光伏电池材料.docx
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光伏电池材料.docx
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光伏电池材料
一、单项选择题(共10道试题,共20分。
)
题目1
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
一般热处理时的原子扩散主要与()有关
A.位错
B.晶界
C.空位
D.以上都不是
题目2
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
关于二氧化硅以下说法错误的是()
A.SiO2不溶于水,但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐,反应较快
B.能与HF反应
C.制造冶金硅的主要原料之一
D.石英是地壳中分布很少的矿物
题目3
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
硅晶体的解理面有()
A.{111}晶面和{100}晶面
B.{112}晶面和{110}晶面
C.{111}晶面和{110}晶面
D.{110}晶面和{100}晶面
题目4
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
多晶硅属于()
A.金刚石结构
B.简单立方结构
C.面心立方结构
D.体心立方结构
题目5
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
正温度梯度与负温度梯度相比,()。
A.负温度梯度有利于完整晶体的生长
B.正温度梯度容易产生枝晶生长
C.正温度梯度是指液相温度随离液-固界面的距离增大而降低
D.正温度梯度时结晶潜热只能通过固相而散出,相界面的推移速度受固相传热速度所控制
题目6
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
西门子法作为硅的提纯工艺,所用的原料主要是()
A.95%-99%的冶金级硅
B.99.999999999%(11个9)的为电子级硅
C.P型硅半导体
D.99.9999%(6个9)的为太阳能级硅
题目7
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
关于四氯化硅以下说法错误的是()
A.可以经吸入、食入、经皮吸收,对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
B.不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
C.无色而有刺鼻气味的液体
D.熔点-70℃,沸点57.6℃
题目8
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
以下()不是自然界中的硅同位素。
A.28Si
B.30Si
C.32Si
D.29Si
题目9
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
关于位错密度说法错误的是()。
A.是单位体积晶体中所包含的位错线总长度
B.通常情况下制得位错密度较小的材料
C.也可理解为穿越单位截面积的位错线的数目
D.位错密度大或小,相应材料的力学性能均较佳
题目10
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
漂晶现象的原因在于()。
A.过冷度太大
B.籽晶太小
C.杂质太多
D.液面上这些位置不能保持正驱动力关于三氯氢硅说法正确的是()。
A.可由硅粉与氯化氢合成而得
B.无色透明液体
C.熔点-128℃,沸点31.5℃
D.可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅
题目12
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
关于单晶硅的晶体结构说法正确的是()。
A.共价键的方向性使得每个硅原子都和周围4个最近邻的原子组成一个正四面体
B.硅原子所有价电子都被束缚在共价键上,没有自由电子,所以不是导体
C.共价键的饱和性使得硅最多只能形成4个共价键
D.硅原子轨道杂化以后,在sp3轨道上有4个未成对的价电子
题目13
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
关于点缺陷说法错误的是()。
A.点缺陷使得固体内原子扩散更容易进行
B.空位越多,晶体的密度越低
C.点缺陷使得滑移更容易进行
D.金属中的点缺陷增加了电阻
题目14
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
硅在自然界主要以()形式存在。
A.石英砂
B.硅单质
C.白炭黑
D.硅酸盐
题目15
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
下列属于晶体的宏观特性的有()
A.解理性
B.各向异性
C.长程有序
D.固定熔点
题目16
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
不能用于区分晶体与非晶体的是()
A.密度的大小
B.是否具有确定的熔点
C.原子排练是否有序
D.熔点的高低
题目17
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
金刚石结构的晶胞中原子数为(),配位数为()。
A.4、4
B.8、4
C.12、4
D.8、8
题目18
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
关于临界晶核说法错误的是()。
A.晶胚的尺寸大于临界晶核,晶胚就成为稳定的晶核而后继续长大
B.均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同
C.临界半径与过冷度ΔT无关
D.当晶胚的尺寸小于临界晶核,晶胚不稳定,难以长大,最终熔化而消失
题目19
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
关于白炭黑说法准确的是()。
A.具有化学惰性不会与硫化而引入的过氧化物反应
B.非常细小颗粒和极大的表面积
C.硅氧烷橡胶里的主要增强填料
D.白碳黑是在特殊设计的炉子里在1370K下用四氯化硅在氧气流经过气相氧化制得的
题目20
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
采用适当的原料配比,都能得到解决或部分解决是()。
A.晶体冷却时越过溶线引起脱溶沉淀
