相桥式整流电路，则负载上可得到（C）

伏电压。

A、10B、9C、18D、20

111．电容滤波电路一般采用大容量的（A）电容器。

A、电解B、陶瓷C、云母D、金属化纸介112．电容滤波电路中的整流元件导通时间变（B）。

A、长B、短C、不变D、不定

113．一单相桥式整流电容滤波电路，已知电源变压器的副边电压为10伏，则该电路能输

出（D）伏电压。

A、9B、4.5C、10D、12

114．（B）电路适合负载变化大，电流大的场合。

A、电容滤波B、电感滤波C、RCΠ型滤波D、CLΠ型滤波115．电感滤波电路的整流元件的电压波形与负载的电压波形（B）。

A、相同B、不同C、近似D、无关116．一单相半波整流电感滤波电路，已知负载的直流电压为4.5，则该电路电源变压器的

副边电压值为（A）伏。

A、10B、20C、5D、15117．稳压管稳压电路必须串有一个阻值合适的（A）电阻。

A、限流调压B、降压C、限流D、稳压

118．如图所示，已知稳压管的稳定电压均为5.3V，稳压管正向导通时的管压降为0.7V，

则输出电压为（B）伏。

A、5.3B、1.4C、10.6D、6

119．单管电压放大电路动态分析时的电压放大过程，放大电路在直流电源和交流信号的作

用下，电路中（C）既有直流分量，又有交流分量。

A、电阻B、电容C、电流和电压D、三极管120.如图所示，已知Vcc=15V，RC=4KΩ，RB=400KΩ,β=40，则ICQ为（A）。

A、4mAB、3mAC、2mAD、5mA

121．若反馈到输入端的直流电压，与原输入信息接在不同端，且削弱输入信息，则该电路

的反馈类型是（A）。

A、电压串联B、电压并联C、电流并联D、电流串联122．若反馈到输入端的交流电压，与原输入信息接在不同端，且削弱输入信息，则该电路

的反馈类型是（A）。

A、电压串联B、电压并联C、电流并联D、电流串联123．交流负反馈可以改善交流指标，若要稳定输出电压，增大输入电阻，则应引入（A）

负反馈。

A、电压串联B、电压并联C、电流并联D、电流串联124．串联型稳压电路中的调整管工作在（A）状态。

A、放大B、饱和C、截止D、开关125．电池充电器的电源变压器的指标为（A）。

A、10W、副边电压10~15V左右B、10W、副边电压20V左右

C、20W、副边电压10~15V左右D、30W、副边电压20V左右

126．电池充电器充电时间的计算为（A）。

A、电池容量除以充电电流B、电容充电时间常数的3倍

C、与充电电流大小无关D、与所加电源电压无关

127．电焊变压器允许负载端（A）。

A、短时间短路B、长时间短路C、接灯泡D、接电动机128．电容器上标注的符号224表示其容量为22×104（D）。

A、FB、μFC、mFD、pF

129．基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。

A、截止区B、饱和区C、死区D、交越失真130．如图所示，该电路的反馈类型为（B）。

A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈

C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈

131．电阻器按结构形式可分为：

圆柱型、管型、圆盘型及（A）。

A、平面片状B、直线型C、L型D、T型

132．应用于自感作用的电感线圈主要用于（A）等电路。

A、滤波器、振荡电路、去耦B、滤波电路、耦合电路、消磁电路

C、振荡电路、放大电路D、滤波电路、放大电路

133．电容器按结构分为（D）。

A、固定电容B、半可变电容C、可变电容D、以上都是134．二极管是由（A）、电极引线以及外壳封装构成的。

A、一个PN结B、P型半导体C、N型半导体D、本征半导体

135．硅二极管的正向导通电压为（B）。

A、0.3V左右B、0.7V左右C、0.1V左右D、0.4V左右136．特殊二极管有（A）。

A、变容二极管、雪崩二极管、发光二极管、光电二极管等

B、整流二极管、变容二极管、雪崩二极管、发光二极管等

C、开关二极管、雪崩二极管、发光二极管、光电二极管等

D、变容二极管、普通二极管、发光二极管、光电二极管等

137．可以用（C）来测试二极管的极性及质量。

A、电压表B、电流表C、万用表D、~_G_G____功率表

138．绝缘栅型场效应管可分为（A）。

A、N沟道耗尽型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、P沟道增强型

B、N沟道增强型、P沟道耗尽型

C、N沟道耗尽型、P沟道耗尽型

D、N沟道增强型、P沟道增强型

139．场效应管可应用于（A）。

A、定时器电路、有源滤波器B、整流电路、放大电路

C、滤波电路、整流电路D、小规模集成电路、开关电路

140．电子焊接的焊点要避免出现（D）。

A、虚焊B、漏焊C、桥接D、以上都是

141．电烙铁的烙铁芯是将（D）电阻丝缠绕在两层陶瓷管之间，再经过烧结制成的。

A、铜B、钢C、铁D、镍铬

142．当采用握笔法时，（A）的电烙铁使用起来比较灵活。

适合在元器件较多的电路中进

行焊接。

A、直烙铁头B、C型烙铁头C、弯烙铁头D、D型烙铁头143．焊锡配比为50%的锡、32%的铅、18%的镉的熔点温度为（A）度。

A、145B、180C、200D、260

144．为使焊锡获得强度增大，熔点降低，可以摻入少量（D）。

A、铜B、铁C、锌D、银

145．下列不属于松香的特性为（A）。

A、在常温下具有很好的活性B、液态松香具有一定酸性

C、增加流动性D、松香变成固体时，无腐蚀性

146.（A）的松香不仅不能起到帮助焊接的作用，还会降低焊点的质量。

A、炭化发黑B、固体C、液态D、溶于酒精147．PN结具有（C）特性。

A、正偏B、反偏C、单向D、双向148．锗管的正偏导通电压为（A）伏左右。

A、0.3B、0.7C、1D、0.8149．1N4007中的“1”表示含义为（A）的数量。

A、PN结B、P型半导体

C、N型半导体D、管子封装材料

150．光敏二极管是将光能转换为电能，其应工作在（B）状态。

A、正偏B、反偏C、饱和D、截止

151．晶体管工作在（A）状态时，发射结正偏，集电结反偏。

A、放大B、截止C、饱和D、失真

152．单相半波整流电路输出电压的