最新电大《光伏检测与分析》形考作业任务0104网考试题及答案Word最新版.docx
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最新电大《光伏检测与分析》形考作业任务01-04网考试题及答案
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最新电大《光伏检测与分析》形考作业任务01-04网考试题及答案100%通过考试说明:
《光伏检测与分析》形考共有4个任务。
任务1至任务4是客观题,任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷,直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷,就可以依据该套试卷答案答题。
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01任务01任务_0001一、单项选择题(共10道试题,共20分。
)1.缓冲剂一般是()。
A.强酸强碱B.弱酸弱碱C.弱酸D.弱碱2.一般认为利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在()的硅单晶。
A.小于1000Ω•cmB.1~1000Ω•cmC.大于1000Ω•cmD.以上皆不是3.目前国内外广泛接受()测量半导体硅单晶电阻率。
A.两探针法B.四探针法C.扩展电阻法D.范德堡法4.用冷热探笔法测量()半导体时,冷端带正电,热端带负电。
A.P型B.N型C.PN型D.以上皆不是5.半导体器件厂就是用确定型号的()来生产出所须要的半导体元件。
A.单晶B.多晶C.非晶D.以上皆不是6.漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷()。
A.大B.小C.一样大小D.未知7.()是半导体中最主要的缺陷,它属于线缺陷。
A.空位B.位错C.层错D.杂质沉淀8.()是最简洁的点缺陷。
A.空位B.填隙原子C.络合体D.外来原子9.三探针法属于利用半导体的()来测量导电类型的方法。
A.温差电效应B.整流效应C.以上二种皆可D.以上二种皆不行10.()是影响硅器件的成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和牢靠性的重要因素。
A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.微缺陷二、多项选择题(共10道试题,共30分。
)1.国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有()。
A.冷热探笔法B.三探针法C.单探针点接触整流法D.冷探笔法2.半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有()。
A.星形结构B.杂质析出C.系属结构D.点缺陷3.高频光电导衰退法的优点主要有()。
A.样品无需切割成确定的几何形态B.测量时不必制作欧姆电极C.样品较少受到污染D.应用广泛4.陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以接受()。
A.使整个样品加底光照B.加底光照后用氙灯闪光进行照射C.将硅单晶加热到50~70℃D.将硅单晶加热到60~80℃5.半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的()有干脆影响。
A.太阳能电池的光电转换效率B.晶体管的放大倍数C.开关管的开关时间D.太阳能电池的填充因子6.半导体硅的常用腐蚀剂主要有()。
A.Sirtl腐蚀液B.Dash腐蚀液C.Wright腐蚀液D.Shimmel腐蚀液7.直流光电导衰退法的缺点主要有()。
A.对样品有几何形态和几何尺寸的要求B.要求制备符合确定要求的欧姆接触C.测量下限较高D.仪器线路比较困难8.高频光电导衰退法的缺点主要有()。
A.仪器线路比较困难B.干扰比较大C.测试方法比较简洁D.依靠电容耦合9.半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有()。
A.点缺陷B.位错C.层错D.杂质沉淀10.稳态法测量非平衡少数载流子寿命,主要接受的方法有()。
A.光电导衰退法B.扩散长度法C.光磁法D.光脉冲法三、推断题(共10道试题,共20分。
)1.漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多,而数量上少两个数量级。
A.错误B.正确2.半导体的陷阱中心数量是变更的。
A.错误B.正确3.硅单晶在不同腐蚀液中,P型硅的电极电位比N型硅的高。
A.错误B.正确4.用冷热探笔法测量N型半导体时,冷端带负电,热端带正电。
A.错误B.正确5.腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。
A.错误B.正确6.测量半导体硅单晶导电类型时,通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。
A.错误B.正确7.用冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时,热探笔的温度要适当,以40~50℃为宜。
A.错误B.正确8.被腐蚀的半导体电极电位低的是负极,电极电位高的是正极,正级被腐蚀溶解。
A.错误B.正确9.半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行视察和计数。
A.错误B.正确10.当半导体内注入了非平衡载流子后,一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心,另一方面依靠表面能级作为复合中心。
A.错误B.正确四、连线题(共10道试题,共30分。
)1.将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。
(1)样品电阻率>1000A.样品电流<1
(2)样品电阻率30~1000B.样品电流<0.1(3)样品电阻率1~30C.<0.01
(1)C
(2)B(3)A2.将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。
(1)HCLA.冰醋酸
(2)HAcB.36%(3)H2O2C.30%
(1)B
(2)A(3)C3.
