第五章硅和硅基薄膜的外延生长要点.docx
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第五章硅和硅基薄膜的外延生长要点
第五章硅和硅基薄膜的外延生长
5.1概述
外延生长(通常亦简称外延)是半导体材料和器件制造的重要工艺之一,它的应用和发展对于提高半导体材料的质量和器件的性能,对于新材料、新器件的开发,对于半导体科学的发展都具有重要意义。
所谓外延生长就是在一定条件下,在经过仔细制备的单晶衬底上,沿着原来的结晶方向生长出一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构、完整性等都符合要求的新单晶层的工艺过程。
所生长的单晶层称为外延层。
外延生长同从熔体中直接生长一样都是制备半导体材料单晶的方法,但相比之下外延生长有它一些特殊的优点:
(1)利用外延生长可以在一块低电阻率的衬底上生长出一层很薄的高电阻率的外延层,然后把器件制作在外延层上,解决了高频大功率晶体管要求高的击穿电压和低的饱和压降之间的矛盾。
(2)可进行选择性外延生长,为集成电路和某些特殊结构器件的研制提供了便利条件。
(3)外延技术可以控制外延层中的杂质分布。
(4)采用适当的外延技术可以生长异质、薄层、超薄层组分可变的外延层,为制造多层异质结构器件提供了条件。
(5)可在低于衬底熔点的温度下制备半导体薄膜。
外延生长分类的方法很多,从不同的角度有不同的分类方法,主要有以下四种分类方法:
(1)根据外延层在器件制作过程中的作用可分为正外延和反外延。
如果器件直接制作在外延层上,则这种外延技术称为正外延;如果器件制作在衬底上,而外延层只起支撑和隔离作用,则这种外延技术称为反外延。
(2)根据衬底和外延层材料是否相同又可分为同质外延和异质外延。
如果衬底和外延层属于同一种材料则称为同质外延,否则称为异质外延。
(3)根据在生长过程中向衬底输送原子的方法不同可分为气相处延、液相外延和固相外延。
(4)根据生长机理的不同可分为直接外延生长和间接外延生长。
不经过中间化学反应,原子从源直接转移到衬底上形成外延层的外延生长称为直接外延生长;生长外延层所需要的原子或分子是由含有该组分的化合物,通过还原、热分解、歧化等化学反应而得,则这种外延生长称为间接外延生长。
5.1.1硅外延技术发展历史
外延技术是在60年代初开始逐渐发展起来的。
外延技术的出现解决了半导体器件制造中的许多原来难以解决的问题,大大提高了器件的性能。
这种方法被应用于硅高频大功率晶体管的生产,解决了击穿电压与串联电阻之间的矛盾[l]。
利用外延层能较精确地控制其厚度和掺杂的特点,促使
正处于迅速发展的半导体集成电路技术进入比较完善的阶段。
此后在应用的推动下硅外延技术得
到了很大的发展。
为了提高器件的成品率和性能,降低成本,研制新器件,对硅外延提出了多种要求:
产量大,外延片尺寸尽量大,外延层厚度和电阻率分布均匀,自掺杂小,掺杂浓度的精确控制,衬底与外延层界面处杂质分布陡峭,外延层晶体完整性好等。
有的特殊要求包括生长亚微米厚的薄层外延,进行选择外延生长等。
为此外延工作者做了大量的研究工作,发展了外延生长技术。
如依据边界层理论开展了低压外延等一系列研究,改善了外延层厚度和电阻率的均匀性[2];采用SiCl4+SiH4混合源[3]和SiH2Cl2源等降低了外延生长温度;采用二步外延生长法[4,5]可有效地抑制自掺杂,提高界面处杂质过渡分布的陡度;通过HCl、Br2抛光,红外加热,完美硅外延技术等的应用,提高了外延层的晶体完整性;开展了吸杂技术的研究,进一步提高外延片的质量;最近,提出利用补偿效应有效地控制了外延生长过程中外延层边缘翘突,自掺杂和外扩散效应,使硅外延层的厚度一致性、掺杂的均匀性和材料完美性都有了明显的改善[6];为了达到降低外延生长温度、抑制自掺杂、生长薄层外延片等目的正在研究硅的分子束外延、等离子增强、光能增强和超高真空化学气相淀积等新的外延生长技术。