B.在固液两相区内生长晶体或是配料偏离同成分点时温度波动导致固相成分波动引起生长条纹
C.晶体成分偏离理想配比引起点缺陷
D.由于组分过冷引起晶体的网络结构等三、判断题(共10道试题,共20分。
)
题目21
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
滑移的方向是与位错线平行的为刃型位错。
选择一项:
对
错
题目22
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
在常温下硅对多数酸是稳定的。
选择一项:
对
错
题目23
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
硅烷就是甲硅烷。
选择一项:
对
错
题目24
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
在半导体的P-N结中,浓度梯度形成的扩散作用与内建电场的电场力的作用达到平衡。
选择一项:
对
错
题目25
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
在常温下硅能与稀碱溶液反应。
选择一项:
对
错
题目26
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
硅是通过自由电子导电的,所以载流子就是自由电子。
选择一项:
对
错
题目27
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
甲硅烷的化学性质很活泼,有强的氧化性。
选择一项:
对
错
题目28
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
内能是随缺陷增加而增加的,所以空位越多越不稳定。
选择一项:
对
错
题目29
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
平衡状态下,位错密度随温度升高呈指数关系增加。
选择一项:
对
错
题目30
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
普通玻璃是无定形二氧化硅。
选择一项:
对
错
上一页四、配伍题(共10道试题,共30分。
)
题目31
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将硅材料与描述一一对应。
(1)电子级硅空白
(2)冶金级硅一一空白
(3)太阳能级硅一一空白
A.99.9999%B.99.999999999%C.95%‑99%
题目32
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将各种硅化合物与描述一一对应。
(1)二氧化硅一一空白
(2)三氯氢硅一一空白
(3)四氯化硅一一空白
A.沸点31.5℃,室温下无色透明液体B.可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到C.在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾
题目33
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将各种硅化合物与作用一一对应。
(1)二氧化硅一一空白
(2)三氯氢硅一一空白
(3)甲硅烷一一空白
A.可作为西门子法提纯硅材料的中间产物B.制造冶金硅的主要原料之一C.大量地用于制高纯硅,高温易热解
题目34
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将各种硅化合物与熔沸点一一对应。
(1)四氯化硅一一空白
(2)三氯氢硅一一空白
(3)甲硅烷一一空白
A.熔点‑185℃,沸点‑111.8℃B.熔点‑70℃,沸点57.6℃C.熔点‑128℃,沸点31.5℃
题目35
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将硅的用途与性质一一对应。
(1)二极管一一空白
(2)集成电路一一空白
(3)光电池一一空白
A.通过掩蔽、光刻、扩散等工艺,可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路B.可以把光能转化成电能C.制成晶体二极管后即能整流又能检波
题目36
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将晶体结构与晶胞中原子数一一对应。
(1)简单立方结构一一空白
(2)体心立方结构一一空白
(3)面心立方结构一一空白
A.4B.2C.1
题目37
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将晶体生长方式与实例一一对应。
(1)固相生长一一空白
(2)液相生长一一空白
(3)汽相生长一一空白
A.水汽凝结为冰晶B.盐水溶液结晶C.石墨在高温高压的条件下转变为金刚石
题目38
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将相图与特点一一对应。
(1)匀晶相图一一空白
(2)共晶相图一一空白
(3)包晶相图一一空白
两组元在液态、固态都无限互溶L→α+βL+α→β
题目39
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将晶体的特性与解释一一对应。
(1)各向异性一一空白
(2)长程有序一一空白
(3)解理性一一空白
A.晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质B.粒子排列具有三维周期性、对称性C.在不同方向上,晶体的物理性质不同,如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等
题目40
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将各类晶体缺陷与实例一一对应。
(1)点缺陷一一空白
(2)线缺陷一一空白
(3)面缺陷一一空白
吸附时不发生任何化学变化,是()。
A.化学吸附
B.以上皆不是
C.物理吸附
D.不可逆过程
题目2
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
晶体生长过程中产生的缺陷称为()。
A.二次缺陷
B.点缺陷
C.原生长缺陷
D.诱生缺陷
题目3
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
区熔法制备单晶硅时,需要()。
A.不需要坩埚
B.需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚
