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C.8个D.12个
13.下列与或逻辑函数式F=ABC+A
具有相同逻辑功能的为(B)
A.F=ABB.F=A
C.F=A(
)D.ABC+
14.逻辑电路如题14图所示,其输出函数表达式为(B)
A.F=
B.F=1C.F=AD.F=0
15.集成双向移位寄存器74LS194应用电路如题15图,该电路初始状态为Q0Q1Q2Q3=0001,则经过三个CP后,电路的状态应为Q0Q1Q2Q3=(D)
A.0100B.0001C.1000D.0010
16.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。
(a)正、反向电阻都等于无穷大(b)正向电阻大,反向电阻小
(c)反向电阻比正向电阻大很多倍
17.图示逻辑电路的逻辑式为(C)。
(a)
A
B(b)
(c)
AB+
18.稳压二极管工作在(B)。
(a)正向导通状态(b)反向导通状态(c)正反向导通状态
19.不适合传递变化缓慢的信号的耦合方式为(B)。
(a)变压器耦合(b)阻容耦合(c)直接耦合
20.下列各式中的四变量A、B、C、D的最小项是(C)。
(a)A+B+C(b)
(c)ABCD
21.当晶体三极管(C)时处于饱和状态。
(a)发射结和集电结均处于反向偏置
(b)发射结正向偏置,集电结反向偏置
(c)发射结和集电结均处于正向偏置
22.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是(C)。
(a)电阻阻值有误差(b)晶体管参数的分散性(c)参数受温度影响
23.若想抑制频率低于100Hz的信号,应选择(
C
)。
(a)高通滤波电路
(b)低通滤波电路(c)带阻滤波电路
24.组合逻辑电路的输出与输入的关系不可用(C)描述。
(a)真值表(b)逻辑表达式(c)状态图
25.绝缘栅型场效应管的栅源两极(B)悬空。
A.可以B.不可以C.若需要可以
26.以下触发器功能转换中,需添加门电路即可实现的是:
A。
A.JK触发器→D触发器;
B.JK触发器→T触发器;
C.D触发器→T’触发器;
D.T触发器→T’触发器。
27.电路如图3所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V,当Ui=3V时,则U0的值(D)
A.不能确定B.等于0
C.等于5VD.等于3V图3
28.下图所示电路中,处于饱和状态的硅三极管是(D)
29.单相桥式整流电路,已知负载电阻为100Ω,负载两端电压为100V,电路输入的交流电压有效值及流过每个二极管的电流为(C)
A.220V、1AB.111V、1A
C.111V、0.5AD.222V、0.5A
30.理想集成运算放大器应具有的条件中,下述正确的是(B)
A.输出电阻→∞B.开环电压放大倍数→∞。
C.输入电阻→0D.共模抑制比→0
31.集成运算放大器实质上是一个(A)
A.直接耦合的多级放大器B.阻容耦合的多级放大电路
C.变压器耦合的多级放大电路D.单级放大电路
32.要使JK触发器的状态为,输入信号J和K应为(A)
A.1、0B.0、1C.1、1D.0、0
33.设图4所示触发器当前的状态为Qn,则时钟脉冲到来后,触发器的状态Qn+1将为(D)
A.0B.1
C.QnD.
图4
34.有一门电路的输入端A、B和输出端F的波形如图5所示。
该门电路为(D)
A.与门B.或门
C.与非门D.或非门图5
35.555集成定时器构成的多谐振荡器产生的是(D)
A.正弦波B.三角波C.锯齿波D.矩形波
36.测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,则此三极管为(D)
A.PNP型锗三极管B.NPN型锗三极管
C.PNP型硅三极管D.NPN型硅三极管
37.为了稳定放大电路的输出电压,并增大输入电阻,应当引入(C)
A.电流串联负反馈B.电流并联负反馈
C.电压串联负反馈D.电压并联负反馈
38.分析理想线性集成运算放大器的两个重要结论是(C)
A.虚地和反相B.虚地和虚短
C.虚短和虚断 D.短路和断路
39.桥式整流电容滤波电路参数合适,当输入交流电压的有效值为10V,则直流输出电压值约为(C)
A.9VB.10VC.12VD.14V
40.下列电路中不属于时序电路的是(C)
A.同步计数器B.异步计数器
C.组合逻辑电路D.数据寄存器
41.已知逻辑函数
与其相等的函数为(D)
A.
