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bjt晶体管试题
篇一:
模拟电子技术题库答案
模拟电子技术
试题汇编
成都理工大学工程技术学院
电子技术基础教研室
201X-9
第一章半导体器件
一、填空题
1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是电子,少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中,电子浓度大于空穴浓度,而在P型半导体中,电子浓度小于空穴浓度。
3、PN结反向偏置时,空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类:
一类称为_结型场效应管___________,另一类称为__绝缘栅场效应管_______。
6、PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性____,在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种,它们的符号分别为_______和________。
9、PN结中进行着两种载流子的运动:
多数载流子的扩散运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V,锗二极管的死区电压约为__0.1____V。
11、晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的_________倍,在选用晶体管的时候,一般希望ICBO尽量_________。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_
13、PN结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN结,分别是___集电结____和_发射结______。
gm______。
15、为了保证三极管工作在放大区,应使发射结_____正向________偏置,集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件,而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子,则多数载流子应是空穴,少数载流子应是电子。
18、P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子。
19、PN结外加正向电压,即电源的正极接P区,电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极,分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是:
(1)发射结外加_正____________向电压;
(2)集电结外加___反________向电压。
22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。
23、PN结正向偏置时,空间电荷区将变___窄________。
24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极,二极管的符号是
________。
25、当温度升高时,三极管的输入特性曲线会__左___移,输出特性曲线会上________移,而且输出特性曲线之间的间隔将___________。
26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。
27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。
28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____;两种载流子是__空穴_______和__电子_______;两种杂质半导体是_P型________和___N型________。
29、二极管外加向电压导通,外加向电压截止。
30、当温度升高时,三极管的参数β会变大________,ICBO会增加________,导通电压会。
31、双极型三极管有两种载流子导电,即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电,而单极型三极管只有一种载流子导电,即__多数载流子___________导电。
32、N型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是___空穴_____。
33、某晶体管的极限参数PCM?
150mW,ICM?
100mA,U(BR)CEO?
30V。
若它的工作电压UCE?
10V,则工作电流不得超过____mA;若工作电压UCE?
1V,则工作电流不得超过____100___mA;若工作电流IC?
1mA,则工作电压不得超过___30____V。
34、放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为VA=-9V,VB=-6.2V,VC=-6V,则该三极管是______PNP_______型三极管,A为_______集电______极,B为_____基________极,C为______发射_______极。
35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是__?
___。
36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。
37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。
38、场效应管的热稳定好,晶体管的放大能力强。
39、双极型三极管内部有三个掺杂区域,分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。
二、选择题
1、从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于(B)时处于正偏导通状态。
A.0B.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降
2、杂质半导体中(A)的浓度对温度敏感。
A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴
3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置,它的工作状态是(B),若集电结和发射结都反向偏置,它的工作状态是(A),若集电结和发射结均正向偏置,则它的工作状态是(C)。
A.截止B.放大C.饱和D.损毁
4、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为(B)。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者也正偏
5、双极型晶体管工作时有(A)和(B)两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于(A)的流动。
A.多子B.少子C.自由电子D.空穴
6、当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为UC(A)UB(A)UE。
A.>B. 7、对二极管正向电阻rZ和反向电阻rF的要求是(C) A.rZ、rF都大B.rZ、rF都小 C.rZ很小,rF很大D.rZ大,rF小 8、稳压二极管动态电阻rZ(B),稳压性能愈好。 A.愈大B.愈小C.为任意值 9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于(C)状态。 A.放大B.截止C.饱和D.无法确定 10.结型场效应管放大电路的偏置方式是(A、D) A.自给偏压电路B.外加偏压电路 C.无须偏置电路D.栅极分压与源极自偏结合 11、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(A),而少数载流子的浓度与(B)有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体管缺陷 12、场效应管属于(B)控制型器件,而晶体管若用简化h参数来分析,则可认为是(C)控制型器件。 A.电荷B.电压C.电流 篇二: 模拟电子复习题 201X----201X学年第一学期模拟电子技术复习题 一.填空 1.半导体的导电性能有三大特点______、______和______。 2.PN结具有______性,______偏置时导通,______偏置时截止。 3.利用二极管的反向特性,做成了稳压二极管,所以,稳压二极管在使用时 一定要反向连结。 4.若BJT发射结正向偏置,集电结反向偏置,则BJT处于______状态。 5.晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数,当温度升高时,β和ICBO______,而UBE______。 6.根据反馈网路与放大电路不同的连接方式,可得到四种类型的反馈组态即为______ 负反馈,______负反馈,______负反馈,______负反馈。 7.双极型晶体管(BJT)工作时有______种载流子参与导电,而场效应管(FET)只有______ 种载流子参与导电。 8.放大电路的级间耦合方式通常有______,______和______。 9.半导体中有两种载流子,一种是,另一种是。 10.在放大区,对NPN型的三极管有电位关系,UCUBUE。 11.场效应管是利用外加电压产生的______来控制漏极电流的大小的,因此,称它为 ______控制电流的器件。 12.共射极放大器的静态工作点Q选的太低,会使输出电压uO出现______失真; 放大器的静态工作点Q选的太高,会使输出电压uO出现______失真。 13.共发射极放大器是电压______相放大器;而共集和共基放大器是电压______相放大器。 它们都有______放大作用。 14.理想运放有两个工作区,一个叫______工作区,另一个叫非线性工作区。 后者要么是开 环或者正反馈,而前者的工作区肯定有______反馈。 15.直流负反馈是稳定放大电路的______工作点;交流负反馈是改善放大电路的______指标。 16.OTL互补对称功放是指无输出______的电路。 17.在放大电路中为了提高输入电阻应引入负反馈,为稳定输出电压应引入 负反馈。 。 18.直流稳压电源一般由电源变压器、______、______、和稳压四部分电路组成。 二.单项选择题 1.电压放大器的空载是指()A.RC=0B.RL=0C.RL=∞ 2.P型半导体中多数载流子是()。 A.自由电子B.空穴C.负离子D.正离子 3.二极管组成的整流电路,是利用了它的()。 A.正向特性B.单向导电性C.反向击穿特性 4.三极管工作在放大状态时,其偏置应为()。 A.发射结零偏集电结反偏B.发射结正偏集电结反偏 C.发射结正偏集电结正偏D.发射结反偏集电结反偏 5.半导体三极管处在饱和状态时是()。 A.发射结反偏集电结反偏B.发射结正偏集电结反偏 C.发射结正偏集电结正偏D.发射结反偏集电结正偏 6.电流串联负反馈放大器使()。 A.输出电压稳定,输入电阻增大B.输出电流稳定,输入电阻减小 C.输出电压稳定,输入电阻减小D.输出电流稳定,输入电阻增大 7.理想集成运算放大器工作在线性区的两个重要特点是()。 A.U0=UiAu=1B.U-≈U+I-≈I+≈0 C.以上两个都不是 8.差分放大电路采用了两个特性完全相同的三极管来实现参数补偿, 其目的是为了()。 A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.抑制零点漂移D.前面几种都不是 9.由NPN管组成的共射放大电路,若测得VCEQ=VCC,VCC为电源电压,则可判断 该三极管处于() A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.击穿状态 10.对交流通路而言,放大电路中的电容应视为() A开路B短路C一个阻抗 11.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、12V,则该管为() A.PNP型锗管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管 12.在输入量不变的情况下,若引入反馈后,使(),则说明引入的
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