2023年半导体制程设备核心零部件射频电源的国产验证与替代加速.pdf
- 文档编号:30838790
- 上传时间:2024-01-30
- 格式:PDF
- 页数:28
- 大小:1.65MB
2023年半导体制程设备核心零部件射频电源的国产验证与替代加速.pdf
《2023年半导体制程设备核心零部件射频电源的国产验证与替代加速.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《2023年半导体制程设备核心零部件射频电源的国产验证与替代加速.pdf(28页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
2023年半导体制程设备核心零部件射频电源的国产验证与替代加速2023年半导体制程设备核心零部件射频电源的国产验证与替代加速敬请参阅最后一页特别声明-5-证券研究报告机械行业机械行业11、射频电源:
半导体射频电源:
半导体制程制程设备核心设备核心零零部件部件1.11.1、射频电源:
功率放大器为核心模块,可产生高频交射频电源:
功率放大器为核心模块,可产生高频交流变化电磁波流变化电磁波射频属于每秒变化大于射频属于每秒变化大于1000010000次的高频交流变化电磁波。
次的高频交流变化电磁波。
射频电源属于可以产生固定频率正弦波、具有一定频率的高频交流电源,工作频率一般处于2MHz至60MHz之间。
它主要由射频信号源、射频功率放大器及阻抗匹配器射频信号源、射频功率放大器及阻抗匹配器组成,是等离子体配套电源,在低压或常压下产生等离子体。
利用等离子体不同的化学性能,广泛应用于半导体工艺设备、LED与太阳能光伏、科学实验中的等离子体发生、射频感应加热、医疗美容及常压等离子体消毒清洗等领域。
图图11:
射频电源在泛半导体设备行业广泛应用射频电源在泛半导体设备行业广泛应用资料来源:
国投创业微信公众号,光大证券研究所射频电源主要由射频电源主要由五五部分组成部分组成,分别为,分别为直流供电电源模块直流供电电源模块、震荡电路模块震荡电路模块、功率放功率放大模块大模块、射频功率检测模块射频功率检测模块、射频互锁控制模块。
射频互锁控制模块。
它们各自的功能如下:
(1)直流电源模块:
为电源内部控制线路板供电,电压包括24V、15V等;
(2)震荡电路模块:
晶体震荡部分,用以产生正弦波信号;(3)功率放大模块(PowerAmplifier):
由几个固态晶体管组成,主要目的在于将高频信号进行功率放大,从而使得输出功率达到输出要求;(4)射频功率检测模块:
主要为检测控制电路,通过高频测量电感检测入射功率、反射功率,同时把该信号提供给主控制板,实现自动PID控制;(5)射频互锁控制模块:
主要为开关信号模式,可提供安全互锁功能,比如射频输出线互锁、高压互锁、射频输出互锁、过温互锁等控制功能。
其中,射频功率放大器是射频电源内部实现信号驱动和功率放大的关键单元,被认为是射频电源的核心,也是制约射频电源发展的关键因素。
敬请参阅最后一页特别声明-6-证券研究报告机械行业机械行业图图22:
射频电源原理:
射频电源原理资料来源:
孙必武.射频电源放大器研究D.哈尔滨工业大学,光大证券研究所整理射频电源输出波形为高频正弦波,功率变化过程包括两步骤:
射频电源输出波形为高频正弦波,功率变化过程包括两步骤:
(1)将低频交流电(50Hz/60Hz)转换为直流电;
(2)再将直流电转换为高频交流电(频率大于2MHz)。
其中射频放大器在其中起到关键作用,它将射频小信号放大为射频大信号,其性能决定了电源系统整体性能。
根据国家无线电频率划分规定,2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz为工业制造、科学研究和医疗使用。
图图33:
射频电源功率转换过程:
