电子技术样本.docx
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电子技术样本
一、填空题(每题2分,共20分)
1.实际使用电源,按其外特性可以分为()和()。
2.有一种物质,它导电性介于导体和绝缘体之间,这就是(),如硅、锗。
3.数字工程中,按存取方式分类,惯用存储器有顺序方向存储器,()存储器,()存储器三种。
4.电路功能大体可以分为两类,一类是作为()传播和转换,如电力电路;一类是作为实现()传递和解决,如信号电路。
5.如右图所示电路中,B点电位为()V。
6.测得工作在放大区晶体三极管三个电极电位分别为+2.3V、+2V、+8V,则此管三个电极先后为基极、()极和()极。
7.存储器()和()是反映系统性能两个重要指标。
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8.某放大电路在负载开路时输出电压为4V,接入3KΩ负载电阻后输出电压为3V,这阐明放大电路输出电阻为()。
9.将十进制数18.625化为二进制数为(),化为十六进制数为()。
10.设输入变量为A、B、C,鉴别当三个变量中有奇数个1时,函数F=1,否则F=0,实现它异或表达式为F=()。
二、单项选取题(每小题2分,共10分)
1.PN结加上反向电压,自建电场与外加电场方向(),内电场()。
A.相反加强B.一致加强
C.相反削弱D.一致削弱
2.下列电路中,()不是时序电路。
A.计数器B.触发器
C.寄存器D.译码器
3.图示电路中,AB之间电压V相应方程式为()。
A.V=IR+EB.V=IR-EC.V=-IR-ED.-V=IR+E
4.右图是下面哪类场效应管图符?
A.N沟道耗尽型场效应管B.P沟道耗尽型场效应管
C.N沟道耗尽型MOS管D.P沟道耗尽型MOS管
5.组合逻辑电路险象消除办法不涉及()
A.多余项插入法B.变化电路构造
C.加接惯性环节D.消除选通脉冲
三、分析计算题(共70分)
1.求图中电路中a、b、c各点电位。
(其中E1=5V,E2=10V,R1=2Ω,R2=5Ω,R3=4Ω)
2.逻辑电路输入A、B波形和输出F波形之间关系如图所示,试列出真值表,写出函数F逻辑关系式,并画出实现此函数逻辑图。
3.已知电路如图所示,求电流I。
(其中E1=12V,E2=24V,E3=4V,R1=6Ω,R2=12Ω,R3=1Ω,R4=3Ω)
4.由两个电源共同向负载R供电电路如下,已知电源电动势E1=E2=110V,内阻r1=10Ω,r2=5Ω,负载两端电压读数为90V,试求两电源供电电流I1、I2,负载电阻R以及两电源发出功率。
(电压表内阻影响忽视不计)
5.在电路图输入端υi(t)加入如图所示波形,视D为抱负开关,试相应画出输出υo(t)波形。
6.今有一种额定电压VN=110V,功率PN=45W电烙铁,要接在220V电源上工作,为了保证正常工作,试问要串入多大电阻值?
这样连接工作在经济上与否合理?
