职高电子技术判断题Word格式文档下载.docx
- 文档编号:13524992
- 上传时间:2022-10-11
- 格式:DOCX
- 页数:45
- 大小:70.20KB
职高电子技术判断题Word格式文档下载.docx
《职高电子技术判断题Word格式文档下载.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《职高电子技术判断题Word格式文档下载.docx(45页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
( )
*10103009 在N型半导体中,电子是多数载流子,所以N型半导体带负
电。
( )
□10104010 当N型和P型半导体结合在一起时,由于浓度差的存在,使P区的电子向N区扩散,使N区的空穴向P区扩散,这称为多数载流子的扩散运动。
( )
□10104011将P区接电源正极,N区接电源负极,此时PN结处于反偏状态。
□10104012 PN结正偏时,多数载流子运动加剧,形成较大的正向电流。
( )
10104013PN结反向偏置时内电场削弱,阻挡层变薄,电阻变小。
10104014PN结正向偏置时内电场增强,阻挡层变厚,电阻变大。
10105015PN结的单向导电性就是指它正偏导通,反偏截止的特性。
*10105016PN结反向偏置时,反向电流随着反向电压增大而增大。
□10201017 一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
( )
□10201018 晶体二极管的正向导通后,随电流的增大电压也成比例
地上升。
( )
*10201019晶体二极管是线性元件。
10201020硅二极管的死区电压是0.2V,锗的死区电压是0.5V。
10201021晶体二极管正常工作时的管压降都是0.7V。
10201022晶体二极管加上正向电压后就会导通。
*10201023晶体二极管一旦反向击穿就不能再使用。
10201024晶体二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。
10201025二极管具有单向导电性。
□10202026 由二极管的单向导电特性可知,它的正向电阻小,反向电阻大。
*10202027二极管的正向电阻是随外加电压的变化而变化的。
□10203028 点接触型晶体二极管允许通过电流大于面接触型晶体二极
管。
( )
10203029小电流的二极管常用玻璃壳或塑料壳封装;
电流较大的二极管常用金属外壳封装。
*10204030 用机械万用表测二极管正向电阻时,应将万用表的红表棒接
二极管的正极,黑表棒接二极管的负极。
( )
10204031用万用表测得一个二极管的正反向电阻都是无穷大,则
二极管已经短路。
□10205032 硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小,所以硅二极管的温
度特性比锗二极管好。
10205033在整流电路中,一般采用点接触型晶体二极管。
□10206034一般取击穿电压的一半作为晶体二极管的最大反向工作电压。
( )
□10206035 晶体二极管反向击穿后立即烧毁。
( )
*10206036把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管两端,此二极管就会被击穿。
10206037当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;
当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。
10206038如果二极管的正反向电阻都很大,则该晶体二极管已被击穿。
*10220039 在图一所示电路中,晶体二极管为硅管或锗管均不能导通。
□10301040 晶体三极管由二个PN结构成,晶体二极管由一个PN结构成,所以可以由二个晶体二极管构成一个晶体三极管。
( )
□10301041 晶体三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。
( )
*10301042NPN型三极管处于放大状态时各极电位关系应满足UC>UB>UE。
*10301043PNP型三极管的各极电位关系为UC>UB>UE,则该三极管处于截止状态。
*10301044一个PNP型硅三极管各极对地电位为:
4V、4.3V、3.6V,则该三极管工作在饱和状态。
□10302045 常温下,硅晶体三极管的UBE约为0.7V,且随温度升高而增大。
□10302046 在晶体三极管发射结上加正偏电压时,就会产生基极电流。
( )
10302047三极管输入特性是指三极管的集电极和发射极之间的电压一定,加在基极和发射极之间的电压和基极电流之间的关系曲线。
()
□10303048 晶体三极管工作在放大状态的条件是:
集电结正偏,发射结反偏。
( )
10303049晶体三极管的输出特性可分为三个区域:
截止区、放大区和饱和区。
10303050在三极管输出特性曲线中,当IB=0时,IC等于ICBO。
10303051晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流随基极电流的增加而增加。