5.1.2外延技术在器件工艺中的应用
随着外延技术的发展,外延已成为器件制作中的重要工艺之一。
在制作分立器件和功率器件时采用外延层结构可得到更好的器件性能。
例如外延三极管是在制作过程中增加了一步在低阻衬底上外延一层导电类型相同而电阻率较高的单晶,采用这样的结构,当从集电极的引线接触点到集电结之间是低阻通道时,集电结区仍能保持所需的高击穿电压。
自从在外延层上制成三极管以后,硅的外延生长就成为硅器件工艺的重要部分。
外延生长是制作双极型集成电路的一步重要工艺,双极数字IC的制作均采用外延,相对来说,双极线性IC使用较少一些,但随着高精度电路的发展,双极线性IC中外延也使用得越来越多。
外延工艺一般为先在P型衬底上制作晶体管的区域预先埋入N+层,然后外延N层,最后经隔离扩散完成PN结隔离[7]。
MOS集成电路的晶体管一般采用自隔离措施,因此通常不用外延层,但在制作高性能、高密度DRAM时,则提倡采用外延层。
在无埋层的低阻衬底上外延一层高阻硅,然后按DRAM工艺制造,可以减少粒子造成的软失效[8];随着MOS器件尺寸的缩小,CMOS器件对于闩锁现象变得非常敏感,如果CMOS器件制作在外延层上,低阻导电衬底为促进电子一空穴对的复合提供了一个良好的对地通路,从而阻止了闩锁的发生[9];VMOS器件制作在(100)N/N+外延片上[10],可以提高MOS晶体管速度。
总的来说,在外延层上制作MOS电路,可以提高电路的性能、速度和成品率,并且提供了MOS/双极型电路相容的可能性。
据统计,大约50%~60%的硅基IC在制作过程中至少包括一次外延。
此外,外延还用于制作太阳能电池、功率器件、微波器件等[11]。
N/N+和P/P+的外延结构解决了许多分立器件和集成电路制造中所遇到的难题。
此外,外延增加了工艺设计和器件制造的灵活性。
外延过程中还可以方便地控制导电型号、电阻率、杂质分布以及厚度等参数,在许多场合提供了其他方法所不能提供的材料。
利用外延技术,不仅可以淀积硅单晶外延层,还可以用来淀积多晶硅、氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、磷硅玻璃(PSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)等薄膜。
多晶硅可作为栅电极、互连线、介质隔离、掺杂扩散源、表面钝化和多晶PN结等多种用途。
多晶硅的制备普遍采用硅烷热分解化学气相淀积方法[12]。
应用半绝缘多晶硅(SIPOS)钝化工艺已成功地制造出了高压NPN晶体管、高压PNP晶体管和MOS集成电路[13]。
Si3N4是一种较为理想的扩散掩膜和钝化膜,因此Si3N4薄膜在集成电路制造工艺中有很重要的用途。
Si3N4膜的制备方法有多种,其中CVD方法能稳定地获得高质量的膜,且产量大,成本低,
是目前生产上广泛采用的方法。
由于常压CVD方法有许多缺点,目前国内外普遍采用低压CVD的方法来淀积Si3N4膜。
SiO2膜是器件制作中最常用的钝化膜。
SiO2膜的制备方法有常压下低温CVD和高温CVD两种方法。
l976年以后,工业上大量采用低温CVD方法来制备SiO2膜[14],它是在氧气中使硅烷在衬底表面上进行热分解,并与O2反应生成SiO2。
现已得到广泛应用的磷硅玻璃和硼磷硅玻璃(BPSG)也可以采用CVD方法制作。
由此可见,外延技术在器件制作中有着广泛的应用,外延也越来越受到人们的重视,国际上外延片的销售比重已达到抛光片的20%左右[15],并且仍在逐年上升。
5.2硅的气相外延生长
气相外延生长是最早应用于半导体领域的一种比较成熟的外延生长技术,它在半导体科学的
发展中起了很重要的作用,大大促进了半导体器件的质量与性能的提高。
但是,气相外延还没有达到完全成熟的地步,在某些方面仍然处于经验工艺状态,必须做更深一步的研究,才能进一步发展外延生长技术。
