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MEMS压力传感器
MEMS压力传感器
姓名:
唐军杰
学号:
09511027
班级:
_09511__
内容提要
在整个传感器家族中,压力传感器是应用最广泛的产品之一,每年世界性的压力传感器的专利就有上百项。
微压力传感器作为微型传感器中的一种,在近几年得到了快速广泛的应用。
本文详细介绍了MEMS压力传感器的原理与应用。
[关键词]:
MEMS压力传感器微型传感器微电子机械系统
引言
MEMS(MicroElectromechanicalSystem,即微电子机械系统)是指集微型传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统。
它是在融合多种微细加工技术,并应用现代信息技术的最新成果的基础上发展起来的高科技前沿学科。
MEMS技术的发展开辟了一个全新的技术领域和产业,采用MEMS技术制作的微传感器在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事以及几乎人们所接触到的所有领域中都有着十分广阔的应用前景。
MEMS微压力传感器可以用类似集成电路的设计技术和制造工艺,进行高精度、低成本的大批量生产,从而为消费电子和工业过程控制产品用低廉的成本大量使用MEMS传感器打开方便之门,使压力控制变得简单、易用和智能化。
传统的机械量压力传感器是基于金属弹性体受力变形,由机械量弹性变形到电量转换输出,因此它不可能如MEMS微压力传感器那样,像集成电路那么微小,而且成本也远远高于MEMS微压力传感器。
相对于传统的机械量传感器,MEMS微压力传感器的尺寸更小,最大的不超过一个厘米,相对于传统“机械”制造技术,其性价比大幅度提高。
MEMS微压力传感器
一、压力传感器的发展历程
现代压力传感器以半导体传感器的发明为标志,而半导体传感器的发展可以分为四个阶段:
(1)发明阶段(1945-1960年):
这个阶段主要是以1947年双极性晶体管的发明为标志。
此后,半导体材料的这一特性得到较广泛应用。
史密斯(C.S.Smith)与1945发现了硅与锗的压阻效应,即当有外力作用于半导体材料时,其电阻将明显发生变化。
依据此原理制成的压力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上,即将力信号转化为电信号进行测量。
此阶段最小尺寸大约为1cm。
(2)技术发展阶段(1960-1970年):
随着硅扩散技术的发展,技术人员在硅的(001)或(110)晶面选择合适的晶向直接把应变电阻扩散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成较薄的硅弹性膜片,称为硅杯。
这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点,实现了金属-硅共晶体,为商业化发展提供了可能。
(3)商业化集成加工阶段(1970-1980年):
在硅杯扩散理论的基础上应用了硅的各向异性的腐蚀技术,扩散硅传感器其加工工艺以硅的各项异性腐蚀技术为主,发展成为可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术,主要有V形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。
由于可以在多个表面同时进行腐蚀,数千个硅压力膜可以同时生产,实现了集成化的工厂加工模式,成本进一步降低。
(4)微机械加工阶段(1980年-):
上世纪末出现的纳米技术,使得微机械加工工艺成为可能。
通过微机械加工工艺可以由计算机控制加工出结构型的压力传感器,其线度可以控制在微米级范围内。
利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜,使得压力传感器进入了微米阶段。
MEMS微压力传感器使压力控制变得简单、易用和智能化。
MEMS压力传感器的尺寸更小,最大的不超过一个厘米,相对于传统“机械”制造技术,其性价比大幅度提高。
二、MEMS微压力传感器原理
MEMS微压力传感器按原理分,有电容型、压阻型,压电式,金属应变式,光纤式等。
重点介绍硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器,两者都是在硅片上生成的微机电传感器。
1·硅压阻式压力传感器
硅压阻式压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的,具有较高的测量精度、较低的功耗,极低的成本。
惠斯顿电桥的压阻式传感器,如无压力变化,其输出为零,几乎不耗电。
其电原理如图1所示。
硅压阻式压力传感器其应变片电桥的光刻版本如图2。
MEMS硅压阻式压力传感器采用周边固定的圆形的应力杯硅薄膜内壁,采用MEMS技术直接将四个高精密半导体应变片刻制在其表面应力最大处,组成惠斯顿测量电桥,作为力电变换测量电路,将压力这个物理量直接变换成电量,其测量精度能达0.01%~0.03%FS。
硅压阻式压力传感器结构如图3所示,上下二层是玻璃体,中间是硅片,硅片中部做成一应力杯,其应力硅薄膜上部有一真空腔,使之成为一个典型的绝压压力传感器。