7.已知电路如图所示,US=18V,RO=4Ω,求RL为什么值时,负载获得功率最大,并求出最大功率。
8.电路如图所示,设t<0时,电路已达稳定,在t=0时,开关K由位置1转到位置2,与具备R1电压源E相接通。
求电容电压υc(t)变化规律,并画出波形。
9.描述逻辑电路方称为F=AB+,试写出它真值表,画出逻辑电路图。
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答案:
一、填空题
1.电压源电流源2.半导体3.随机存取只读4.能量信号5.2
6.发射极集电极7.存储容量存取时间8.1KΩ9.10010.101
10.ABC
二、选取题
1.B2.D3.A4.C5.D
三、分析计算题
1.解:
在计算时注意电阻元件上与否有电流流过,由于E2、R2以及E1没有构成回路,因此它们中没有电流流过,各点电位为:
Vb=Vbo=E2=10V
Vc=Vco=Vcb+Vbo=-5V+10V=15V
Va=Vao=Vab+Vbo=-I*R3+Vbo=6V
2.解:
依照输入输出波形关系列真值表,如表所示。
由此写出函数F逻辑表达式为
F=A+B
于是,实现F逻辑图如图所示:
3.解:
I=(16V+4V)/(4Ω+1Ω+3Ω)=2.5A
4.解:
由于I1r1+VAB=E1因此I1=(110-90)/10=2A
由于I2r2+VAB=E2因此I2=(110-90)/5=4A
由于I1+I2=I因此I=2+4=6A,RL=90/6=15Ω
5.解:
Vo(t)波形如图所示:
6.解:
串联电阻R=269Ω串联电阻功率P=45W
当电烙铁在正常工作时,串入电阻也消耗功率,并等于45W,因而这种工作方式,在电路上是可行,但从经济上考虑其效率只有50%。
7.解:
由图可知,当RL=R0=4Ω时,负载获得最大功率
Pmax=Us2/4R0=182/(4*4)=20.25W
8.解:
由于υc(0-)=0V因此υc(0+)=0V
9.解:
F真值表和逻辑电路图如下:
一、填空题(每题2分,共20分)
1.基尔霍夫定律涉及()和()两某些。
2.二极管()导电性,应用范畴很广,可用于整流、检波、限幅等。
3.用二进制异步计数器从零计到十进制数178,则最大需要()个触发器。
4.电阻律ρ可以用电阻R,电阻材料长度L,横截面积S表达,表达式为(),ρ国际单位是()。
5.为获得一种电压控制电流源,应选()负反馈电路。
6.函数F=,当变量取值状况为()时不会浮现冒险现象。
7.已知某存储器芯片容量为32KB,则它地址线为()根,数据线为()根。
8.当电容两端电压不随时间变化时,电容电路中电流为()。
这时直流电路可视为()。
9.国内民用交流电电压有效值是220V,频率为(),它最大值为(),瞬时值表达式μ(t)=()。
10.某存储器具备8根地址线和6根双向数据线,则该存储器容量为()。
二、单项选取题(每小题2分,共10分)
1.在同相和反相比例运算电路中,()相比例电路反相输入端为虚地点;()相比例运算电路中运放两个输入端对地电压基本上等于输入电压。
A.同同B.同反
C.反同D.反反
2.8位DAC工作在参照电压Vaf=10V时,最低输出电压为()。
A.5mVB.10mV
C.20mVD.40mV
3.N极反馈移位寄存器状态数为()。
A.nB.2n+1C.2nD.2n-1
4.已知整流二极管反向击穿电压为20V,按普通规定,此二极管最大整流电压为()?
A.20VB.15VC.10VD.5V
5.用()电路构成模8计数器译码逻辑电路最简。
A.环形计数器B.同步计数器
C.异步计数器D.扭环形计数器
三、分析计算题(共70分)
1.在下图所示电路中,求电路最大输出功率。
(RL=8Ω)
2.已知电路如下图所示,画出其状态转换图。
3.设A、B、C、D代表四个二进制数码,且X=8A+4B+2C+D。
试写出1≤X≤9判断条件。
4.在图示电桥电路中,若调节变阻器滑动触头C,使电压表读数为零,试求Rx值(电压表内阻影响忽视不计,R=120Ω,R1=R2=20Ω)。
5.图示是一电阻分压电路,电源电压V=30V,滑线电阻R=200Ω,当负载RL不接时Vab=15V,若电源电压V保持不变,试问:
(1)当负载RL接入后,测得流过RL中电流为100mA,这是Vab等于多少伏?
(2)若仍需要保持负载RL两端电压为15V,滑线电阻活动触头应位于何处(即求出ab间电阻值)?
6.若要对余3循环码进行传播,为了检测在传播过程中与否有错,在发送端将形成一位监督码元S。
试写出该余3循环BCD码奇校验位So和偶校验位Se真值表。
7.已知电路如图所示,在开关K打开状况下,a、b两点之间等效电阻。
8.纯电阻负载MOS倒相器如图所示,已知NMOS管启动电压VTN=4V,导通电阻ROS=500Ω,输入低电平为0,高电平为12V,试求NMOS管在高、低电平作用下管子工作状态和相应输出电压VO。
9.判断图示电路是时序电路还是组合电路?
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答案:
一、填空题
1.基尔霍夫电压定律基尔霍夫电流定律2.单向3.8 4.
