最新半导体英文词汇讲课讲稿Word文档下载推荐.docx
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各向异性-在蚀刻过程中,只做少量或不做侧向凹刻。
AreaContamination-Anyforeignparticlesormaterialthatarefoundonthesurfaceofawafer.Thisisviewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofstains,fingerprints,waterspots,etc.
沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。
由沾污、手印和水滴产生的污染。
Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajoraxisoftheellipse.
椭圆方位角-测量入射面和主晶轴之间的角度。
Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.(Note:
Thistermisnotpreferred;
instead,use‘backsurface’.)
背面-晶圆片的底部表面。
(注:
不推荐该术语,建议使用“背部表面”)
BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,whichsupportsthesiliconfilmontopofthewafer.
底部硅层-在绝缘层下部的晶圆片,是顶部硅层的基础。
Bipolar-Transistorsthatareabletousebothholesandelectronsaschargecarriers.
双极晶体管-能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。
BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxide,whichactsasaninsulatinglayer.
绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起,作为绝缘层。
BondingInterface-Theareawherethebondingoftwowafersoccurs.
绑定面-两个晶圆片结合的接触区。
BuriedLayer-Apathoflowresistanceforacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopantsareantimonyandarsenic.
埋层-为了电路电流流动而形成的低电阻路径,搀杂剂是锑和砷。
BuriedOxideLayer(BOX)-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowafers.
氧化埋层(BOX)-在两个晶圆片间的绝缘层。
Carrier-Valenceholesandconductionelectronsthatarecapableofcarryingachargethroughasolidsurfaceinasiliconwafer.
载流子-晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。
Chemical-MechanicalPolish(CMP)-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatutilizesbothchemicalremovalandmechanicalbuffing.Itisusedduringthefabricationprocess.
化学-机械抛光(CMP)-平整和抛光晶圆片的工艺,采用化学移除和机械抛光两种方式。
此工艺在前道工艺中使用。
ChuckMark-Amarkfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitheraroboticendeffector,achuck,orawand.
卡盘痕迹-在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。
CleavagePlane-Afractureplanethatispreferred.
解理面-破裂面
Crack-Amarkfoundonawaferthatisgreaterthan0.25mminlength.
裂纹-长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。
Crater-Visibleunderdiffusedillumination,asurfaceimperfectiononawaferthatcanbedistinguishedindividually.
微坑-在扩散照明下可见的,晶圆片表面可区分的缺陷。
Conductivity(electrical)-Ameasurementofhoweasilychargecarrierscanflowthroughoutamaterial.
传导性(电学方面)-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。
ConductivityType-Thetypeofchargecarriersinawafer,suchas“N-type”and“P-type”.
导电类型-晶圆片中载流子的类型,N型和P型。
Contaminant,Particulate(seelightpointdefect)
污染微粒(参见光点缺陷)
ContaminationArea-Anareathatcontainsparticlesthatcannegativelyaffectthecharacteristicsofasiliconwafer.
沾污区域-部分晶圆片区域被颗粒沾污,造成不利特性影响。
ContaminationParticulate-Particlesfoundonthesurfaceofasiliconwafer.
沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。
CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcontainvacanciesanddislocationsthatcanhaveanimpactonacircuit’selectricalperformance.
晶体缺陷-部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。
CrystalIndices(seeMillerindices)
晶体指数(参见米勒指数)
DepletionLayer-Aregiononawaferthatcontainsanelectricalfieldthatsweepsoutchargecarriers.
耗尽层-晶圆片上的电场区域,此区域排除载流子。
Dimple-Aconcavedepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisibletotheeyeunderthecorrectlightingconditions.
表面起伏-在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。
Donor-Acontaminatethathasdonatedextra“free”electrons,thusmakingawafer“N-Type”.
施主-可提供“自由”电子的搀杂物,使晶圆片呈现为N型。
Dopant-Anelementthatcontributesanelectronoraholetotheconductionprocess,thusalteringtheconductivity.DopantsforsiliconwafersarefoundinGroupsIIIandVofthePeriodicTableoftheElements.
搀杂剂-可以为传导过程提供电子或空穴的元素,此元素可以改变传导特性。
晶圆片搀杂剂可以在元素周期表的III和V族元素中发现。
Doping-Theprocessofthedonationofanelectronorholetotheconductionprocessbyadopant.
掺杂-把搀杂剂掺入半导体,通常通过扩散或离子注入工艺实现。
EdgeChipandIndent-Anedgeimperfectionthatisgreaterthan0.25mm.
芯片边缘和缩进-晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。
EdgeExclusionArea-Thearealocatedbetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.(Thisvariesaccordingtothedimensionsofthewafer.)
边缘排除区域-位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。
(根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。
)
EdgeExclusion,Nominal(EE)-Thedistancebetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.
名义上边缘排除(EE)-质量保证区和晶圆片外围之间的距离。
EdgeProfile-Theedgesoftwobondedwafersthathavebeenshapedeitherchemicallyormechanically.
边缘轮廓-通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。
Etch-Aprocessofchemicalreactionsorphysicalremovaltoridthewaferofexcessmaterials.
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