应力硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成如图2的电阻应变片电桥电路。
当外面的压力经引压腔进入传感器应力杯中,应力硅薄膜会因受外力作用而微微向上鼓起,发生弹性变形,四个电阻应变片因此而发生电阻变化,破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡,产生电桥输出与压力成正比的电压信
号。
图4是封装如IC的硅压阻式压力传感器实物照片。
2·硅电容式压力传感器
硅电容式压力传感器利用MEMS技术在硅片上制造出横隔栅状,上下二根横隔栅成为一组电容式压力传感器,上横隔栅受压力作用向下位移,改变了上下二根横隔栅的间距,也就改变了板间电容量的大小,即△压力=△电容量。
电容式压力传感器结构如图5。
电容式压力传感器实物如图6。
三、MEMS微压力传感器的种类与应用范围
MEMS微压力传感器广泛应用于汽车电子:
如TPMS(轮胎压力监测系统)、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器;消费电子,如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤,洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器、洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器;工业电子,如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等。
典型的MEMS压力传感器管芯(die)结构和电原理如图7所示,左是电原理图,即由电阻应变片组成的惠斯顿电桥,右是管芯内部结构图。
典型的MEMS压力传感器管芯可以用来生产各种压力传感器产品,如图8所示。
MEMS压力传感器管芯可以与仪表放大器和ADC管芯封装在一个封装内(MCM),使产品设计师很容易使用这个高度集成的产品设计最终产品。
MEMS压力传感器Die的设计、生产、销售链
MEMS压力传感器Die的设计、生产、销售链如图9所示。
目前IC的4英寸圆晶片生产线的大多数工艺可为MEMS生产所用;但需增加双面光刻机、湿法腐蚀台和键合机三项MEMS特有工艺设备。
压力传感器产品生产厂商需要增加价格不菲的标准压力检测设备。
对于MEMS压力传感器生产厂家来说,开拓汽车电子、消费电子领域的销售经验和渠道是十分重要和急需的。
特别是汽车电子对MEMS压力传感器的需要量近几年激增。
MEMS以理论力学为基础,结合电路知识设计三维动态产品,对于在微米尺度进行机械设计更多地依靠经验,MEMS加工除使用大量传统IC工艺,还需要一些特殊工艺,如双面刻蚀,双面光刻等。
MEMS较传统IC工艺简单,光刻步骤少,MEMS生产有一些非标准的特殊工艺,工艺参数需按产品要求进行调整,由于需要产品设计、工艺设计和生产三方面的密切配合,IDM的模式要优于Fabless+Foundry(无芯片生产线公司+代工厂)的模式。
MEMS对封装技术的要求很高。
传统半导体厂商的4英寸生产线正面临淘汰,即使用来生产LDO也只有非常低的利润,如转而生产MEMS则可获较高的利润;4英寸线上的每一个圆晶片可生产合格的MEMS压力传感器Die5~6千个,每个出售后可获成本7~10倍的毛利(图10);转产MEMS改动工艺不大、新增辅助设备有限,投资少、效益高;MEMS芯片与IC芯片整合封装是IC技术发展的新趋势,也是传统IC厂商的新机遇。
图11是MEMS在4英寸圆晶片生产线上。
四、MEMS微压力传感器的发展前景
市场汽车无疑是MEMS压力传感器最大的市场。
一辆高端的汽车一般都会有上百个传感器,包括30~50个MEMS传感器,其中就有十个左右的压力传感器。
放眼众多种类的压力传感器的应用和市场前景,在轮胎压力监测系统(TirePressureMonitorSystem,TPMS)中应用的压力传感器,则是未来市场中最看好的部分。
目前99%的TPMS中采用的压力传感器都是基于MEMS技术的,按照Yole预计,仅仅用于TPMS的MEMS压力传感器在2012年将达到$183M,用于汽车的MEMS传感器2010年的销售额达到了$662.3M,比2009年的$501.2M增长了32.1%。
亚太地区的MEMS压力传感器市场年增长率为6.9%。
2012年是一个重要的时间点。
在2012年后,发达国家汽车市场TPMS和ESC两种应用都会成为标配。
中国的汽车要出口到欧美发达市场都必须有以上配置,从这些国家进口的汽车也会带以上配置,这无疑将促进MEMS压力传感器的广泛应用。
许多因素将推动轿车采用更多的MEMS传感器,2012年是一个重要的时间点。
大多数的MEMS压力传感器政策截止时间都是在2012年,也就是说在2012年后,发达国家汽车市场TPMS和ESC两种应用都会成为标配,美国在2012年以前将强制汽车安装电子稳定系统(ESC),欧盟将在2014年以前。
欧洲还将在2014年以前强制汽车安装TPMS,预计这些动态将提升总体销售额。
ESC法将促进陀螺仪、加速度计和高压传感器的销售;而TPMS法则将促进MEMS压力传感器的出货量接近1.379亿,也就是说无论是进口还是出口的汽车也会带以上配置,这无疑将促进MEMS压力传感器的广泛应用。
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