射频电源功率转换过程资料来源:
孙必武.射频电源放大器研究D.哈尔滨工业大学,2017,光大证券研究所整理阻抗匹配器将射频信号源与负载阻抗匹配,得到最大功率输出。
阻抗匹配器将射频信号源与负载阻抗匹配,得到最大功率输出。
等离子体放电为动态过程,阻抗的变化复杂,等离子体工艺过程需保持等离子体均匀稳定。
在等离子体反应负载特性动态变化的情况下,实现高精度的自动阻抗匹配是保证等离子体均匀稳定的主要手段。
自动阻抗匹配器,能够及时跟踪等离子体负载复杂的阻抗变化,保证负载和源之间阻抗匹配,从而保证从射频源输出的功率均可被等离子体负载全部吸收。
射频整个波段,电子均可即时响应射频场变化,但不同射频波段具有不同意义。
射频整个波段,电子均可即时响应射频场变化,但不同射频波段具有不同意义。
低频端的射频放电,除重离子外,等离子体中的其他各种荷电粒子运动均可以跟上射频电磁场变化;高频端的射频放电,等离子体中只有电子可以响应射频电磁场变化,离子由于惯性大,只能响应时间平均的电场。
敬请参阅最后一页特别声明-7-证券研究报告机械行业机械行业表表11:
等离子体源的频率范围:
等离子体源的频率范围类型类型频率范围频率范围直流或低频f1MHz射频1MHzf500MHz,常用13.56MHz微波0.5GHzf5000小时转换效率低80%反射功率能承受较大反射功率对反射功率比较敏感体积体积较大,不利于小型化体积小,利于小型化热量热量产生多热量产生少资料来源:
马梅彦,射频电源研究综述,光大证券研究所整理根据制作材料不同,晶体管射频功率放大器可分为以Si为主要材料的第一代放大器、以GaAs、InP为主要材料的第二代放大器,和以GaN、SiC为主要材料的第三代放大器。
图图44:
晶体管射频功率放大器发展历程:
晶体管射频功率放大器发展历程资料来源:
马梅彦,射频电源研究综述,光大证券研究所整理1.21.2、射频电源:
等离子体化学性质存在差异,可用于多射频电源:
等离子体化学性质存在差异,可用于多种晶圆制造工艺种晶圆制造工艺射频电源是半导体中薄膜射频电源是半导体中薄膜沉积、沉积、刻蚀、离子注入、清洗等前道工艺刻蚀、离子注入、清洗等前道工艺机台的关键零机台的关键零部件之一部件之一。
射频电源是等离子体发生器配套电源,主要用于在低压或常压气氛中产生等离子体,其直接关系到腔体中的等离子体浓度、均匀度和稳定度。
等离子敬请参阅最后一页特别声明-8-证券研究报告机械行业机械行业体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质,是除去固、液、气外,物质存在的第四态。
等离子体是一种很好的等离子体是一种很好的导电体,利用经过巧妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。
导电体,利用经过巧妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。
简单而言,等离子体蚀刻和简单而言,等离子体蚀刻和PECVDPECVD之间的区别仅在于等离子体化学性质。
在之间的区别仅在于等离子体化学性质。
在蚀刻过程中,与基板的化学反应会产生挥发性分子并被抽走,而在PECVD中,等离子体自由基之间的反应会在它们接触的表面上留下固体副产物。
表表33:
电子特气电子特气可运用于可运用于光刻、刻蚀、成膜、清洗、掺杂、沉积等环节光刻、刻蚀、成膜、清洗、掺杂、沉积等环节应用行业应用行业环节环节气体类型气体类型集成电路成膜六氟化钨(WF6)、四氟化硅(SiF4)、乙炔(C2H2)、丙烯(C3H6)、氘气(D2)、乙烯(C2H4)、硅烷(SiH4)、氧氩混合气(Ar/O2)、氘代氨(ND3)等光刻氟氪氖(F2/Kr/Ne)、氪氖(Kr/Ne)等混合气刻蚀清洗三氟化氮(NF3)、六氟乙烷(C2F6)、八氟丙烷(C3F8)、八氟环丁烷(C4F8)、六氟丁二烯(C4F6)、氟化氢(HF)、氯化氢(HCl)、氧氦(O2/He)、氯气(Cl2)、氟气(F2)、溴化氢(HBr)、六氟化硫(SF6)等离子注入砷烷(AsH3)、磷烷(PH3)、四氟化锗(GeF4)、三氟化硼(BF3)等其他六氯乙硅烷(Si2Cl6)、六氯化钨(WCl6)、四氯化钛(TiCl4)、四氯化铪(HfCl4)、四乙氧基硅(Si(OC2H5)4)等资料来源:
