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复习薄膜
绍兴文理学院微电子专业薄膜材料与薄膜技术复习资料
一、真空等级1
二、真空系统指标2
三、真空计
2
四、真空蒸发对压强的要求4
五、电子束蒸发法和激光蒸发4
六、共蒸发、顺序蒸发、反应蒸发6
七、外延
7
八、薄膜制备的化学方法热氧化方法9
九、有机金属化学气相沉积(MOCVD)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)10
十、薄膜生长模式及生长过程13
十一、生长温度对蒸发膜的影响对溅射膜的影响16
十二、结构测试、组分测试17
十三、导电薄膜19
十四、化合物半导体、多元固溶体20
一、真空等级
真空度:
衡量某一空间的真空程度,真空度越高,压强越小;真空度越低,压强越高。
真空:
指气体压强低于一个大气压的气体空间,同正常的大气相比,是比较稀薄的气体状态。
真空技术中常用的压强单位及其换算如下:
1Pa=1N/M21atm=1.013*105Pa
1Torr=133.322Pa=1mmHg1mba=100Pa
真空区域的划分及不同真空状态下气体的性质
真空状态
气体性质
粗真空
1×
~1×
Pa
主要目的是为了获得压力差
低真空
1×
~1×
Pa
真空热处理基本上都在低真空下进行,气体中的带电粒子在电场的作用下,会产生气体导电现象。
此外,随着容器中压强的降低,液体的沸点也大为降低,由此引起剧烈蒸发,而实现所谓的“真空冷冻脱水”。
真空溅射
高真空
1×
~1×
Pa
容器内物质与残余气体分子化学作用十分微弱,气体热传导和内摩擦与压强无关。
真空蒸发
超高真空
<1×
Pa
超高真空的用途主要是得到纯净的气体和纯净的固体表面。
此时气体分子在固体表面的停留是以吸附为主。
二、真空系统指标
吸附与脱附对真空的意义:
⏹影响空间的真空度,特别是对超高真空的获得
⏹妨碍超净表面的获得
⏹影响表面态和表面结构
⏹利用吸附原理制作各种吸附泵来获得高真空
真空系统
典型的真空系统应包括:
待抽空的容器(真空室)、获得真空的设备(真空泵)、测量真空的器具(真空计)以及必要的管道、阀门和其他附属设备。
其中真空泵是一个真空系统获得真空的关键
极限压强
对于任何一个真空系统而言,都不可能得到绝对真空(P=0),而是具有一定的压强P,称为极限压强(或极限真空),这是该系统所能达到的最低压强,是真空系统能否满足镀膜需要的重要指标之一。
抽气速率
指在规定压强下,单位时间所抽出气体的体积,它决定抽真空所需要的时间。
是真空系统的第二个重要指标。
至今没有一种真空泵能直接从大气一直工作到超高真空。
因此,通常将几种真空泵组合使用。
三、真空计
1、电阻真空计
电阻真空计是热传导真空计的一种,它是利用测量真空中热丝的温度,从而间接获得真空度的大小。
电阻真空计工作的原理是低压强下气体的热传导与压强有关
低压下加热时,灯丝产生热量
Q=Q1+Q2
其中Q1是灯丝辐射的热量,与灯丝温度有关;Q2是气体分子碰撞灯丝带走的热量,与气体压强有关。
灯丝电流恒定时,如果气体压强降低,气体分子数减少,则气体分子带走的热量Q2降低,灯丝温度发生变化,通过测量灯丝电阻随温度的变化来间接确定气体压强。
电阻真空计的测量范围是
-
Pa,并且对气体种类依赖较大。
其校准曲线针对的是干燥的氮气和空气,因此如果气体成分变化很大,应对测量结果进行修正。
电阻真空计使用钨丝,长时间使用后,因灯丝氧化而发生零点漂移,需要调节电流校准零点。
2、热偶真空计
热偶真空计也是一种热传导真空计,它由热电偶直接测量灯丝的温度变化来得到气体压强的大小。
热偶真空计的规管主要由加热灯丝和测量灯丝温度的热电偶组成。
热偶真空计中,灯丝产生热量
Q=Q1+Q2+Q3
其中Q3是灯丝与热偶丝的传导热量。