C.需要一个石英坩埚用于溶化
D.需要一个石墨坩埚
题目4
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
生产直拉单晶硅生产时,单晶炉内需要通入()作为保护气体炉体内通常是()。
A.常压的空气
B.低压的氩气
C.氧气低压的空气
D.低压的氮气氢气
题目5
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
()是生产太阳能级硅材料的主要技术。
A.冶金法
B.四氯化硅金属还原法
C.改良西门子法
D.二氧化硅高纯试剂还原法
题目6
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是()
A.取决于硼的含量
B.几乎无法效果去除
C.取决于温度效果显著
D.效果一般完全去除
题目7
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是()。
A.空位
B.杂质原子
C.位错
D.二次缺陷
题目8
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于()。
A.两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料
B.前者主要采用FZ硅,而后者主要采用CZ硅
C.后者采用直拉法或区熔法单晶硅,而前者不是
D.从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
题目9
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是()。
A.{100}面
B.{110}面
C.{101}面
D.{111}面
题目10
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
关于分子筛说法错误的是()。
A.分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴,提供了大量的比表面
B.也叫合成沸石
C.具有极性
D.对非极性分子具有较强的亲和力关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图,说法正确的是()。
A.被两条曲线分为三个区域
B.升温到气相线上,正好产生第一个气泡,故气相线又称为泡点曲线
C.降温到液相线,产生第一个液滴,故液相线称为露点曲线
D.降温到液相线上,正好产生第一个气泡,故液相线又称为泡点曲线
题目12
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
CZ法产生位错的环节和方式有()。
A.籽晶中的位错延伸、增殖
B.晶体表面存在温度梯度,产生很强的热应力
C.单晶冷却时,晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
D.籽晶表面损伤、机械磨损裂痕
题目13
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于()。
A.降低成本
B.方便安装
C.防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破
D.吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力,从而减少漏硅的危险
题目14
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
关于晶转说法正确的是()。
A.在某些晶转下,棱线或者小平面与直径的读取同步,引起直径的读值和拉速的大幅度跳动
B.晶体和坩埚的旋转方向相同,以改善热场的对称性
C.过高的晶转会使固液界的形状太凹
D.吊索和晶体出现共振时效果最好
题目15
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
磷在硅中很容易去除,在于()。
A.磷在硅中的分配系数小于1
B.磷的密度小
C.磷的熔点低
D.磷在硅熔液中很快得到蒸发
题目16
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
无坩埚区域提纯()。
A.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
B.也可用于晶体生长
C.避免了坩埚的污染
D.硅也能采用水平区域提纯法
题目17
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
工业硅生产过程中,要注意的是()。
A.及时捣炉,帮助沉料
B.及时调整配料比,保持适宜的SiO2与碳的分子比
C.保持料层有良好的透气性,及时排除反应生成的气体
D.通过选择合理的炉子结构参数和电气参数,保证反应区有足够高的温度
题目18
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括()。
A.区域提纯
B.中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅
C.中间化合物的合成
D.中间化合物的分离提纯
题目19
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
位错影响说法正确的是()。
A.刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子
B.位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心
C.刃型位错也可能作为一排受主
D.位错能够改变载流子浓度
题目20
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
直拉单晶炉的主室包括()。
A.石墨加热器
B.石墨坩埚
C.热绝缘筒和地盘
D.石英坩埚三、判断题(共10道试题,共20分。
)
题目21
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用,排出的废料极少。
选择一项:
对
错
题目22
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
改良西门子法是一个闭路循环系统,多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用,排出的废料极少。
选择一项:
对
错
题目23
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
只通过湿法冶金技术来提纯硅材料,是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。