B.
C.
D.
42.为了工作在线性工作区,应使集成运算放大器处于(B)状态。
A.正反馈B.负反馈
C.正反馈或无反馈D.负反馈或无反馈
43.下列选项中(B)是正温度系数热敏电阻器的英文缩写。
A、NTCB、PTCC、CTR
44.通常用于低频旁路或耦合和电源滤波的是(B)
A、电解电容器B、铝点解电容器C、钽电解电容器
45.电容器的数标法中,第(C)位数字表示倍率。
A、1B、2C、3
46.一般来说,对于结构、介质、容量相同的电容器,下列说法正确的是(A)
A、耐压值越高,体积越大
B、耐压值越高,体积越小
C、耐压值与体积没有一定的关系
47.能够工作在300MHz频率下的电容器是(C)
A、小型云母电容器B、小型纸介电容器C、圆片型瓷介电容器
48.玻璃釉电容器损坏后,可以用与其主要参数相同的(A)替换
A、瓷介电容器B、纸介电容器C、云母电容器
49.关于线圈的分布电容,下列说法正确的是(C)
A、分布电容值月大越好
B、分布电容会使线圈Q值增加
C、采用分段绕法可以减小分布电容
50.下列关于二极管正向导通后的管压降与温度的关系正确的是(B)
A、温度升高,管压降明显升高B、温度降低,管压降小幅升高
C、不同型号的二极管的管压降与温度关系不一致
51.下列关于三极管命名规则说法不正确的是(B)
A、第一部分用3表示主称
B、第二部分用数字表示三极管的材料和极性
C、第三部分用字母表示三极管的类别
52.锯齿波发生器应该选用(C)
A、门极关断晶闸管B、双向晶闸管C、BTG晶闸管
53.普通晶振频率绝对精度可以达到(A)左右。
A、50%B、60%C、70%
54.下列属于线性电路的是(A)
A、模拟集成电路B、数字集成电路C、数/模混合集成电路
55.集成了10到100等效门/片或者100到1000元件/片的数字电路属于(B)
A、小规模集成电路B、中规模集成电路C、大规模集成电路
56.属于双列直插式封装的是(A)
A、DIPB、PGAC、CSP
57.三极管由(A)个PN结构成。
A、2B、3C、4
58.下列选项中(B)是正温度系数热敏电阻器的英文缩写。
A、NTCB、PTCC、CTR
59、电阻值变化和转动角度成对数关系的电位器属于(B)电位器。
A、A型B、B型C、C型
60.国产电位器的型号一般由(B)部分组成。
A、3B、4C、5
61.独石电容器属于(C)
A、云母电容器B、玻璃釉电容器C、多层陶瓷电容器
62.对于电容器运行时出现声音的原因,下列选项中说法不正确的是(C.)
