模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准.ppt
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模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准.ppt
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西电微电子:
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目的:
建立与电源和工艺无关,具有确定温度特性的直流电压和电流。
形式:
与绝对温度成正比(PTAT)常数Gm特性与温度无关,西电微电子:
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