Ωm 5.电流串联6.B=C=07.15 8
8.零断路9.311V
二、选取题
1.C2.D3.C4.B5.A
三、分析计算题
1.解:
最大输出功率为1W。
2.
3.解:
设函数F2=1时,满足1≤X≤9条件,否则F2=0。
4.解:
Rx=80Ω
5.解:
(1)Vab=10V
(2)Rab=141Ω
6.解:
7.解:
Rab=2.2Ω
8.解:
当Vi=0时,Vo=12V,T截止
Vi=12V时,Vo=0.57V,T导通
9.解:
F表达式是:
由F表达式看出,输出函数F不但与该时刻输入A、B关于,并且还与D关于,而D又取决于此前时刻输入值,故此电路是一种时序电路。
一、填空题(每题2分,共20分)
1.电路由能路、()和()三种工作状态。
2.场效应管按其构造不同分为()场效应管和()场效应管。
3.当P型半导体和N型半导体发生接触,在中间某些将产生(),会浮现一种由PN结自身建立电场,自建电场方向由()指向()。
4.将一种包具有16384个基本存储单元存储电路设计成8位为一种字节ROM,该ROM有()个地址,有()个数据读出线。
5.负反馈放大电路构造由()和()两某些构成。
6.在直流电路中,直流电源电动势或电流()和()保持不变。
7.有两个电阻,其中一种比另一种电阻值大得多,在串联时,两个电阻中阻值较()那个电阻作用可以忽视。
8.测得工作在放大区晶体三级管三个电极电位分别为+2.5V,+8V,+2V,则此管为()型()管。
9.为充分提高负反馈效果,当信号源为高内阻电流信号源,若规定放大电路电压稳定,应选()负反馈电路。
10.十六进制数9D.12转换为二进制数为()。
二、单项选取题(每小题2分,共10分)
1.某仪表放大电路,规定Ri大,输出电流稳定,应选()。
A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈
C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈
3.按存储介质不同来划分,存储器分为()。
A.随机存取存储器RAM和只读存储器ROM
B.磁存储器和光存储器
C.半导体存储器、磁存储器和光存储器
D.半导体存储器和光存储器
4.某放大电路在负载开路时输出电压为4V,接入12KΩ负载电阻后,输出电压为3V,这阐明放大电路输出电阻为()
A.2KΩB.3KΩC.4KΩD.10KΩ
5.负反馈放大电路产生自激震荡条件是()。
A.AF=0B.AF=1
C.AF=∞D.AF=-1
三、分析计算题(共70分)
1.在下图所示电路中,R1=6Ω,R2=R5=4Ω,R3=R4=8Ω,E=12V,I1=1A,I2=I3=0.5A,试求各点电位,并从电位求电压Vcd。
(选取F点为参照点)
2.求下图函数表达式,将其化简为与或表达式。
3.已知电路如下图所示,其中Vcc=12V,RB=200K?
,RE=RL=RS=3KΩ,β=40,求输入电阻ri和输出电阻ro。
4.电路如下图(a)、(b)中,设开关闭合为1,断开为0,灯亮为1,灯灭为0,试写出灯亮逻辑表达式。
5.如下图所示主从JK触发器,加入周期性时钟脉冲,设Q初始状态为0,试画出每个触发器Q端波形。
6.试求图示电路中Vab值。
7.写出如下图所示门电路逻辑表达式。
8.用两输入端与非门实现函数:
9.分析下图所示电路状态变化规律。
(设初态均为0)
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答案:
一、填空题
1.开路短路2.结型绝缘栅3.自建电场N区P区
4.204885.基本放大电路反馈电路6.大小方向7.小
8.NPN硅9.电压并联10.(10011101.0001001)
二、选取题
1.A2.A3.C4.C5.B
三、分析计算题
1.解:
选取F点为参照电位点,即VF=0,则
电压VCD即为C点和D点电压差,VCD=VC–VD=4–2=2V
2.解:
3.解:
4.
5.解:
6.解:
7.