中船特气招股说明书,光大证券研究所整理1.2.11.2.1、射频电源在射频电源在PECVDPECVD中的应用中的应用相比传统的CVD设备,PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜,不破坏已有薄膜和已形成的底层电路,实现更快的薄膜沉积速度,是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
该技术在低气压下,利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上产生辉光放电,并利用辉光放电使晶圆升温到预定温度。
然后通入适量的工艺气体,这些气体经一系列化学反应和等离子体反应,最终在晶圆表面形成固态薄膜。
在反应过程中,反反应气体从进气口进入炉腔,逐渐扩散至应气体从进气口进入炉腔,逐渐扩散至晶圆晶圆表面,在射频电源激发的电场作用下表面,在射频电源激发的电场作用下分解成电子、离子和活性基团等分解成电子、离子和活性基团等。
具体而言:
具体而言:
PECVD一般在真空腔中进行,腔内放置平行且间距若干英寸的托盘。
硅片置于托盘上,上电极施加RF功率。
当原气体流过气体主机和沉积中部时会产生等离子体,多余的气体通过下面电极的周围排出。
有时,反应气体从下部电极周边引入,从电极中部排出。
射频功率越大离子轰击能量射频功率越大离子轰击能量越大,有利于淀积膜质量的改善。
越大,有利于淀积膜质量的改善。
功率增加可增强气体中自由基浓度,提高沉积速率,当功率增加到一定程度,反应气体完全电离,自由基达到饱和,淀积速率则趋于稳定。
图图55:
PPECVDECVD内部结构内部结构资料来源:
拓荆科技招股说明书,光大证券研究所整理敬请参阅最后一页特别声明-9-证券研究报告机械行业机械行业1.2.21.2.2、射频电源在等离子体刻蚀中的应用射频电源在等离子体刻蚀中的应用在等离子体刻蚀设备中,刻蚀气体(通常为一种或几种卤族化合物分子如CF4,SF6,Cl2,HBr)通过气路系统通入反应腔室后,被射频电源产生的高频率电场被射频电源产生的高频率电场电离产生辉光放电,完成从气体分子到离子的转变电离产生辉光放电,完成从气体分子到离子的转变,形成等离子体,提高气体反应活性。
气相中F原子属于一种有效的硅刻蚀剂,气相F原子与固相表面的Si原子发生反应生成挥发性的刻蚀反应产物,而后被真空系统抽走完成刻蚀。
刻蚀主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀,目前主流刻蚀工艺是干法刻蚀,等离子体刻蚀是利用干法刻蚀的设备。
射频电源可改变电子密度,轰击离子流量密度,增强各向异性刻蚀。
射频电源可改变电子密度,轰击离子流量密度,增强各向异性刻蚀。
没有离子轰击时刻蚀各向同性,即刻蚀速率在各方向是相同的,意味着无法适用于高深可比刻蚀。
此外,在大部分刻蚀设备中,射频电源会和DC直流电源配合使用,以分别控制离子的密度和能量大小,轰击表面的离子流量密度增加,会增强各向异性刻蚀。
由于电场的加速效应,离子通常以物理和化学两种形式对晶圆进行刻蚀。
图图66:
aa为各向同性化学刻蚀,为各向同性化学刻蚀,bb为各向异性反应离子刻蚀为各向异性反应离子刻蚀资料来源:
