绝缘栅双极型晶体管IGBT测试方案Word文档下载推荐.docx
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1概述
1.1编写目的
为了保证能正确地验证绝缘栅双极型晶体管IGBT的使用性能,特编制本方案。
1.2测试依据及标准
本方案主要遵循的国家标准为:
GBT17007-1997绝缘栅双极型晶体管测试方法。
2产品描述
2.1基本参数
名称
参数
集电极-发射极电压
连续集电极直流电流
集电极重复峰值电流
总损耗
栅极-发射极峰值电压
集电极-发射极饱和电压
栅极阈值电压
栅极电荷
内部栅极电阻
输入电容
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反向传输电容
12
集电极-发射极截止电流
13
栅极-发射极漏电流
14
开通延时时间
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上升时间
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关断延时时间
17
下降时间
18
开通损耗
19
关断损耗
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短路数据
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结-壳热阻
22
壳-散热器热阻
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25
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3测试项目
根据国标中的要求,电容器的测试应满足下表中的要求,有特殊定制时应特别说明。
测试项目
出厂试验
型式试验
厂内可测试项
第三方测试项
栅极-发射极阈值电压
√
开通时间、开通延时时间、上升时间
关断时间、关断延时时间、下降时间
输出电容
反相传输电容
结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗
栅极-发射极短路时集电极-发射极电压
集电极-发射极短路时删极-发射极电压
4测试方案
4.1栅极-发射极阈值电压
试验目的:
验证栅极-发射极阈值电压。
试验方法:
1)按下图搭建试验测试平台
G1、G2-可调直流源;
V1、V2-直流电压表;
A-直流电流表;
2)调节电压源G2至规定的集电极-发射极电压;
调节电压源G1,从0开始逐渐增加栅极-发射极间的电压,使电流表A显示出规定的集电极电流值时,电压表V1的显示值即为被测元器件的栅极-发射极阈值电压。
合格标准:
测量值符合厂家所提供的技术规格书。
测试地点:
备注:
4.2栅极-发射极漏电流
在规定条件下,测量器件在集电极-发射极短路条件下的栅极-发射极漏电流。
1)按下图搭建试验平台。
G-可调直流电压源;
V1,V2-直流电压表;
R-测量电阻器。
2)调节电压源,使栅极-发射极电压V1达到规定值。
从V2读出V,则栅极-发射极漏电流为V2/R。
备注:
4.3集电极-发射极截止电流
在规定条件下,测量器件在栅极-发射极短路时的集电极-发射极截止电流。
1)按下图搭建测试平台
G-可调电压源;
V-高阻抗直流电压表;
R-限流电阻器。
2)调节电压源G,从零开始逐渐增加集电极-发射极间的电压到电压表V显示出规定值,即可从电流表A读取集电极-发射极截止电流。
4.4集电极-发射极饱和电压
在规定条件下,用脉冲法测量器件的集电极-发射极饱和电压。
G1-栅极可调脉冲电压源;
G2-可调直流电压源;
M1-测量栅极-发射极峰值电压示波器;
M2-指示被测器件导通器件电压的示波器;
M3-集电极电流测量示波器;
R3-取样电阻器;
R1-栅极回路电阻器;
R2-集电极负载电阻器。
2)调节栅极脉冲电压源G1,使M1电压指示为规定值。
调节集电极电流为规定值,指示,从示波器M2稳定波形平坦部分读取集电极-发射极饱和电压值。
4.5开通时间、开通延时时间、上升时间
在规定条件和阻性负载条件下,测量器件的开通时间、开通延时时间、上升时间。
G1-低内阻矩形脉冲发生器;
R1-栅极无感电阻器;
RL-负载无感电阻器;
M-双踪示波器。