目前制备半导体单晶外延薄膜的最主要方法是化学气相淀积(ChemicalVaporDeposition,CVD)。
所谓化学气相淀积,就是利用气态物质在固体表面上进行化学反应,生成固态淀积物的过程。
气相外延通常是指在单晶衬底上由CVD法生长单晶层的过程。
与其他外延技术相比,CVD法工艺最简单,而机理最复杂。
由于使用该方法源材料可以预先用物理化学方法制成高纯度材料,并且设备比较简单,操作方便,易于实现大批量生产,因而在工业上得到了广泛应用。
用CVD法生长硅外延,对半导体工业已经起了很重要的作用。
CVD技术的普及超过其他外延生长技术,不仅归因于它的适应性,更重要的是由于它生长高质量单晶膜的能力。
该方法包括:
(1)外延层可以通过各种含硅气体和不同化学反应生长出来,每种反应发生在一定的温度范围
内,因而可以选择较宽的生长温度范围。
(2)对P型或N型掺杂,多种化合物均可使用,掺杂浓度在1014~1018cm-3范围内均可获得。
(3)生长速率能在每分钟百分之一微米到几个微米的范围内变化,因而外延厚度范围很宽,能
满足绝大多数器件需要。
(4)很容易做到原位腐蚀和反向生长。
(5)通过向氯硅烷内添加HCl或利用SiI2的歧化作用,可获得近平衡生长,适合于选择外延生长。
(6)在不增加厚度和掺杂非均匀性的情况下,硅片尺寸可以按比例增大。
当前,随着大规模集成电路、超大规模集成电路和微波器件的发展,越来越需要生长厚度更薄,电阻率分布更均匀,外延层/衬底界面杂质浓度分布更陡峭的外延层。
工业上使用的常规硅外延工艺有两个高温过程:
(1)衬底淀积前的原位清洁过程通常在1150~1200℃的温度下H2或HCl/H2中;
(2)生长时根据使用硅源的不同,采用1100℃左右的高温。
这两个高温过程将会引起以下几个问题:
(1)限制了外延所能达到的最小厚度。
厚度不能减薄又限制了集成电路通过按比例地缩小器件纵、横尺寸来提高集成度。
(2)在重掺衬底上或带重掺埋层衬底上的外延层电阻率提高受到限制。
由于温度高,杂质的固
相扩散和自掺杂难以控制,外延层/衬底界面处杂质过渡分布缓变。
(3)图形漂移和畸变比较严重。
特别是当尺寸进一步缩小时,图形间距离也进一步变小,这些现象表现得更为严重。
因此,如何在低温下进行外延生长成了人们所关注的问题。
对硅外延来说,低温是指外延温度低于850℃。
按常规工艺,一般低于930℃时,外延层就已经是多晶了,欲进行低温外延必须使用新工艺。
目前,人们做了很多工作来探索新的工艺方法,如分子束外延(MBE)、光能增强化学气相淀积(光CVD)、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)、超高真空化学气相淀积(UHVCVD)等。
在诸多新工艺中,UHVCVD是比较吸引人的一种。
UHVCVD是在超高本底真空下引入SiH4热分解淀积外延层。
由于本底真空度的提高,使得反应温度大大降低,同时也改善了外延层电学特性。
UHVCVD和现有外延常规工艺相兼容,因而它一诞生就显示了强大的生命力。
国际上现有很多研究小组在从事该项研究。
UHVCVD系统结构不太复杂,如能进一步降低设备成本和提高产量,是完全有可能在工业上得到应用的。
5.2.1气相外延的生长机理
1.气相外延生长的淀积反应
化学气相淀积工艺是用加热、等离子体、紫外线等能源促使气态物质进行化学反应并形成稳定的固态薄膜。
气相外延生长要求形成的薄膜是衬底连续、平滑的延伸,并且与衬底的晶体结构有对应的取向关系。
在各种气相外延生氏中,人们对硅的外延生长了解最充分。
原因之一是硅材料在半导体工业中应用最广泛,二是硅外延所采用的体系相对来说较简单。
这里仅对硅外延进行介绍。
硅外延的化学气相淀积可以分为三个基本类型的反应:
歧化反应、还原反应和高温分解反应,每种方法都有自己的优点和缺点。