气体压强降低时,热电偶接点处温度将随热丝温度的升高而增大,热电偶冷端温差电动势也将增大,通过毫伏表测量温差电动势间接得到压强大小。
热偶真空计测量范围是
-
Pa,测量压强不能过低,气体压强过低时,由气体分子散去的热量很少,热偶电动势的变化不再是由压强变化所至。
热偶真空计有热惯性,数据读取滞后。
3、电离真空计
电离真空计是目前广泛使用的测量高真空的真空计,它是利用气体分子电离的原理来进行真空度测量的,分为热阴极电离真空计和冷阴极电离真空计。
电子由灯丝发射极A发射,经加速极B加速后飞向C极,由于BC间拒斥电场,电子在BC间反复运动,与气体分子发生碰撞,将气体分子电离,电离的正离子被收集极C接受,产生离子电流I+。
对于某一规管,当各电极电位一定时,I+与发射电子流Ie和气体的压强有如下的线性关系:
I+=kIeP
普通型热阴极真空计的测量范围是1.33*
-1.33*
Pa。
高于或低于此范围不再是线性关系,由于灯丝是钨丝制成,因此气压高时容易烧毁,系统暴露大气或长时间使用后应进行除气处理。
四、真空蒸发对压强的要求(高真空)
上述过程都必须在空气非常稀薄的真空环境中进行。
否则:
●蒸发物质原子或分子将与大量空气分子碰撞,使膜层受到严重污染,甚至形成氧化物;
●蒸发源被加热氧化烧毁;
●由于空气分子的碰撞阻挡,难以形成均匀连续的薄膜。
薄膜制备的物理方法:
真空蒸发法、溅射法、离子镀、分子束外延。
由于真空蒸发法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生,所以又称热蒸发法。
真空压强P必须小于3×
Pa。
最好是
Pa。
证明:
质量蒸发速率
其中,P是平衡压强;m为粒子质量;k为波尔兹曼常数;T为绝对温度。
考虑理想的点蒸发源,设每个蒸发粒子入射到基片上时不发生任何碰撞,而且到达基片后又全部凝结,则基片上dS面积的沉积速率dm满足余玄定律:
假设蒸发膜的密度为
,则基片上任意一点的膜厚:
基片上的各处膜厚分布状况由下式给出:
其中
是在点源正上方h处的沉积膜厚度。
如果蒸发源为一平行于基片的小平面蒸发源,则膜厚分布为:
实际蒸发过程中,蒸发粒子都要受到真空室中残余气体分子的碰撞,碰撞次数取决于分子的平均自由程。
设有N0个蒸发分子,飞行距离l后,未受到残余气体分子碰撞的数目N为:
如果真空度足够高,平均自由程足够大,满足条件,则被碰撞的分子比率:
对于25℃的空气,
,则
由此可以看出,为保证镀膜质量,在要求
时,若蒸发源与基片距离l=25cm,真空压强P必须小于
。
五、电子束蒸发和激光蒸发
1、电子束蒸发
将蒸发材料放入水冷坩埚中,直接利用电子束加热,使蒸发材料汽化蒸发后凝结在基片表面成膜的方法,称为电子束蒸发法。
电子束加热原理是基于电子在电场作用下,获得动能轰击到处于阳极的蒸发材料上,使蒸发材料加热汽化,而实现蒸发镀膜。
电子束蒸发法克服了一般电阻蒸发法的许多缺点,特别适合制作高熔点薄膜和高纯度薄膜材料。
电子束蒸发的优点:
(1)电子束轰击热源的束流密度高,能获得远比电阻加热更大的能量密度,可以在一个不太小的面积上达到104-109W/cm2的功率密度,因此可以使高熔点材料蒸发(可达到3000°C以上),并且有较高的蒸发速率。
(2)由于采用水冷坩埚,可避免容器材料的蒸发及容器材料和蒸发材料之间的反应,这对提高镀膜的纯度极为重要。
(3)热量可直接加热到蒸发材料表面,热效率高。
电子束加热的缺点:
(1)电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二次电子会使蒸发原子和残余气体分子电离,这有时会影响薄膜质量。
但可以通过设计和选用不同结构的电子枪来加以解决。
(2)多数化合物在受到电子轰击时会部分发生分解,这将对薄膜的结构和性质产生影响。
(3)更主要的是,电子束蒸发结构较复杂,因而设备价格昂贵。