2)调节G1、G2使栅极脉冲电压幅值和集电极电流幅值分别达到规定值,从示波器M显示的栅极-发射极电压Vge和集电极电流Ic的波形上,读出各个时间。
4.6关断时间、关断延时时间、下降时间
在规定条件和阻性负载条件下,测量器件的关断时间、关断延时时间、下降时间。
2)施加规定的栅极电压Vge1,逐渐增加集电极电源G2的电压,是集电极峰值电流Icm达到规定值。
然后施加反向栅极电压Vge2。
在示波器是读取时间。
4.7输入电容
在规定条件下,测量器件的输入电容。
1)按下图搭建测试平台。
CB-电容测量仪器;
G-直流可调电压源;
R1、R2、R3-直流偏置电阻;
C1-隔直电容;
C2-交流短路电容
2)把G的电压和测试频率设为规定值,在电容测量仪CB读出电容测量值Cx,则输入电容
Cies=(1/Cx-1/C1)-1。
4.8输出电容
在规定条件下,测量器件的输出电容。
1)按下图搭建试验平台
CB-电容测量仪;
R1、R2-直流偏置电阻;
C-隔直电容
2)把G的电压和测试频率设为规定值,在电容测量仪CB读出电容测量值Cx,则输入电容
Coes=(1/Cx-1/C)-1。
4.9反相传输电容
在规定条件下,测量器件的反向传输电容。
Cres=(1/Cx-1/C)-1。
4.10关断耗散能量和关断耗散功率
在感性负载下,确定器件单脉冲关断耗散能量和关断耗散功率。
G2-可调直流源;
D-钳位二极管;
L-负载电抗器;
R1-栅极电阻器;
R2-电流测量电阻器;
2)调节G1和G2使集电极-发射极电源电压Vcce和输入直流脉冲幅值Vggm为规定值。
双踪示波器M上显示出集电极电流Ic,集电极-发射极电压Vce的波形。
3)则单脉冲关断耗散能量为Ic与Vce乘积与时间的积分。
4)任意重复频率下的关断耗散功率等于该频率与关断耗散能量的乘积。
4.11结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗
用器件栅极-发射极阈值电压作为热敏参数测量其结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗。
G1/G2-可调直流电流源;
S-电子功率开关;
D1、D2、D3-隔离二极管;
R-电流测量电阻器。
2)在较小测量电流Ic1时确定集电极-发射极阈值电压的温度系数Ct,将器件放入烘箱中,依次加热至温度T1和T2(T2>
T1)。
在热平衡的条件下,从电压表V1读取相应的栅极-发射极电压Vge1和Vge2,则温度系数Ct=(Vge1-Vge2)/(T2-T1)。
3)用器件对内部耗散功率阶跃变化的响应测量结-壳热阻Rjc。
将器件固定在散热体上,测量管壳温度Tc1,测量小电流Ic1下的栅极-发射极电压Vge3。
接通电子开关S,调节G2,在Ic1上叠加接近器件额定集电极电流Ic2。
达到热平衡后,测量集电极-发射极电压Vce。
且保持管壳温度Tc=Tc2=常数。
然后切断Ic2,立即测量在同一Ic1时的栅极-发射极电压Vge4。
则热阻Rjc=(Tvj-Tc)/(Vce*Ic2);
瞬时器件的等效结温Tvj=Tc1+(Vge3-Vge4)/Ct。
4)用上述测量热阻的方法,在器件流过Ic2且达到热平衡后,测量集电极-发射极电压Vge和管壳温度Tc2。
然后用S切断Ic2,再测量在Ic1条件下的栅极-发射极电压不同时刻的Vge4(t)和对应的管壳温度Tc(t),计算得出Zjc(t)的值。
Tvj(t)=Tc1+(Vge3-Vge4(t))/Ct。
Zjc(t)=((Tvj(0)-Tc(0))-(Tvj(t)-Tc(t))/(Vce*Ic2)。
4.12栅极-发射极短路时集电极-发射极电压
在规定条件下,检验器件在栅极-发射极短路时集电极-发射极电压Vces。
R-限流电阻器;
V-直流电压表。
2)使器件达到规定的壳温。
调节电压源G1,使器件的集电极-发射极电压达到规定值,
集电极电流小于或等于规格书所标称值。
4.13集电极-发射极短路时删极-发射极电压
在规定条件下,检验器件在集电极-发射极短路时删极-发射极电压Vges。
调节电压源G1,观察电压表V的读书,使栅极-发射极电压达到规定值。
栅极漏电流小于或等于规格书所标称值。
5参考文件
可写
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- 关 键 词:
- 绝缘 栅双极型 晶体管 IGBT 测试 方案