歧化反应包含了二价卤化物的分解,SiX2分解为固态和气态形式的四价卤化物:
低温时,反应向右进行;高温时,反应向左进行。
大多数的闭管反应是利用歧化反应。
将单晶硅衬底放在歧化反应区域,淀积固态硅就可以获得单晶外延膜。
歧化反应法进行外延生长一般在密闭的多温区炉内进行(至少要有两个温区)。
对于大多数歧化反应,源区只有在高温下才能生成可进行歧化反应的反应物,源区的反应器壁也要处于高温下,以避免在反应器上进行淀积。
歧化法进行外延生长存在着一些根本性的缺点。
为了在源区生成足够的进行歧化反应的反应物,要求气体流速要低,暴露给输运气体的源的表面积要大。
尽管如此,采用此方法反应的效率比较差,源的利用率比较低。
由于需要高温的源区和反应壁,增加了来自系统的沾污的可能性。
该反应还需要使用一个密闭系统。
因此这项技术没有被广泛应用于硅外延的工业生产中。
(2)还原反应生长
还原反应法是用还原剂还原含有欲淀积物质的化合物(大多数是卤化物),对于硅的外延卤化物一般采用SiHCl3或SiHCl4,用H2做还原剂和载气。
这类还原反应属于典型的可逆反应。
SiCl4的氢还原反应是外延生长硅外延层的主要反应。
整个反应可表示为:
中间包含有生成其他氯硅烷的副反应。
SiHCl3也可以用于硅外延生长,不管是用于多晶硅生产还是外延生长,其化学反应是相同的。
简化的反应式常常表示为:
实际上反应的最后产物是硅和大量的四氯化硅以及氯化氢气体。
较准确的反应表达式为:
SiCl4和SiHCl3常温下都是液体,正常情况下需用载气(一般为H2)将其输运到反应器中。
SiH2Cl2由于成本高未被普遍使用。
SiH2Cl2与SiHCl。
和SiCl4相比,其还原反应可以发生在较低温度下。
反应时H2作为携带气体掺入SiH2Cl2中,但实际反应并不包括H2:
由于还原反应本身的特点,采用还原反应进行外延生长时一般使用简单的冷壁的单温区反应
器即可。
这点使得在反应器形状的设计、加热系统的选择及供气系统的构成、安装等方面也有很大的灵活性。
因为气体是以稳定气体的形态被带入反应器,其分压都是单独控制的,所以可以提高载气的流速,为利用大容量系统进行外延生长提供了条件。
这种系统能在整个淀积区内实现比较均匀的外延生长。
此外,这类反应都是可逆反应,可以通过改变生长温度、反应物的分压或加入反应物(如在硅外延生长时加入HCl)来控制反应平衡的移动。
还可以利用反应的可逆性在外延生长之前对衬底讲行原位气相腐蚀。
(3)热解反应
1963年,Joyce和Bradley[13]首先使用硅烷高温热分解法进行外延生长,反应产物为固体硅和
氢气:
该反应不可逆,对于多晶硅的淀积,反应发生温度可低达600℃,对于硅外延生长,反应发生温度可低达850℃。
当需要低温工艺时,硅烷可作为理想的硅源来使用。
利用热解反应进行外延生长,有可能代替某些利用歧化反应或还原反应的外延生长,成为今后应用最为广泛的生长工艺。
热解反应的主要优点是能够在比还原和歧化反应更低的温度下实现外延生长,但是在低温下进行外延生长也有可能导致外延层的质量不够理想。
此外,这些反应是非可逆的,而且不存在卤化物气相腐蚀剂,因此对衬底的浸蚀不严重,这对异质外延生长尤为有利。
当前热解法存在的主要问题是气态反应物的纯度、成本和安全使用。
2.气相外延生长的热力学分析
关于CVD体系的热力学计算分析工作对于气相外延生长反应的选择,反应器的设计和最佳工艺条件的确定等方面都具有一定的指导意义。
(1)气相外延生长反应的选择
对于使用CVD方法进行的外延生长可利用热化学数据来判断采用何种反应。
设反应为一可逆反应:
反应的平衡常数为:
式中,PA、PB、PC分别为A、B、C分压,aD为D的活度,aD=1。
利用KP可判断反应进行的方向。
如果lgKP为很大的负值,则反应向左进行,适合源区的要求;相反,若lgKP为很大的正值,则该反应向右进行,有利于淀积的进行。
对简单反应