(4)当加速电压过高时产生的软X射线对人体有一定的伤害。
分类
根据电子束蒸发源的形式不同,可分为环型电子枪、直枪、e型枪和空心阴极电子枪等几种。
1、直枪是一种轴对称的直线加速电子枪,电子从阴极灯丝发射,聚焦成细束,经阳极加速后,轰击蒸发材料,使其熔化、蒸发。
2、环行枪是依靠环型阴极来发射电子束,经聚焦和偏转后打在蒸发材料上使材料蒸发。
其结构较简单,但是功率和效率都不高,多用于实验研究上面,生产上应用较少。
2、激光蒸发法
激光蒸发法采用激光光束作为热源照射在蒸发材料上,使材料蒸发后沉积在基片表面形成薄膜。
激光光源可以采用CO2连续光源,Ar激光、红宝石激光、钇铝石榴石激光等,并置于真空室之外,高能量的激光束透过窗口进入真空室中,经棱镜或凹面镜聚焦,照射到蒸发材料上。
聚焦后的激光束功率密度很高,可达到106W/cm2以上。
要使蒸发材料蒸发,必须吸收足够的激光能量,因此,蒸发材料对激光束的透射、反射和散射要尽可能小。
激光蒸发技术具有许多优点:
(1)激光是清洁的,可减少来自热源的污染;
(2)激光光束只对蒸发材料表面加热,可减少来自支撑材料的污染;
(3)通过激光光束聚焦可获得高功率密度,可高速沉积高熔点材料;
(4)由于光束发散性小,激光及其相关设备可以相距较远;
(5)通过采用外部反射镜导引激光光束,容易实现同时或顺序多源蒸发。
但是,激光蒸发器较昂贵,且并非对所有材料都显示其优越性。
另外,由于蒸发材料温度太高,蒸发粒子多易离化,从而会对膜结构和特性产生一定影响。
六、共蒸发、顺序蒸发、反应蒸发
1、反应蒸发
许多化合物在高温蒸发过程中会产生分解,例如直接蒸发Al2O3、TiO2等都会产生失氧,为此宜采用反应蒸发。
反应蒸发法就是将活性气体导入真空室,使活性气体的分子、原子和从蒸发源逸出的金属原子、低价化合物分子在基片表面沉积过程中发生反应,从而形成所需高价化合物薄膜的方法。
反应蒸发经常用来制作高熔点的化合物薄膜,特别是适合制作过渡金属与易解吸的O2、N2等反应气体所组成的化合物薄膜。
反应方程举例如下:
在反应蒸发中,蒸发原子或低价化合物分子与活性气体发生反应的地方有三种可能,即蒸发源表面、蒸发源到基片的空间和基片表面。
实际上,反应主要发生在基片表面,反应过程中,吸附着的反应气体分子或原子渗透到膜层表面并扩散到低势能的晶格处与入射到基片并被吸附的蒸发原子通过扩散、迁移发生化学反应形成氧化物或化合物薄膜。
反应蒸发法制备薄膜由于是利用在基片表面上析出的或吸附的活性气体分子或原子之间的反应。
因此,反应能在较低温度下完成。
为了加速反应,可采用蒸发金属和部分活性气体放电的方法使其电离。
这种方法称为活性反应蒸发法,其原理与活性反应离子镀相同。
反应蒸发制作的薄膜其组成和结构主要取决于反应材料的化学性质、反应气体的稳定性、形成化合物的自由能、化合物的分解温度以及反应气体对基片的入射频率、分子离开蒸发源的蒸发速率和基片温度等参数。
2、共蒸发
答:
共蒸发是采用两个及以上蒸发源同时蒸发以获得掺杂、合金或多元薄膜材料的蒸发方法
3、顺序蒸发
多源顺序蒸发:
把薄膜所需材料放在不同的坩埚中,但不是同时蒸发,而是按顺序蒸发,并根据薄膜组分控制相应的层厚,然后通过高温退火形成需要的多组分薄膜。
七、外延
外延(Epitaxis)是指在适当的衬底和合适的条件下,沿衬底材料晶向生长一层结晶结构完整的新单晶层薄膜的方法(薄膜的晶体结构和衬底的晶体结构保持严格的延伸关系),新生单晶层称为外延层。
外延用于生长元素、半导体化合物和合金薄结晶层。
这一方法可以较好地控制膜的纯度、完整性以及掺杂级别。
外延分类
按材料
同质外延:
外延层和衬底为同种材料,也称自外延。
如硅上外延硅。
异质外延:
外延层和衬底为不同种材料
异质外延要求晶格类型和晶格常数应尽可能与外延材料相近。
因为外延层的结晶生长与取向行为主要取决于外延材料与衬底材料的晶格结构和原子间距的匹配情况。