A、套管放电B、接地不良放电C、击穿故障
63.下列说法中不属于变压器功能的是(C)
A、电流变换B、阻抗变换C、磁路变换
64.二极管的反向饱和电流受(C)影响很大。
A电压B、导通电流C、温度
65.硅二极管的正向导通电压约为(B)
A、0.3VB、0.6VC、0.8V
66.场效应管的英文缩写为(A)
A、FETB、BJTC、MOS
67.下列选项中,能够使晶闸管处于反偏状态的设置的是(A)
A、A极与K极之间加正向电压,G极不加电压
B、A极与K极加反向电压,G极不加电压
C、A极与K极之间加反向电压,G极不加电压
68、“共晶焊锡”是比较理想的常用焊锡,它最显著的特点是(C)
(A)物理特性好(B)机械强度好
(C)无半液态(D)抗氧化能力强
69、电气电子工业中的“三防”是“防潮湿”、“防盐雾”和(B)
(A)防灰尘(B)防霉菌
(C)防静电(D)防振动
70、某电阻的阻值是20欧,误差范围是±
1%,使用色环标识时应是(A)
(A)红黑黑棕(B)红黑黑金(C)棕红黑金(D)棕红红棕
71、用波峰焊进行焊接时,波峰的高度应该调整到印制电路板厚的(C)为宜。
(A)1/4-1/3(B)1/3-1/2
(C)1/2-2/3(D)2/3以上
72、(B)是一种应用最早、最广泛的电阻器、阻值范围宽(10Ω-10MΩ),其最大的特点是价格低廉。
(A)金属膜电阻器(B)碳膜电阻器
(C)只线绕电阻器(D)敏感电阻器
73、BGA封装的IC一般用(C)技术进行焊接。
(A)浸焊(B)波峰焊
(C)回流焊(D)超声波焊
74、以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对(A)
(A)SRAM比DRAM慢(B)SRAM比DRAM耗电多
(C)DRAM存储密度比SRAM高得多(D)DRM需要周期性刷新
75、不适合传递变化缓慢的信号的耦合方式为(B)
(A)变压器耦合(B)阻容耦合
(C)直接耦合(D)以上均不是
76、当晶体三极管(C)时处于饱和状态。
(A)发射结和集电结均处于反向偏置(B)发射结正向偏置,集电结反向偏置
(C)发射结和集电结均处于正向偏置(D)发射结反向偏置,集电结正向偏置
77、直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是(C)
(A)电阻阻值有误差(B)晶体管参数的分散性
(C)参数受温度影响(D)参数受电压波动影响
78、若想抑制频率低于100Hz的信号,应选择(
C)
(A)高通滤波电路
(B)低通滤波电路(C)带阻滤波电路(D)带通滤波电路
79、在输入信号保持不变的情况下,增益下降(B)的频率点,称为半功率点。
(A)2dB(B)3dB(C)4dB(D)5dB
80、三极管放大电路中,一般采用的三极管放大倍数为(C)
(A)20-30(B)30-40(C)30-80(D)40-90
81、相对于单级放大电路,下列选项对多级放大电路说法正确的是(B)
(A)提高电压增益,通频带变宽(B)提高电压增益,通频带变窄
(C)提高电流增益,通频带变宽(D)提高电流增益,通频带变宽
82、下面的设备中属于闪存的设备是(A)
(A)K9F1208U0M(B)MAX3232
(C)74LS244(D)Am29LV160D
83、某ROM存储器容量为8KB,则其地址线根数为(C)
(A)8根(B)9根(C)13根(D)14根
84、选用差分放大电路的原因是(A)
(A)可以克服温漂(B)可以提高电路输入阻抗
(C)可以降低电路输出阻抗(D)可以稳定电路的放大倍数
85、描述回路与支路电压关系的定律是(A)
(A)KVL(B)KCL(C)欧姆定律(D)KCL与KVL
86、已知某电路负载由2个4Ω电阻与1个1F电容并联,则此电路时间常数为(C)
(A)0.25s (B)0.5s(C)2s(D)4s
87、叠加定理适用的场合为(A)
(A)计算线性电路的电压与电流 (B)计算非线性电路的电压与电流
(C)计算线性电路的电压、电流与功率(D)计算非线性电路的电压、电流与功率