(1)A
(2)B(3)C4.将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。
(1)宏观缺陷A.杂质沉淀
(2)微观缺陷B.星形结构(3)表面机械损伤C.加工损伤
(1)B
(2)A(3)C5.将下列微观缺陷种类与说法一一对应。
(1)空位A.晶格点阵上的原子由于热运动或辐照离开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面
(2)填隙原子B.占据晶格空隙处的多余原子(3)络合体C.空位与杂质原子相结合而形成的复合体
(1)A
(2)B(3)C6.将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
(1)Shimmle腐蚀液A.10~15min
(2)Wright腐蚀液B.20min以上(3)Sirtl腐蚀液C.5min
(1)C
(2)B(3)A7.将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。
(1)样品电阻率<0.01A.样品电流<100
(2)样品电阻率0.01~1B.样品电流<10(3)样品电阻率1~30C.<1
(1)A
(2)B(3)C8.将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
(1)Sirtl腐蚀液A.10~15min
(2)Dash腐蚀液B.20min以上(3)Secco腐蚀液C.1~16h
(1)A
(2)B(3)C9.将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。
答题框中填写答案对应的选项即可
(1)冷热探笔法A.10-4~104Ω•cm
(2)整流法B.1~1000Ω•cm(3)两探针法C.1000Ω•cm以下
(1)冷热探笔法C
(2)整流法B(3)两探针法A10.将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。
(1)HFA.70%
(2)HNO3B.49%(3)H2O2C.30%
(1)B
(2)A(3)C02任务02任务_0001一、单项选择题(共10道试题,共20分。
)1.样品制备中选择样品厚度的原则是使吸取峰处的透射率为()。
A.10%-70%B.10%-80%C.20%-70%D.20%-80%2.直拉单晶中氧含量头部与尾部相比()。
A.较高B.相同C.较低D.无法推断3.双光束光栅红外分光光度计,测碳的辨别率应不大于()。
A.B.C.D.4.K系辐射线可以细分为及,他们辐射的强度比约为()。
A.1:
1B.2:
1C.3:
1D.4:
15.X射线剂量用伦琴表示,符号用r,依据国际放射学会议规定,一般人的平安剂量应为每周不超过()r。
A.0.2B.0.3C.0.4D.0.56.晶面间距可用字母d表示,以下哪项表达式为立方晶系的晶面间距()。
A.B.C.D.7.抛光时,抛光液HF与体积比为()。
A.1:
1B.1:
2C.1:
4D.1:
68.红外线通过样品时,对于硅单晶反射率R为()。
A.10%B.20%C.30%D.40%9.X射线在医疗诊断方面得到广泛应用,主要是依靠其()。
A.感光作用B.电离作用C.穿透性强D.衍射作用10.参比样品应不含有被测杂质,一般要求氧和碳原子含量在()以下。
A.B.C.D.二、多项选择题(共10道试题,共30分。
)1.抛光时对于样品表面有()要求。
A.无划道B.无浅坑C.无氧化D.无沟道2.以下()选项都须要考虑晶体取向的影响。
A.单晶材料制备B.单晶片的制备C.器件的制作D.管芯划片方向3.A.B.C.D.4.X射线的衍射法精确度高,它受以下()因素影响。
A.X射线束的发散性B.X射线束准直性C.转角鼓轮读数轮刻度的精度D.天气温度5.布喇格定律成立需满足以下()条件。
A.B.入射角等于反射角C.入射线反射线和反射晶面的法线在同一平面,且入射线和衍射线处法线两侧D.6.某样品受到红外线照射时,会产生以下()现象。