一般晶格失配达到7%时仍能保持单一的外延关系。
但当晶格结构不同或失配很大(10%以上)时,可能得不到外延单晶薄膜。
按工艺
气相外延(VPE)、液相外延(LPE)、固相外延(SPE)、分子束外延(MBE)。
分子束外延(MBE)是在超高真空条件下精确控制原材料各组分元素的分子束流强度,并使其在基片上进行外延生长的一种技术。
从本质上讲,分子束外延也属于真空蒸发方法,但与传统真空蒸发不同的是,分子束外延系统具有超高真空(10-8Pa以上),并配有原位监测和分析系统
其突出的特点是能生长极薄的单晶膜层,且能够精确控制膜厚、组分和掺杂。
适于制作微波、光电和多层结构器件,从而为集成光学和超大规模集成电路的发展提供了有效手段。
八、薄膜制备的化学方法热氧化方法
热生长SiO2薄膜——热生长法是在充气的条件下,通过加热基片而在其表面生成一层薄膜的方法。
大量的氧化物、氮化物、和碳化物薄膜可以通过这种方法获得。
热生长制备薄膜不是一种常用技术,但热生长金属和半导体氧化物的研究则较为广泛,特别是SiO2薄膜的氧化生长,它是平面工艺的基础。
热氧化法可分为以下几种:
干氧氧化:
在氧化过程中通入干燥的氧气,其反应为:
水汽氧化:
硅片与高温水汽接触发生反应生成SiO2薄膜。
其反应为:
湿氧化法:
使氧气通过装有95℃左右的去离子水的石英瓶,携带着水汽到硅片表面产生氧化反应。
氢氧合成氧化:
H2和O2合成产生水汽。
实际氧化方法为:
干-湿-干
各氧化方法的特点
九、有机金属化学气相沉积(MOCVD)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
化学气相沉积的特点
⏹可制备各种成分(金属、非金属化合物等)和结构(非晶、多晶、单晶、混晶等)的薄膜;
⏹成膜速度可以很快;
⏹镀膜的绕射性好,可在复杂形状的基片上沉积成膜;
⏹能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜;
⏹可以准确地控制薄膜的组分及掺杂水平,使组分具有理想化学配比;
⏹辐射损伤低。
化学气相沉积的主要缺点是:
反应温度太高,一般要1000℃左右,使许多基体材料都耐受不住CVD的高温;反应气体会与基片或设备发生化学反应,有毒危险;在化学气相沉积中所使用的设备可能较为复杂。
CVD的工艺装置结构主要由反应器,供气系统和加热系统组成;
反应器是CVD装置中最基本的部分;
选择CVD反应和反应器决定很多因素,主要有薄膜的性质、质量、成本、设备大小、操作方便、原料的纯度和来源方便及安全可靠等。
1、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
PECVD是利用辉光放电的物理作用来激活化学气相沉积反应。
一般CVD的沉积温度较高,多数都必须在900-1000℃甚至更高才能实现,高温会带来许多问题,包括基片变形,基片与膜材料相互扩散等。
所以它在应用上受到一定限制。
PECVD可以在比传统化学气相沉积低得多的温度下制备薄膜材料,因而得到了日益广泛的应用。
在辉光放电形成的等离子体内部,电子能量约为1-10eV,相当于温度104-105K。
宏观上看,这种等离子体的温度不高,但其内部却处于受激发的状态,其电子能量足以使气体分子键断裂,并导致具有化学活性的物质的产生,使本来需要在高温下才能进行的化学反应在较低的温度甚至常温下也能在基片上形成固体薄膜。
用于激发CVD的等离子体有:
◆射频等离子体、
◆直流等离子体、
◆脉冲等离子体
◆微波等离子体
◆电子回旋共振等离子体。
2、有机金属化学气相沉积(MOCVD)
MOCVD是一种利用有机金属化合物的热分解反应进行气相外延生长薄膜的CVD技术,该法目前主要用于化合物半导体气相生长方面。
其原理与利用硅烷(SiH4)热分解得到硅外延生长的技术相同。