88、RLC串联电路发生谐振时(A)
(A)输出端口上的电压与电流同向
(B)输出端口上的电压与电流反向
(C)输出端口上的电压相位超前电流相位90度
(D)输出端口上的电流相位超前电压相位90度
89、电路产生动态过程的实质是因为(D)
(A)电路中存在储能元件(B)电路中存在耗能元件
(C)开关的闭合(D)能量不能够跃变
90、自动满足基尔霍夫第一定律的电路求解法是(B)
(A)支路电流法(B)回路电流法(C)节点电压法(D)以上均不是
91、图示电路中,R上流过的电流大小为(D)
(A)1A
(B)2A
(C)2.5A
(D)3A
92.电路中有一位二进制数据需要被暂时保存起来,可选用的是:
D。
A.数据选择器;
B.译码器;
C.编码器;
D.寄存器。
93.下列函数中,是最小项表达式形式的是C。
A.Y=A+BCB.Y=ABC+ACD
C.Y=ABC+
BCD.Y=AB+C
94.理想电流源的外接电阻越小,它的端电压(C)。
A.不变B.越高C.越低D.不确定
95.在RLC串联正弦交流电路中,当XL>XC时,电路呈现的性质为(C)。
A.容性B.电阻性C.感性D.不确定
96.射极输出器无(A)放大能力。
A.电压B.电流C.功率D.都没放大能力
97.负反馈放大电路中引入电流并联负反馈后,放大电路的输入、输出电阻值(ri及ro)的变化情况是(D)。
A.ri、ro均增大B.ri、ro均降低
C.ri增大ro降低D.ri降低、ro增大
98.在RLC串联正弦交流电路中,当XL∠XC时,电路呈现的性质为(B)。
A.容性B.电阻性C.感性D.不确定
99.已知放大电路中晶体管工作在放大区,其三个电极的电位分别为3.4V、2.7V、12V,则该管为(D)。
A.PNP型锗管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
100.放大器产生零点漂移的主要原因是(A)。
A.环境温度变化B.电压增益太大
C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式
101.在OCL乙类互补对称功放电路中,若最大输出功率为1W,则每只功放管的最大允许功耗Pcm至少应有(B)。
A.1WB.0.2WC.0.4WD.0.5W
102.桥式整流电容滤波电路中,负载电阻等于20Ω,交流电源频率为50HZ,若输出电压为12V,变压器二次电压等于(A)。
A.10VB.13VC.14.4VD.27V
103.微变等效电路法适用于(A)。
A.放大电路的动态分析B.放大电路的静态分析
C.放大电路的静态和动态分析D.放大电路的非线性分析
104.在以下关于深度负反馈的论述中,(B)是错误的。
A.深度负反馈,放大器增益与晶体管参数几乎无关
B.深度负反馈,放大器不易自激
C.深度负反馈,放大器中频段增益稳定性很高
D.深度负反馈,放大器的通频带展宽图三题14图
105.运算放大器电路如图三所示,输入电压ui为2V,则输出电压uo等于(A)。
A.2VB.正饱和值C.负饱和值D.0V
106.发光二极管的工作电压和工作电流一般在(C)以上时才发光。
A.0.7V、10mAB.1.6V、10mA
C.1.6V,1mAD.0.7V、1mA
107.差分放大电路抑制零点漂移的效果取决于(D)。
A.两个三极管的放大倍数B.外界温度的变化
C.两个三极管的穿透电流大小D.两个三极管放大电路的对称程度
108.用万用表Rx1K挡测二极管,若红表笔接阳极,黑表笔接阴极,读数为50KΩ,表笔对换测得电阻为1KΩ,则该二极管C。
A.内部已断B.内部已短路
C.没有坏,但性能不好D.性能良好
109.示波器观察波形,线条太粗应调节(C)。
A.轨迹及光点的垂直位置调整钮B.亮度钮
C.聚焦钮D.XY轴灵敏度钮
110.下列电路属于时序逻辑电路的是(D)。
A.编码器B.译码器C.加法器D.计数器
111.N个触发器可以构成二进制最大计数长度为(A)的计数器。
B.
2NC.