其平衡常数和转化率直接相关。
例如,若转化率为99.9%,则有
总的来说,如果源区lgKp≤3±4,淀积区lgKP≥一3±4时,可以认为该反应的转化率是比较高的。
在实际外延生长中,对外延反应的选择是很复杂的。
除了考虑上述化学热力学因素外,还应对生长动力学、晶体完整性、合成化合物、两平行反应间的差异、反应物与衬底作用、腐蚀性和安全性等多种因素作全面的综合考虑,才能作出合适的选择。
(2)外延生长反应器的温度的选择
外延生长反应器的温度的选择与反应的热效应有关,已知范特霍夫(Vanthoff)方程为:
对歧化反应,△H<0,是放热反应,反应的平衡常数随着温度的升高而降低。
欲增加Si的淀积量,应降低反应温度,同时采用热壁反应器,以抑制Si在反应器上的淀积。
对还原反应和高温热分解反应,△H>0,是吸热反应,提高温度有利于Si的生长,同时采用冷壁反应器,防止Si在反应器壁上的淀积。
(3)反应体系的热力学计算
对还原反应,除了主反应之外,还有许多副反应。
近年来,采用原位测量技术分析了Si一Cl一H体系,可知其中主要有H2、HCl、SiH3Cl、SiH2C12、SiHCl3、SiCl4、SiCl2等8种物质。
采用质量作用定律方程组对化学平衡进行了计算,这种方法根据有关的化学方程组,应用质量作用定律写出各组分摩尔分数与反应平衡常数的关系。
平衡常数可以由已知的热力学数据求出,然后加上物质守恒这一约束条件,便可得到相应的线性一非线性方程组并对其求解。
图5.1为Si—Cl—HCVD体系的热力学计算结果,Si—Cl—H体系总压为latm,组分Cl/H分别为0.01、0.1、1.0[18]。
由图5.1(a)、(b)可知,温度T<1200K时,PSiCl4基本不变,表明由SiCl4生成Si的反应进行的很少。
T>1200K以后,PSiCl4迅速下降,表明反应变得明显,与此同时其他副产物PHCl、PSiCl2的量上升,硅的淀积量也增加。
图5.1(a)C1/H=0.01相当于外延生长时的组分,图5.1(b)C1/H=0.1相当于多晶淀积时的组分。
图5.1(c)为Cl/H=1.0的情形,温度达到900K以上时,PHCl、PSiCl2的量已急剧增加,而PSiCl2却变化不大,表明硅衬底受到HCl腐蚀,并且随着Cl/H的增大,温度的升高,硅衬底表面受腐蚀的速率也增大。
3.对于气相外延生长的动力学分析
气相外延生长系统的动力学模型与反应体系和反应室的结构紧密相关。
因为一般不常使用闭管外延生长系统,在这里只对开管系统进行分析。
开管系统中反应气体一方面在衬底上方作定向运动,另一方面又因为反应器内存在着温度梯度而产生自然对流,导致气体运动状态十分复杂。
为了解决开管系统外延生长的动力学问题,可以应用边界层理论对于反应器中的气体流动进行近似处理,并将得到的近似结果与化学动力:
学原理相结合,可以解决开管系统中各处的气流速度、质量分布的问题,并可以从这些结果出发将工艺参数最优化,以及为反应器的设计提供依据。
CVD工艺的机制包含两个主要步骤:
(1)气体由空间到衬底表面的质量输运;
(2)包含吸附和脱附作用的表面反应、表面扩散并结合到晶格中。
边界层模型可用于描述气体的质量输运过程。
如图3.38描绘了水平外延反应器里衬底上边界层的形成。
如3.5节中所述,在衬底表面气体的流速为零,衬底上方的气流速度很快增加到与容器内气体、相同的速度。
气流速度由零增加到容器内气流值时的边界距离叫做边界层的厚度。
边界层的厚度由反应器中混合气体的流体动力等规律所确定。
在开管反应系统中气体靠强迫对流流动。
该流动可以用雷诺数来表征,雷诺数定义为:
其中:
ρ和v分别是混合气体的密度和流速,L是水平反应器的长度,μ是流体的粘滞系数。
边界层的厚度δ与雷诺数Re有关,由下式表示:
由以上两式可见,气流速度v越大,则雷诺值Re越大,边界层厚度δ越小。
也就是说大的雷诺数就意味着较小的粘滞效应。