通常可选用金属的烷基或芳基衍生物、烃基衍生物、乙酰丙酮基化合物等为源材料。
例如对GaAs、Ga1-xAlxAs、ZnO,作为Ga、Al、Zn、As的原料可分别选择(CH3)3Ga(三甲基镓TMG)、(CH3)3Al(三甲基铝TMA)、(C2H5)2Zn(二乙烷基锌DEZ)、AsH3等。
使用上述原料,在高温下使其发生热分解就可得到化合物半导体,如:
MOCVD是近年迅速发展起来的新型外延技术,成功地用于制备超晶格结构、超高速器件和量子阱激光器等。
MOCVD的独特优点:
MOCVD的最主要特点是沉积温度低。
例如ZnSe薄膜,采用普通CVD技术沉积温度在850℃左右,而MOCVD仅为350℃左右;
MOCVD由于不采用卤化物原料,因此在沉积过程中不存在刻蚀反应,可以制备极薄的突变膜层;
MOCVD的适用范围广,几乎可以生长所有化合物和合金半导体。
仅单一的生长温度范围,反应装置容易设计,较气相外延简单。
适合大批量生产。
可在蓝宝石、尖晶石基片上实现外延生长。
MOCVD的主要缺点是:
许多有机金属化合物蒸汽有毒、易燃,给有机金属化合物的制备、储存、运输和使用带来了困难,必须采取严格的防护措施。
由于反应温度低,有些金属有机化合物在气相中就发生反应,生成固态微粒再沉积到衬底表面,形成薄膜中的杂质颗粒,破坏了膜的完整性。
十、薄膜生长模式及生长过程
薄膜的生长一般分为凝结过程、核形成与生长过程、岛形成与生长过程。
凝结过程是薄膜形成的第一阶段。
凝结过程是气相原子、离子或分子入射到基片表面之后,从气相到吸附相,再到凝结相的一个相变过程。
气体分子在固体表面的凝结过程经历吸附、表面扩散和凝结三个阶段
二、表面扩散过程
入射到基片表面上的气相原子在表面上形成吸附原子后,它便失去了在表面法线上的动能,只具有与表面水平方向相平行方向的动能。
依靠这种动能,吸附原子在表面上作不同方向上的表面扩散运动。
在表面扩散过程中,吸附原子间相互碰撞后形成原子对之后才能产生凝结。
所以吸附原子的表面扩散运动是形成凝结的必要条件。
三、凝结过程
Langmuir和Frenkel提出了一个凝聚模型。
在这一模型中,吸附原子在所存在的时间里,在表面上移动形成原子对,而原子对则成为其他原子的凝聚中心。
我们研究的凝聚过程就是吸附原子在基片表面形成原子对及其以后的过程。
假设单位时间内在单位基片表面上沉积的原子数为J(个/cm2s),吸附原子在表面的平均停留时间为
,那么单位基片表面上的吸附原子数n1为:
四、薄膜的形成与生长有三种形式:
1、岛状模式
2、层状模式
3、层岛结合模式
1、岛状模式
当最小的稳定核在基片上形成就会出现岛状生长,它在三维尺度生长,最终形成多个岛。
当沉积物中的原子或分子彼此间的结合较之与基片的结合强很多时,就会出现这种生长模式。
在绝缘体、卤化物晶体、石墨、云母基片上沉积金属时,大多数显示出这一生长模式。
2、单层生长模式
最小的稳定核的扩展以压倒所有其他方式出现在二维空间,导致平面片层的形式。
在这一生长模式中,原子或分子间的结合要弱于原子或分子与基片的结合。
第一个完整的单层会被结合稍松弛一些的第二层所覆盖。
只要结合能的减少是连续的,直至接近体材料的结合能,单层生长模式就可自持。
这一生长模式的最重要的例子是半导体膜的单晶外延生长。
3、层岛模式
层岛模式是上述两种模式的中间复合。
在这种模式中,在形成一层或更多层以后,随后的层状生长变得不利,而岛开始形成。
薄膜的形成过程
在稳定核形成后,岛状模式薄膜的形成过程可分为四个阶段:
岛状阶段;联并阶段;沟道阶段;连续膜阶段。
1.岛状阶段
在透射电子显微镜观察过的薄膜形成过程照片中,能观测到最小核的尺寸约为20-30A左右。
在核进一步长大变成小岛的过程中,平行于基片表面方向的生长速度大于垂直方向的生长速度,这是因为核的长大主要是由于基片表面吸附原子的扩散迁移碰撞结合,而不是入射气相原子的碰撞结合决定的。