选择一项:
对
错
题目24
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。
选择一项:
对
错
题目25
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
由于能量的原因,晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。
选择一项:
对
错
题目26
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比,前者的成本更低,但是电耗更多。
选择一项:
对
错
题目27
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。
选择一项:
对
错
题目28
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
改良西门子法的原料主要是硅石。
选择一项:
对
错
题目29
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。
选择一项:
对
错
题目30
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
化学提纯时,中间化合物提纯到所需要的纯度后,在后续的还原工艺要求不需要很高。
选择一项:
对
错
上一页将Cz法中的工艺与描述一一对应。
(1)缩颈生长一一空白
(2)放肩生长一一空白
(3)等径生长一一空白
A.减少位错B.硅片取材的部位C.肩部夹角接近180°,这样可以提高多晶硅的利用率
题目32
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将硅中的微小的缺陷与描述一一对应。
(1)红外散射缺陷(LSTDs)一一空白
(2)流水花样缺陷(FPDs)一一空白
(3)晶体原生颗粒缺陷(COPs)一一空白
A.随着拉速的增加而增加B.过饱和空位凝聚而成的空位团C.拉速越慢,LSTDs密度越低
题目33
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将氧的存在方式及其描述一一对应。
(1)热施主一一空白
(2)新施主一一空白
(3)氧沉淀一一空白
A.热处理温度处于550~850℃B.处理温度处于300~500℃C.适当的温度下进行热处理时会脱溶
题目34
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。
(1)保持适宜的SiO2与碳的分子比一一空白
(2)保证反应区有足够高的温度一一空白
(3)及时捣炉,帮助沉料一一空白
A.避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiOB.分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行C.防止过多的SiC生成
题目35
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将工业硅的应用与用量一一对应。
(1)生产合金一一空白
(2)有机硅一一空白
(3)半导体器件和太阳能电池一一空白
A.5%B.40%C.55%
题目36
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。
(1)O一一空白
(2)C一一空白
(3)B一一空白
A.1.25B.0.07C.0.8
题目37
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将工艺与提纯方法一一对应。
(1)硅烷法一一空白
(2)改良西门子法一一空白
(3)冶金一一空白
A.精馏B.吸附C.物理提纯
题目38
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将吸附的设备与工艺一一对应。
(1)流体和固体吸附剂置于同一容器内一一空白
(2)固定吸附床一一空白
(3)移动吸附器一一空白
A.半连续操B.连续操作C.间歇操作
题目39
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。
(1)O一一空白
(2)C一一空白
(3)N一一空白
A.危害大B.浓度低,影响小C.增强机械性能
题目40
还未回答
满分3.00
未标记标记题目
题干
将化学反应与作用一一对应。
(1)SiHCl3+H2→Si+3HCl一一空白
(2)Si+3HCl→SiHCl3+H2一一空白
(3)3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑一一空白
一、单项选择题(共10道试题,共20分。
)
题目1
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
用于测试硅片中少数载流子类型的测试是()。
A.四探针法
B.显微镜观察法
C.整流法
D.X射线法
题目2
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
目前最常用的硅片的尺寸为()。
A.100mm×100mm
B.125mm×125mm
C.210mm×210mm
D.156mm×156mm
题目3
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
硅的熔点约为()。
A.2200℃
B.800℃
C.1420℃
D.1200℃
题目4
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
铸造多晶硅现在通称为()。
A.以上都不对
B.mc-Si
C.fz-Si
D.cz-Si
题目5
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
一般制造一个重量为250~300kg的铸造多晶硅锭需要()时间。
A.25~35h
B.15~25h
C.35~45h
D.55~65h
题目6
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是()kWh。
A.以上都不对
B.8~15
C.3000%
D.18~40
题目7
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
题干
单晶硅片的电阻率一般控制在()。
A.2~4·cm左右
B.1~3·cm左右
C.0.5~2·cm左右
D.0.1~0.3·cm左右
题目8
还未回答
满分2.00
未标记标记题目
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