A.反射B.折射C.吸取D.透过7.硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下()。
A.光点定向仪B.光源C.光屏D.X光8.X射线主要有以下()性质。
A.感光作用B.荧光作用C.电离作用D.衍射作用9.X射线定向仪主要有以下()部分组成。
A.X射线发生部分B.X射线检测部分C.样品台D.转角测量部分10.样品加工主要包括以下()步骤。
A.取样B.研磨C.抛光D.连接电脑测试系统三、推断题(共10道试题,共20分。
)1.X射线是一种电磁波,与可见光相同,但波长要长得多。
A.错误B.正确2.晶向偏离度是指晶体生长方向偏离晶轴的角度。
A.错误B.正确3.激光照射和中子轰击等可以产生X射线。
A.错误B.正确4.晶体定向是探讨晶体各种物理性质的基础。
A.错误B.正确5.测定硅中碳含量时,必需运用差别法。
A.错误B.正确6.在硅单晶中,氧的分布以替位的形式存在。
A.错误B.正确7.氧和碳在硅晶体中都呈螺旋纹状分布。
A.错误B.正确8.硅单晶中掺杂杂质的溶度相比氧和碳来说相对较低。
A.错误B.正确9.较大的光照面积比较简洁得到要求的光学晶面。
A.错误B.正确10.在晶体取向的表示方法中,三条晶轴的依次按左手螺旋定则来确定。
A.错误B.正确四、连线题(共10道试题,共30分。
)1.
(1)C
(2)B(3)A2.将下列利用晶体外观来推断晶体生长方向的关系一一对应。
(1)[111]A)二条轴对称的棱线
(2)[100]B)三条轴对称的棱线(3)[110]C)四条轴对称的棱线
(1)B
(2)C(3)A3.
(1)C
(2)A(3)B4.
(1)C
(2)B(3)A5.由于晶胞参数关系,在立方晶体中,某些晶面和晶向是相互垂直的,请一一对应。
(1)[100]晶向A)[111]晶面
(2)[111]晶向B)[100]晶面(3)[110]晶向C)[110]晶面
(1)B
(2)A(3)C6.
(1)A
(2)B(3)C7.将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。
(1)X射线发生部分A)吸盘
(2)X射线检测部分B)X射线管(3)样品台C)盖革计数管和计数时率计
(1)B
(2)C(3)A8.
(1)B
(2)A(3)C9.
(1)A
(2)B(3)C10.
(1)B
(2)C(3)A03任务03任务_0001一、单项选择题(共10道试题,共20分。
)1.反渗透装置是超纯水治水系统中提纯的()部分。
A.预脱盐B.清洗C.软化D.维护2.超纯水制水处理系统再生部分选择()水泵。
A.高压B.低压C.耐酸碱的ABS水泵D.未知3.离子交换树脂是一种高分子化合物,是由()和活性基团两部分组成。
A.树脂的骨架B.阴树脂C.阳树脂D.碱性树脂4.对三氯氢硅中痕量杂质的分析接受蒸发法运用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量()水解物,对痕量杂质元素有吸附作用。
A.SiO2B.SiHC.HCLD.Si5.RO反渗透技术是利用()为动力的膜分别过滤技术。
A.吸附力B.离子交换C.电力D.压力差6.全自动软化过滤器设计过滤体材质选用()。
A.炭钢B.玻璃C.钢铁D.FRP增加玻璃钢内衬PE7.对三氯氢硅中痕量杂质的分析主要试剂盐酸是优级纯再经()提纯两次。
A.有机玻璃蒸发器B.石英亚沸蒸馏器C.聚四氟乙烯D.聚乙烯蒸馏器8.露点法测定气体中的水分职业中,本岗位存在的危急源是()。
A.液氮低温冻伤B.潜在氢气泄露引起的爆炸C.温度过高D.没有明显危急源9.A.1B.2C.5D.310.放射线同位素的量越多,放出的射线的强度()。
A.越小B.不变C.越大D.随机变更二、多项选择题(共10道试题,共30分。
)1.自动软化系统出现下述状况之一()就必需进行化学清洗。
