半导体芯片制造工半导体芯片制造中级工精选试题.docx
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半导体芯片制造工半导体芯片制造中级工精选试题
半导体芯片制造工-半导体芯片制造中级工
1、下列材料属于N型半导体是()。
A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)
B.硅中掺有元素杂质硼、铝(Al)
C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
2、属于绝缘体的正确答案是()。
A.金属、石墨、人体、大地
B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、锗、砷化镓、磷化铟
D.各种酸、碱、盐的水溶液
3、说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫():
A.逻辑设计
B.物理设计
C.电路设计
D.系统设计
4、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用()
A.盐酸
B.硫酸
C.硝酸
D.氢氟酸
5、下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:
()
A.单基极条图形
B.双基极条图形
C.基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D.梳状结构
6、位错的形成原因是()。
A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对
7、硅外延生长工艺包括()。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度,生长压力,生长速度
D.尾气的处理
8、硅外延片的应用包括()。
A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路
9、离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
A.能量
B.剂量
10、离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.能量
B.剂量
11、从离子源引出的是:
()
A.原子束
B.分子束
C.中子束
D.离子束
12、恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?
()
A.高斯函数
B.余误差函数
C.指数函数
D.线性函数
13、在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?
()
A.干氧
B.湿氧
C.水汽氧化
D.不能确定哪个使用的时间长
14、Ⅰ号液是()过氧化氢清洗液.
A.碱性
B.酸性
C.中性
15、二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。
A.预
B.再
C.选择
16、介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。
常用的电介质是()层。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
17、光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()
A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形
18、将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为()曝光。
A.接触
B.接近式
C.投影
19、按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为:
()蒸发、()蒸发、离子束蒸发等。
A.电阻加热
B.电子束
C.蒸气原子
20、单相3线插座接线有严格规定()
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
21、人们规定:
()电压为安全电压.
A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下
22、在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:
()
23、对标准单元设计EDA系统而言,标准单元库应包含以下内容:
()、和()、()、()。
24、在一个晶圆上分布着许多块集成电路,在封装时将各块集成电路切开时的切口叫()。
25、大容量可编程逻辑器件分为()和()。
26、全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含()、()、()和()。
27、半导体材料有两种载流子参加导电,具有两种导电类型。
一种是(),另一种是()。
28、半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为元素()、()半导体、固溶半导体三大类。
29、半导体材料的主要晶体结构有()型、闪锌矿型、()型。
30、抛光片的质量检测项目包括:
几何参数,直径、()、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等;(),电阻率,载流子浓度,迁移率等;晶体质量,晶向,位错密度。
31、外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。
32、离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。
33、半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。
34、白光照射二氧化硅时,不同的厚度有不同的()。
35、在半导体工艺中,硫酸常用于去除()和配制()等。
36、化学清洗中是利用硝酸的强()和强()将吸附在硅片表面的杂质除去。
37、用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量:
颜色()、结构();表面无()、无()、不发花;表面无裂纹、()。
38、腐蚀V形槽一般采用()的湿法化学腐蚀方法。
39、光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。
40、工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录,做到记录内容详细、()、()、书写工整、()。
41、衬底清洗过程包括哪几个步骤?
42、操作人员的质量职责是什么?
43、为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术?
44、对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图结构?
简述原因。
45、集成电路封装有哪些作用?
46、什么叫光刻?
光刻工艺质量的基本要求是什么?
47、叙述H2还原SiCl4外延的原理,写出化学方程式。
48、集成电容主要有哪几种结构?
49、双极晶体管中只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。
()
50、逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。
()
51、门阵列的基本结构形式有两种:
一种是晶体管阵列,一种是门阵列()
52、晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。
()
53、目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售,一般不能再退火,一经退火反而坏了性能。
()
54、退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。
()
55、设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50%。
()
56、钯.银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。
()
57、厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂,比表面积就越大,则表面自由能也就越高,对烧结越有利。
()
58、厚膜浆料属于牛顿流体,因此其粘度属于正常黏度。
()
59、厚膜浆料存在触变性,流体受到外力作用时黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢复原状。
()
60、丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。
()
61、在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。
()
62、可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。
()
63、硅MOSFET和硅JFET结构相同。
()
64、场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。
()
65、片状源扩散具有设备简单,操作方便,晶片缺陷少,均匀性、重复性和表面质量都较好,适于批量生产,应用越来越普遍。
()
66、值称为共发射极电流放大系数,是晶体管的一个重要参数,也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。
()
67、低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但膜不够致密,耐潮性和抗离子沾污能力较差。
()
68、单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。
()
69、迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。
掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。
同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。
()
70、点缺陷,如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它们构成的复合体。
()
71、位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错。
()
72、抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。
()
73、液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。
()
74、离子源是产生离子的装臵。
()
75、半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.()
76、光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。
()
77、设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理,可直接进入净化区。
()
78、干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。
()
79、光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。
()
80、在半导体集成电路中,各元器件都是制作在同一晶片内。
因此要使它们起着预定的作用而不互相影响,就必须使它们在电性能上相互绝缘。
()
81、金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜,带胶蒸发或溅射所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂膜的同时,把胶膜上的金属一起去除干净。
()
82、表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜,使器件的表面与周围气氛隔离。
()
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