常用半导体器件复习题.docx
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常用半导体器件复习题
第1章常用半导体器件
一、判断题(正确打“√”,错误打“×”,每题1分)
1.在N型半导体中,如果掺入足够量的三价元素,可将其改型成为P型半导体。
()
2.在N型半导体中,由于多数载流子是自由电子,所以N型半导体带负电。
()
3.本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。
()
4.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
()
5.使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏,且集电结也是正偏。
()
6.晶体三极管的β值,在任何电路中都是越大越好。
()
7.模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。
()
8.稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。
()
9.发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。
()
10.光电二极管外加合适的正向电压时,可以正常发光。
()
一、判断题答案:
(每题1分)
1.√;
2.×;
3.√;
4.√;
5.×;
6.×;
7.√;
8.×;
9.×;
10.×。
二、填空题(每题1分)
1.N型半导体中的多数载流子是电子,P型半导体中的多数载流子是。
2.由于浓度不同而产生的电荷运动称为。
3.晶体二极管的核心部件是一个 ,它具有单向导电性。
4.二极管的单向导电性表现为:
外加正向电压时 ,外加反向电压时截止。
5.三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结偏置。
6.场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是:
场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b,源极S对应晶体三极管 ,漏极D对应晶体三极管的集电极c。
7.PN结加正向电压时,空间电荷区将。
8.稳压二极管正常工作时,在稳压管两端加上一定的电压,并且在其电路中串联一支限流电阻,在一定电流范围内表现出稳压特性,且能保证其正常可靠地工作。
9.晶体三极管三个电极的电流IE、IB、IC的关系为:
。
10.发光二极管的发光颜色决定于所用的,目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。
二、填空题答案:
(每题1分)
1.空穴
2.扩散运动
3.PN结
4.导通
5.反向
6.发射机e
7.变薄
8.反向
9.IE=IB+IC
10.材料
三、单项选择题(将正确的答案题号及内容一起填入横线上,每题1分)
1.在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入三价元素可形成P型半导体。
A、五价B、四价C、三价D、二价
2.在本征半导体材料中,有目的的掺入杂质后,改变了。
A、多子的浓度B、少子的浓度C、半导体的体积D、PN结的导电性能
3.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A、增大B、不变C、减小D、为零
4.设二极管导通电压UD=0.7V,图示电路的输出电压值U0为。
A、0VB、2VC、1.3VD、-1.3V
5.晶体二极管具有。
A、单向导电性B、双向导电性C、对信号有放大作用D、负载特性
6.要使发光二极管正常发光,其两端需外加:
。
A、正向电压B、反向电压C、正、反向电压均可D、零偏置电压
7.稳压二极管一旦被反向硬击穿,将。
A、保持原导电性能不变B、绝对不能再使用
C、性能变坏,可以继续使用D、对原电路没有影响
8.工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A、83B、91C、100D、1000
9.极限参数是为了晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制,属于晶体管极限参数的为。
A、共射极电流放大倍数β值B、特征频率fT
C、最大集电极耗散功率PCMD、静态工作点的电压值
10.图示电路中VB=0V,二极管的管压降可以不计,当VA由0V跳到3V后,Y的电位应为。
A、3VB、0VC、12VD、没法确定
三、单项选择题答案:
(每题1分)
1.A、五价
2.A、多子的浓度
3.A、增大
4.A、0V
5.A、单向导电性
6.A、正向电压
7.B、绝对不能再使用
8.C、100
9.C、最大集电极耗散功率PCM
10.B、0V
四、简答题(每题5分)
1.怎样由本征半导体得到P型半导体?
2.怎样由本征半导体得到N型半导体?
3.硅三极管BE结的导通电压为多少伏?
4.锗三极管BE结的导通电压为多少伏?
5.二极管的主要参数有哪些?
6.为什么半导体器件的温度稳定性差?
是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素?
四、简答题答案:
(每题5分)
1.答:
在本征半导体中掺入三价元素(如硼)可得到P型半导体。
2.答:
在本征半导体中掺入五价元素(如磷)可得到N型半导体。
3.答:
硅三极管BE结的导通电压为0.5~0.7伏。
4.锗三极管BE结的导通电压为0.2~0.3伏。
5.答:
二极管的主要参数有:
①最大整流电流IF;②最高反向工作电压UR;③最大瞬时值反向电流IR;④最高工作频率fM。
6.答:
因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子,即载流子。
外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。
由于载流子数目很少,故导电性很差。
温度升高,热运动加剧,本证激发加剧,使少数载流子浓度增大,但掺杂浓度不变,相对增加较多的是少数载流子,使导电性增强,产生较大的噪声。
所以少子是影响温度稳定性的主要因素。
五、画图题(每题5分)
1.电路如图所示,设二极管正向导通时的电压可忽略不计,已知
=10sinωt(v),试画出
与
的波形(注意时间坐标的对应关系)。
2.电路如图所示,已知
=5sinωt(V),二极管导通电压UD=0.7V。
试画出
与
的波形,并标出幅值(注意时间坐标的对应关系)。
3.现测得某放大电路中两只三极管的两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子符号。
4.测得某放大电路中六只晶体管的各电极直流电位分别如图所示,这些管子均处于放大状态。
在圆圈中画出管子符号,并分别说明它们是硅管还是锗管。
五、画图题答案:
(每题5分)
1.解:
①根据
的表达式
=10sinωt(v),可画出输入信号波形如图中的
所示;
②
正半周期时二极管正向偏置而导通,又因二极管正向导通时的电压可忽略不计,所以
=
。
负半周期时二极管因反向偏置而截止,回路中无电流,所以输出电压
=0。
③画出
与
的对应波形如图所示。
2.解:
①若考虑二极管导通电压UD=0.7V,由电路可以看出,当-3.7V≤
≤+3.7V时,二极管D1和D2均截止,回路中无电流,所以
=
;
②
正半周期且高于3.7V时,二极管D1正向偏置而导通,D2因反偏而截止,所
=3V+0.7V=3.7V。
负半周期时且低于-3.7V时,二极管D2因正向偏置而导通,D1因反偏而截止,所以
=-(3V+0.7V)=-3.7V。
③画出
与
的对应波形如图所示。
3.解:
①根据基尔霍夫电流定律和晶体管三个电极的各电极电流关系,对于(a)图,第三个电极流出的电流I=10μA+1mA=1.1mA,且这个电极应为发射极Ie(符合Ie=Ib+IC),根据电流的流向,该管应为NPN型管;对于(b)图,第三个电极流出的电流I=5.1mA-100μA=5mA,且这个电极应为集电极IC(符合IC=IE-IB),根据电流的流向,该管应为PNP型管。
②分别画出两只管子的符号如图所示。
4.解:
①由于硅管BE结的导通电压为0.5~0.8V,锗管BE结的导通电压为0.1~0.3V;
②NPN管正常放大应为正电压,即VC>VB>VE,而PNP管应为负电压,即VC<VB<VE;
③根据晶体管的放大条件,综合上述特点,得出各晶体管三个电极分别为上、中、下管脚及管型和材料得出如下结论:
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
画出各管子的图形如下图所示:
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