10303052发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。
10303053三极管的穿透电流不受基极控制,与放大无关。
10303054一般说来晶体三极管的电流放大系数β随温度升高而减小。
10303055发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。
10303056晶体三极管的交流放大系数表示为β=IC/IB,它不随工作点改变而改变。
*10303057晶体三极管的发射结和集电结都是PN结,因此,发射极和集电极可以互换使用。
10303058晶体三极管穿透电流的大小不随温度变化。
10303059晶体三极管不允许工作在过损耗区。
10304060三极管的放大作用就是把小电流放大成大电流。
*10304061某晶体三极管的IB=10µ
A时,IC=0.44mA;
当IB=20µ
A时,
IC=0.89mA,则它的电流放大系数β=45。
()
10304062三极管放大作用的实质是用较小的电流控制较大的电流。
*10304063 测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别是
–9V,-6V和-6.2V,则这个晶体三极管是NPN型锗管。
*10305064以万用表的黑笔为准,用红笔分别接三极管的另外二个脚,如果测得两个阻值均较小,则该管为PNP型。
□10305065 用万用表测得晶体三极管任两脚间的电阻均很小,说明该晶体三极管的二个PN结都已烧毁。
*10305066以万用表的黑笔为准,用红笔分别接三极管的另外二个脚,如果测得两个阻值均较大,则该管为NPN型。
()
10401067根据MOS管的图形符号不仅可以识别这个MOS管是N沟道
的还是P沟道,而且还可识别出它是耗尽型的还是增强型的。
□10402068 绝缘栅场效应管的栅极与源极和漏极之间是相互完全绝缘
的。
( )
10402069MOS管的一个突出优点是输入电阻高。
□10403070 场效应管是以栅源电压控制漏极电流。
10403071UGS的微小变化可以引起输入电压UDS较大变化,这就是结型
场效应管能进行电压放大的原理。
*10403072场效应管的漏极和源极通常制成对称的,只要产品源极与衬
底没有连在一起,那么漏极和源极就可互换使用。
10403073在N沟道增强型MOS管中,如果UGS=0,那么就不存在导电
沟道。
*10403074夹断电压UP和开启电压UT的正负性与导电沟道类型无关。
□10403075 晶体三极管是电流控制型器件,而场效应管是电压控制型器
件。
10501076稳压二极管的正常工作区为PN结的反向击穿区。
10501077稳压管的反向电流在一定范围内变化时,稳压管端的电压几
乎不变。
□10502078 开关二极管与普通二极管的不同之处是它的反向电阻极大。
10502079硅开关二极管开关时间极短,仅需几个纳秒。
□10503080 变容二极管具有显著的变容效应,其PN结的结电容会随着正
向电压的变化而变化。
*10503081变容二极管工作时应加反向电压,其PN结的结电容随反向
电压变化而变化。
10504082发光二极管发光的颜色与它所用的材料无关。
□10505083 光电三极管使用时集电极和发射极极性接反时,电路不能正
常工作。
*10505084光电二极管工作时加上正向电压,光电流随光照强度的增加
而上升。
□10505085 光电二极管和发光二极管使用时都应接正向电压。
*20101086 按放大器中三极管的连接方式来分,有共射极、共基极和共集电极放大器等,其中只有电流放大作用而无电压放大作用的是共射极接法。
20101087放大电路中三极管连接方式可分为共射极,共基极二种。
□20102088 在单管放大电路中若电源电压不变,只要变化集电极电阻的
值就可以改变集电极电流的值。
*20102089放大器不设静态工作点时,由于三极管的发射结有死区和三
极管输入特性曲线的非线性会产生失真。
20102090合理设置放大器的静态工作点,就可以防止电路产生失真现
象。
20102091放大器中晶体三极管静态工作点是指IBQ,ICQ和UCEQ。
□20103092 共发射极放大电路中,集电极电阻的作用是将三极管的电流
放大作用以电压放大的形式表现出来。
20103093低频放大电路放大的对象是电压、电流的平均值。
20103094低频放大电路放大的对象是电压,电流的变化量。
20103095选择合适的基极偏置电阻RB就可以使三极管有合适的静态工
作点。
*20103096在共发射极放大电路中,集电极负载电阻RC=0时,输出电压
不一定等于零。
20103097共发射极放大电路中的耦合电容C1、C2的作用只有一个,就
是保证输入和输出信号畅通地传输。
□20104098 共射极放大电路输出电压和输入电压相位相反,所以该电路
有时被称为反相器。
*20104099放大电路工作在动态时,为了避免失真,发射结电压直流分
量和交流分量应相等。
20104100共发射极放大电路输出电压和输入电压相位相反,所以它
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 职高 电子技术 判断