8.解:
由卡诺图化简,得
9.解:
状态真值表如下:
一、填空题(每题2分,共20分)
1.叠加原理是应用()性质分析电路一种重要原理,它合用于()线性电路。
2.两个电容C1和C2串联后,总电容大小变为()。
并联后总电容大小变为()。
3.深度饱和时,硅管UCE约为()V,锗管UCE约为()V,由于深度饱和时,UCE约为0,晶体管在电路中犹如一种闭合开关。
4.场效应晶体管有很高()电阻,因而功耗小,体积小,易于集成化。
5.已知反馈放大器A=1000,反馈系数F=0.009,则Af=()。
6.电路中汇聚三条或更多条导线端点称为(),连接任意两节点之间某些电路成为()。
7.电容容抗可以用角速度w和电容C表达为()。
电感感抗可以用角速度w和电感L表达为()。
8.用直流电压表测得放大电路中晶体管T各电极对地电位分别为V1=+3.6V,V2=+3V,V3=+11V,则此管为()型()管。
9.三极管重要性能参数有共射极电流放大系数(),极间反向饱和电流()。
10.ROM存储器是由()、()和读出电路三某些构成。
二、单项选取题(每小题2分,共10分)
1.图示电路中,A点电位VA应为()。
A.-10VB.-6V
C.-5VD.0V
2.外加()电压时,P区接电源正极,N区接负极,空间电荷区变()。
A.反向窄B.反向宽C.正向窄D.反向宽
3.图示电路稳定后,()状况绝不会浮现。
A.QA=QB=0B.QA=0QB=1C.QA=1QB=0D.QA=QB=1
4.图示电路中,6Ω电阻消耗功率P为()。
A.2WB.3W
C.4WD.6W
5.一种16选1数据选取器,其地址输入端有()
A.4B.2
C.1D.16
三、分析计算题(共70分)
1.运用支路电流法求图示电路中各支路电流。
已知E1=12V,E2=9V,E3=8V,R1=6Ω,R2=3Ω,R3=1Ω。
2.已知电路如下图所示,写出电路状态方程和输出方程(设触发器初始状态均为0)。
3.用节点电压法求解如图所示电路中节点a和b电压。
4.图示电路中,已知E2=40V,R2=10Ω,R1=4Ω,R3=40,试求:
(1)若使电流I1=0时,电动势E1值为多大?
(2)若使电流I2=0时,E1又为什么值?
校验上述三种状况下电路功率与否平衡。
5.结型场效应管构成模仿开关如图所示,视D为抱负二极管,设输入信号vi在-5V到+5V之间变化,管子夹断电压vp=-4V。
(1)欲在取样脉冲高电平VcH期间,使输出电压Vo=Vi(传播信号),试求取样脉冲Vc高电平最小值VcHmin。
(2)欲在取样脉冲低电平VcL期间,使输出电压Vo=Vi(不传播信号),试求取样脉冲Vc低电平最大值VcLmax。
6.今有一种额定电压VN=110V,功率PN=45W电烙铁,要接在220V电源上工作,为了保证正常工作,试问要串入多大电阻值?
这样连接工作在经济上与否合理?
7.已知电路如图所示,US=18V,RO=4Ω,求RL为什么值时,负载获得功率最大,并求出最大功率。
8.电路如图所示,设t<0时,电路已达稳定,在t=0时,开关K由位置1转到位置2,与具备R1电压源E相接通。
求电容电压υc(t)变化规律,并画出波形。
9.
描述逻辑电路方程为
试写出它真值表,画出逻辑电路图。
=========================
答案:
一、填空题
1.线性各种独立源作用
3.0.30.14.输入或输出
5.1006.节点支路
7.1/WCWL8.NPN硅管
10.地址译码驱动器存储矩阵
二、选取题
1.C2.C3.C4.D5.A
三、分析计算题
1.解:
对节点A列KCL方程有:
3.解:
由节点方程
4.解:
由题意,得到下列一组方程:
5.解:
(1)为使Vo=Vi,则规定二极管D是截止,故VcHmin=ViH=+5V
(2)为使Vo=0,则规定二极管D是导通,故
VcLmax=-(|ViL|+|Vp|)=-9V
6.解:
7.解:
R=4Ω
Pmax=U2/4R=882/(4*4)=484W
8.解:
由于υc(0-)=0V 因此υc(0+)=0V
9.解:
F真值表和逻辑电路图如下:
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