如何在STM32的RAM中调试程序.docx
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如何在STM32的RAM中调试程序
如何在STM32的RAM中调试程序
小白刚接触STM32,听说32的flash只能反复烧写1000次左右,于是对于自己攒钱买下的STM32开发板怎么也不忍心过多的烧写一些调试程序。
于是乎在网上偶然看到了可以在STM32的自身RAM中来调试程序,真是欣喜若狂呀!
于是乎就XX了几个教程,经过反复试验终于成功!
而网上载下的调试教程略有瑕疵,结合了几个教程才最终完成!
因此特写下自己的RAM调试设置步骤仅供大家参考!
RAM调试在MDK中的设置步骤如下:
声明:
本人用的是STM32F103VE系列
因此若使用别的型号的也只是改变一下RAM的大小而已。
首先,在开发板上设置BOOT[1:
0]=0:
0,不需要跳冒跳来跳去!
就是用JTAG仿真的时候就不需要再改变跳冒了!
跳冒只是在软件下载程序到开发板上时要把BOOT0跳到1,下载完成后再跳回来程序就可永久运行,若不跳回来按下reset键后程序就会被擦除。
第一步:
选择RAM工程:
一般可以建立两个工程FLASH和RAM。
RAM工程留调试程序用,FLASH工程留调试完成下载到片上FLASH里,整个项目的程序即设计完成!
第二步:
单击
弹出对话框设置如下:
就是在你的项目管理窗口中在建立一个以RAM为名称的工程其他的不变,还要在你的项目文件夹里再建一个RAMout文件夹。
第三步:
打开魔术棒
弹出继续设置:
按照此窗口分割配置RAM地址,注意RAM的起始地址是0x20000000八位,要分为多大,一半一半也行,是够学习用的了。
第四步:
打开output选项:
选择output的输出目录为之前建立的RAMout文件夹,大概意思就是文件归类不容易出错!
第五步:
点开Linker选项窗口配置基地址:
先将UseMemoryLayoutfromTargetDialog的勾号打掉即可设置R/OBase和R/WBase的地址了!
如图分别填写地址为0x20000000和0x2000C000。
填写完成之后再勾上即变成灰色不可编辑状态了!
第六步:
配置JTAG仿真
按下图中配置即可,需要注意:
1.RAM.ini文件是RAM调试的初始化文件,网上挺多的,也就几行代码!
2.LoadApplicationatStartup一定要勾选,不然在调试时不能单步运行!
继续打开如图Settings:
找到FlashDownload按图配置
注意仿真算法的勾选,要按照自己的芯片型号选择!
添加算法后再点击一下即可出现算法的存储地址,此处填上RAM地址及大小。
最后打开Utilities选项卡配置如下:
点击OK大功告成!
最后说明:
一切配置完成后,在编译完成代码后,就可直接点击
DEBUG进行仿真,此时可以全速进行,单步进行。
若点击了
则需要重新点击
DEBUG进行仿真,若在仿真时想要要退出则应先点击
STOP退出!
就是说在RAM仿真时完全用不到
LOAD下载!
LOAD下载仅在FLASH调试和下载使用!
RAM仿真是即时性的掉电就要从新下载,可以任意刷程序很适合程序调试仿真,FLASH仿真是一次性写入芯片FLASH存储器中且有下载次数限制寿命1000次左右!
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