这些不断捕获吸附原子生长的核,逐渐由球冠形,圆形变成多面体小岛。
2.联并阶段
随着岛不断长大,岛间距离逐渐减小,最后相邻小岛可互相联结合并成为一个大岛,这就是岛的联并。
联并过程中岛的变化如图所示。
小岛联并长大后,基片表面上占据面积减少,表面能降低,基片表面上空出的地方可以再次成核。
岛的联并与固相烧结相类似。
3.沟道阶段
在岛联并之后,新岛进一步生长过程中,它的形状变为圆形的倾向减少。
只是在新岛进一步联并的地方才继续发生较大的变形。
当岛的分布达到临界状态时互相聚结形成一种网状结构,在这种结构中不规则地分布着宽度为50-200A的沟渠。
随着沉积的继续进行,在沟渠中会发生二次或三次成核,当核长大到与沟渠边缘接触时就联并到网状结构的薄膜上。
4.连续膜阶段
在沟渠和孔洞消除以后,再入射到基片表面的气相原子便直接吸附在薄膜上,通过联并作用而形成不同结构的薄膜。
有些薄膜在岛的联并阶段,小岛的取向就发生明显的变化。
对于外延薄膜的形成,其小岛的取向相当重要。
在形成多晶薄膜时,除了在外延膜中小岛联并时必须有相互一定的取向外,在结晶时还会出现一些再结晶现象,以至薄膜中的晶粒大于初始核之间的距离。
薄膜中晶粒尺寸的大小取决于核或岛联并时的再结晶过程。
十一、生长温度对蒸发膜的影响对溅射膜的影响
十二、结构测试、组分测试
1、XRD谱的分析(X射线衍射)
ZnO薄膜的XRD谱图,峰位代表了(002)晶向。
ZnO薄膜的XRD谱图,峰的强度体现沿该晶向的结晶程度。
Y——相对强度,结晶程度及结晶质量。
X——衍射角
XRD特点:
1、用于晶体结构分析,不需要真空,操作简便;
2、对人体有辐射;
3、信息深度大,不适合薄的膜层和表面分析。
2、X射线光电子能谱法(XPS)
X射线光电子能谱法是用特征X射线作入射束,在与样品表面原子相互作用后,将原子内壳层电子激发电离。
这个被入射特征X射线激发电离的电子称为光电子。
测量光电子的动能来鉴定样品所含元素及其化合状态,因此这种方法被称为X射线光电子能谱法。
XPS的基本原理是光电效应:
XPS的特点:
1、对样品没有破坏作用;
2、能鉴定元素和它所处的化学状态;
3、分析深度较浅,大约在表面以下20-100A;
4、可分析分子中原子周围的电子密度;
5、分析元素范围较广,从He到U。
3、TEM特点
以电子束作光源,电磁场作透镜。
电子束波长与加速电压(通常50~120KV)的平方根成反比。
由电子照明系统、电磁透镜成像系统、真空系统、记录系统、电源系统等5部分构成。
分辨力0.2nm,放大倍数可达百万倍。
TEM分析技术是以波长极短的电子束作照明源,用电磁透镜聚焦成像的一种高分辨率(1nm)、高放大倍数的电子光学分析技术;
用电镜(包括TEM)进行样品分析时,通常有两个目的:
一个是获得高倍放大倍数的电子图像,另一个是得到电子衍射花样;
TEM常用于研究纳米材料的结晶情况,观察纳米粒子的形貌、分散情况及测量和评估纳米粒子的粒径。
是常用的纳米复合材料微观结构的表征技术之一。
TEM特点与应用
同时具备两大功能:
组织形貌分析和物相分析。
能够以原子尺度的分辨能力,同时提供物理分析和化学分析所需全部功能的仪器。
特别是选区电子衍射技术的应用,使得微区形貌与微区晶体结构分析结合起来,再配以能谱或波谱进行微区成份分析,得到全面的信息。
十三、导电薄膜
导电薄膜在半导体集成电路和混合电路中应用十分广泛,它可用作:
●薄膜电阻器的接触端;
●薄膜电容器的上下电极;
●薄膜电感器的导电带和引出端头;
●薄膜微带线;
●元器件之间的互连线;
●形成肖特基结和构成阻挡层等。
导电薄膜的要求
不同的应用场合,对导电薄膜的要求不同,在集成电路中对导电薄膜有以下要求:
导电性好,即要求电导率高或具有低的方阻。
在薄膜混合集成电路中,一般要
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