D.N
112、共射放大电路的Uo与Ui的相位差为(A)
A、反相B、同相C、相同D、不一定
113、单相桥式整流电路在加入电容滤波后,则(B)
A、输出电压不变B、输出电压升高
C、输出电压波动大D、输出电压波动小
114、判断放大电路属于正反馈还是负反馈的常用方法是(B)
A、输出端短路法B、瞬时极性法
C、输入端短路法D、输出端开路法
115、理想集成运算放大器应具有的条件中,下述正确的是(A)
A、开环电压放大倍数Au→∞B、输出电阻RO→∞
C、共模抑制比KCMR=0D、输入偏置电流IIB→∞
116、产生交越失真的原因是(C)
A、工作点过高B、工作点过低
C、输入信号太小D、三极管已截止
117、用万用表的RX100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用RX1K档,测量同一个二极管,则其正向电阻值A。
A、增加B、不变,
C、减小D、不能确定
118、已知某晶体管的各极对地电压分别是V1=+6v,V2=+1.7v,
V3=+1v,可判断此晶体管的管型和工作区域是D。
A、NPN管,饱和区B、PNP管,放大区
C、PNP管,截止区D、NPN管,放大区
119、多级放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使D。
A、电压放大倍数高B、输出电流小
C、输出电阻增大D、带负载能力强
120、在输入量不变的情况下,若引入反馈后D,则说明引入的是负反馈。
A、电路稳定性变差B、输出量增大
C、净输入量增大D、净输入量减小
121、乙类功率放大器的最大效率为B。
A、50%B、78.5%
C、80%D、80%以上
122、集成运放电路采用直接耦合方式是因为C。
A可获得较高增益B可使温漂变小
C在集成工艺中难于制造大电容D可以增大输入电阻
123.当环境温度升高时,二极管的正向压降B。
A.增大B.减小C.不变D.无法判断
124.工作在放大区的某三极管,IB当从20μA增大到40μA时,IC从1mA变成2mA,它的电流放大系数β约为C。
A.10B.20C.50D.100
125.单管共发射极放大电路的输入电压和输出电压相位差A。
A.00B.900C.1800D.2700
126.差分电路是为了C而设置的。
A.稳定电压放大倍数B.提高输入电阻
C.克服温漂D.扩展频带
127.乙类功率放大器的最大效率为B。
128.CW78×
×
系列集成稳压器输出A。
A.正电压B.负电压C.正、负电压均可D.无法判断
129.二极管两端正向偏置电压大于B,二极管才能导通。
A.击穿B.死区C.饱和D.任意值
130.用万用表测得某三极管的管压降为UBE=0.7V,UCE=0.3V,由此可判断三极管工作在B。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法判定
131.单管共基极放大电路的输入电压和输出电压相位差A。
A.00B.900C.1800D.2700
132.射出输出器属于B负反馈。
A.电压并联B.电压串联C.电流并联D.电流串联
133.在乙类互补对称OCL功放电路中,设管子的饱和压降UCES=0V,若要求输出最大功率为20W,则每个功放管的管耗至少大于B。
A.20WB.4WC.2WD.1W
134.整流是利用半导体器件的C特性。
A.放大B.反向击穿C.单向导电D.饱和
135.用万用表Rx1K挡测二极管,若红表笔接阳极,黑表笔接阴极,读数为50KΩ,表笔对换测得电阻为1KΩ,则该二极管C。
A.内部已断B.内部已短路
C.没有坏,但性能不好D.性能良好
136.交流负反馈对电路的作用是A。
A.稳定交流信号,改善电路性能B.稳定交流信号和稳定直流偏置
C.稳定交流信号,但不能改善电路性能
D.不能稳定交流信号,但能改善电路性能
137.微变等效电路发适用于A。
A.放大电路的动态分析B.放大电路的静态分析
138.差分电路是为了C而设置的。
139.在OTL功放电路中,设管子的饱和压降Uces=0V,若要求输出最大功率
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