A.装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10%B.装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%时C.装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍D.装置须要长期停运时用爱护溶液爱护前2.X射线形貌技术的试验方法有()。
A.透射形貌法B.反射形貌法C..异样透射法D..双晶光谱仪法3.下列哪三项是自然水的三大杂质()。
A.悬浮物质B.挥发物质C.胶体物质D.溶解物质4.高纯水的检测时,测量方法有()。
A..静置测量法B.反渗透测量法C.蒸发测量法D.流淌测量法5.纯水制备系统运行限制留意事项,以下表述错误的是()。
A.软化器工作时,自动启动原水增压泵,其他高压泵都处于停止状态B.无论何时,反渗透系统都要将脓水调整阀和进水调整阀完全关闭C.离子交换床在工作的任何时侯,混床进水压力大于160PaD.设备第一次运用时,所制纯水应至少排放1h后再收集6.RO系统清洗条件有()。
A.装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%—10%时B.装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%—20%时C.装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1—2倍D.装置需长期停运时用爱护溶液爱护前7.影响树脂再生的主要因素有()。
A.再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等B.终点PH值的大小C.离子交换树脂的分别、反洗效果、混合程度、清洁卫生等D.杂质量的多少8.三氯氢硅中硼的分析试剂表述错误的是()。
A.B.氢氟酸优级纯氢氟酸,再经自制的聚乙烯蒸馏器蒸馏一次,经分析合格后备用C.5%甘露醇溶液存入聚乙烯瓶中D.直径6mm的光谱纯(无B)石墨电极9.露点法测定气体中水分的过程限制表述正确有()。
A.用金属导管将被测气体导入露点瓶,出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1hB.测定时,在封底铜管内加入制冷剂,在插入始终-80℃低温温度计当心搅拌,使温度下降,留意视察,当喷口所对的铜管表面出现露斑,即读出温度值,这就是测得的露点温度C.测定流速限制在250—300ml/minD.通常测-34℃以下气体视察到的是霜点,依据试验测得霜点和露点相应温度差约4℃10.中子活化分析的特点有()。
A.灵敏度高B.分析速度快,精度高C.非破坏性分析D.不易沾污和不受试剂空白的影响三、推断题(共10道试题,共20分。
)1.混床交换在再生处理时,阴离子交换树脂和阳离子交换树脂充分混合。
A.错误B.正确2.色谱法基本原理是基于时间的差别进行分别。
A.错误B.正确3.为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水,阴、阳树脂必需交换出等量的离子。
A.错误B.正确4.对三氯氢硅中痕量杂质的分析接受化学药剂提纯法。
A.错误B.正确5.制取高纯水时一般接受强碱型阴离子交换树脂。
A.错误B.正确6.硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷A.错误B.正确7.新树脂运用前应进行预处理:
膨胀处理和变形处理。
A.错误B.正确8.活性炭过滤器在作为反渗透装置的前处理是是受本身进水温度、PH值和有机混合物的影响的。
A.错误B.正确9.只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进行日常维护。
A.错误B.正确10.露点法检测气体中的水分是通常测-34℃以下气体视察到的是露点。
A.错误B.正确四、连线题(共10道试题,共30分。
)1.将下列自然水中杂质三大部分状况一一对应。
(1)悬浮物质A.溶胶、硅胶、铁、铝