我们还可以引入CVD数的概念,即:
其中:
Pb是硅源气体在气流中的分压,PS是在表面处的分压,Peq是平衡分压,δ是边界层厚度,D是扩散系数,Kd是质量输运系数。
NCVD是一个无量纲的数,可用于描绘淀积过程,当NCVD大大超过1时,由于D/δ比较小,淀积
速率由通过边界层的扩散作用所控制,该过程称之为扩散控制工艺。
当NCVD大大小于l时,由于Kd比较小,淀积速率被表面反应控制,该过程称之为表面反应控制工艺。
当NCVD近似l时,该工艺介于两种速率控制机制之间。
K.E.Spear[7]于1979年归纳出了以温度、压强和流速表示的速率方程:
其中:
F是流速,m是经验系数,P是总压强。
该方程仅适用于扩散控制工艺。
在这种情况下,m=3/2。
对SiH4外延生长,表面吸附的分子是SiH2而不是SiH4,硅淀积的步骤顺序为:
(1)容器气体内的SiH4通过边界层扩散。
(2)在硅衬底表面,SiH4分解为SiH2和H2。
(3)表面吸附SiH2。
(4)SiH2扩散到硅表面扭折位置。
(5)伴随H2的脱附和硅结合到硅晶格位置。
在高温和低压的情况下,
(2)~(4)步发生得非常迅速,而
(1)则是速率控制步骤。
研究表明,低温下,硅的表面盖有大量氢原子,因此,含硅气体在表面的反应是速率控制步骤,生长速率G可表示为:
其中Ka为反应速率常数,P0为SiH4分压,KD是扩散速率常数。
4.气相外延生长的成核和生长
化学气相外延生长可分为成核和生长两个阶段。
首先由预生长材料的原子(或分子)形成原子团,然后这些原子团不断吸收新的原子加人而逐渐长大成晶核。
再进一步相互结合形成单晶薄层。
含硅气体产生硅的固态成核可在气相或固体表面发生。
前者称均匀成核,后者称非均匀成核。
外延生长不希望气相中就有硅形成,因为这样将妨碍衬底上硅单晶的生长。
幸而均匀成核与非均匀成核相比,需要较高的过饱和度,在正常情况下非均匀成核将首先发生。
对均匀成核,如果硅原子构成的胚团达到临界尺寸时,均匀成核就可能产生,这样的核叫做临界核。
临界核的半径r﹡是特定表面自由能γ和过饱和度P/Peq。
的函数:
其中,Ω、k、T分别是原子体积、玻耳兹曼常数和绝对温度。
均匀成核速率dN/dt与温度和临界核的形成自由能△F﹡成指数关系:
其中C为常数。
在属于非均匀成核的外延生长的情形,平台一台阶一扭折生长模型是普遍承认的用于描绘光滑外延表面生长的模型,外延层的长大过程以Kossel模型所描述的形式进行,如图3.25所示。
衬底表面存在台阶和扭折时,在平台上被吸附的原子或分子将迁移到表面台阶之上,继而沿着台阶扩散到扭折处,并结合到晶格中。
Si的{111}晶面是奇异面,外延生长需要通过二维成核。
稍微偏离奇异晶向便可形成单原子生长台阶,同时使得光滑平面生长成为可能。
通常都朝最邻近(110)面偏离(111)晶向3°~5°,以获得稳定的平面生长。
在非均匀成核中,需要考虑吸附原子的吸附自由能△Fad和表面扩散自由能△Fd。
成核速率可
以表示为:
其中,C是常数,σ是过饱和度。
晶核形成和生长的方式还与衬底的性质、温度、反应气体、浓度等参数有关。
在一定温度和一定的含硅气体的分压下,衬底上硅的非均匀成核速率从大到小依次为:
单晶硅>多晶硅>氮化硅>氧化铝>二氧化硅。
如果生长层中的吸附原子与衬底原子间的粘着力大于吸附原子间的内聚力,则发生层状生长,即成核后其他原子迁移到台阶和扭折处,通过台阶的侧向移动来进行层状生长。
此外,缺陷(如螺位错)、杂质也能起成核中心作用。
特别是杂质,能产生与正常晶格取向不同的核岛,有时甚至堵塞有利成核的位置而抑制成核,生成有缺陷或混杂的晶体。
若降低生长温度,则原子在晶体表面上的迁移率和距离也都变
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- 第五章 硅和硅基薄膜的外延生长要点 第五 薄膜 外延 生长 要点