(2)胶体物质B.细菌、泥沙、黏土等其他不容物质(3)溶解物质C.Ca、Mg、Na、Fe、Mn的酸式碳酸盐
(1)B
(2)A(3)C2.将下列RO膜污染缘由与适应药液一一对应。
(1)碳酸盐结垢A.1.5%EDTA溶液
(2)有机物污染及硫酸盐结构B.1%富尔马林溶液(3)细菌污染C.3%柠檬酸溶液
(1)C
(2)A(3)B3.将下列离子交换树脂的类型与变型用化学试剂用量浓度一一对应。
(1)强酸型离子交换树脂A.5%-10%盐酸溶液3000ml
(2)强碱型离子交换树脂B.5%-10%氢氧化钠溶液2500ml(3)干树脂C.4%-5%Nacl溶液浸泡
(1)B
(2)A(3)C4.将下列质谱分析造成其误差较高的因素与缘由一一对应。
(1)杂质不匀整A.与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关
(2)各元素电离效率B.因为质谱分析一次只消耗少量样品,不能代表整个样品杂质含量(3)谱线黑度C.受到很多因素,如离子质量影响
(1)B
(2)A(3)C5.将下列多介质过滤器工作原理与内容一一对应。
(1)反洗A.将原水泵停止,阀门关闭,让多介质自然下沉,使沙层排列平整
(2)静止B.原水由进口进入限制阀,从阀芯的上部经阀体内,并由顶部进入罐体(3)正洗C.水从底部进入石英砂过滤层后由上部解除
(1)C
(2)A(3)B6.将下列混床再生中操作步骤一一对应。
(1)逆洗分层A.再生剂为5%的NaOH,用量为树脂体积的3-5倍,从上口进入,限制确定流速,维持液面顺流通过
(2)强碱性阴离子交换树脂再生B.水从底部进入,上口排出,树脂匀整地松弛蓬松开来,可加大水流速以冲不出树脂为原则,洗至出水清高度(3)强酸性阳离子交换树脂再生C.再生剂为5%盐酸,用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍
(1)B
(2)A(3)C7.
(1)A
(2)C(3)B8.
(1)B
(2)A(3)C9.将下列露点法测定气体中的水分时职业健康平安进行限制一一对应。
(1)危急源A.意把氢气引出室外
(2)分析氢气露点时用大气赶走气B.液氮低温冻伤(3)酒精放置C.要放在阴凉地方
(1)B
(2)A(3)C10.将下列自动软化系统工艺过程一一对应。
(1)反洗A.再生用盐液在确定浓度、流量下,流经失效的树脂层,使其复原原有的交换实力
(2)再生吸盐+慢洗B.向再生剂箱中注入溶液再生一次所需盐量的水(3)再生剂箱注水C.树脂失效后,在进行再生之前,先用水自上而下流出
(1)C
(2)A(3)B04任务04任务_0001一、单项选择题(共10道试题,共20分。
)1.下列哪一项不是自然水的三大杂质之一()。
A.悬浮物质B.挥发物质C.胶体物质D.溶解物质2.气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是()。
A.液氮低温冻伤B.潜在氢气泄露引起的爆炸C.温度过高D.没有明显危急源3.露点法测定气体中水分的设备环境要求是保持工作环境高纯卫生,温度4-40度,相对湿度小于(),现场整齐,无腐蚀性气体,不得有电路和火种。
A.90%B.85%C.95%D.92%4.RO反渗透技术是利用()为动力的膜分别过滤技术。
A.吸附力B.离子交换C.电力D.压力差5.人们通常将水分为纯水和()。
A.超纯水B.蒸馏水C.高氧水D.海水6.离子交换树脂是一种高分子化合物,是由树脂的骨架和()两部分组成。
A.活性基团B.阳树脂C.阴树脂D.氢氧根离子7.对三氯氢硅中痕量杂质的分析接受蒸发法运用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量()水解物,对痕量杂质元素有吸附作用。
A.SiO2B.SiHC.HCLD.Si8.纯水制备系统混床的再生反洗的目的是()。
A.使阴阳离子交换树脂更紧密B.使阴阳离子交换树脂分层C.去除杂质D.无目的9.以下那一
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