(法)夏伯特,(英)布雷斯韦特著;王友年,徐军,宋远红译,北京科学出版社,2015.10,射频等离子体物理学,光大证券研究所等离子体刻蚀设备常用的射频系统配置组合为固定频率射频电源和可调的匹配等离子体刻蚀设备常用的射频系统配置组合为固定频率射频电源和可调的匹配器。
器。
在刻蚀工艺发生过程中,匹配器会自主调节内部的可调电容,使电源本身的输出阻抗和反应负载阻抗相互匹配,以达到射频电源的满功率输出。
在理想的匹配状态下,所有射频信号均能传到负载位置,并减少其能量的反射功率。
当负载阻抗和射频电源输出的阻抗没有处于匹配状态时,少部分输入信号会在负载端反射回射频源,射频电源的输出功率并没有被完全使用,降低了刻蚀反应发生的效率。
按照等离子体的生成方式,可以分为按照等离子体的生成方式,可以分为电电容性耦合等离子体(容性耦合等离子体(CCCPCP)和)和电电感性耦合感性耦合等离子体(等离子体(IICPCP)。
)。
由于等离子体产生的方式不同,刻蚀机的结构、性能和特点也存在较大差异。
CCP和ICP两类技术并非相互取代,而是相互补充的关系。
电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上,刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构;而电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。
敬请参阅最后一页特别声明-10-证券研究报告机械行业机械行业表表44:
CCCPCP与与IICPCP特点比较特点比较名称名称特点特点应用应用CCP等离子密度:
中等离子能量:
高可调节性:
较差介质刻蚀:
氧化硅、氮化硅等金属刻蚀:
铝、钨等形成线路ICP等离子密度:
高等离子能量:
低可调节性:
可单独调节密度和能量硅刻蚀:
单晶硅、多晶硅、硅化物等刻器件资料来源:
中科院半导体所公众号,光大证券研究所整理CCCPCP等离子体发生器等离子体发生器是由接地是由接地电极电极和引入的驱动电极作为耦合元件和引入的驱动电极作为耦合元件。
真空腔室的平行电极通常由功率为1kw,频率为13.56MHz的射频电源驱动,等离子体密度为10151016m-3。
需刻蚀的衬底置于射频驱动电极,接地电极离子轰击效应弱,加在驱动电极的射频功率大小决定轰击衬底离子流密度及离子能量,但存在缺乏对离子流量与离子能量独立控制的缺陷。
双频驱动放电系统引入,增加的射频波形是两个可独立控制射频分量的叠加,意味着可用于部分特定台阶的刻蚀。
ICPICP等离子体是射频电流等离子体是射频电流经由匹经由匹配电路传输给感应线圈配电路传输给感应线圈后产生后产生电磁场激发气体电磁场激发气体而产生的而产生的。
ICP放电系统通常使用两个射频功率源,第一个是sourceRF,射频功率源驱动线圈,一般外置且由介质窗口与等离子体隔离开。
射频电流流过线圈时会在线圈附近的等离子体中产生一个衰减距离为几厘米的扰动波,其扰动可在等离子体中感应出射频电流,将电磁场能量传递给电子,即驱动线圈的射频功率控制等离子体密度。
第二个是biasRF,射频功率源加在基板上,产生的直流偏压可将离子吸引至晶圆上,作为偏压电源可以独立控制等离子体密度和离子轰击基板的能量。
两个两个RFRF电源搭配可电源搭配可以实现更高的蚀刻速率、更大的工艺窗口,提以实现更高的蚀刻速率、更大的工艺窗口,提高良率水平高良率水平。
图图77:
刻蚀设备的两个:
刻蚀设备的两个RFRF电源结构图电源结构图资料来源:
AIPAdvances.2021;11
(2).doi:
10.1063/6.0000883,光大证券研究所敬请参阅最后一页特别声明-11-证券研究报告机械行业机械行业图图88:
CCPCCP与与IICPCP结构示意图结构示意图资料来源:
中微公司年报,光大证券研究所整理表表55:
CCPCCP与与ICPICP等离子体差异等离子体差异CCPCCPICPICP电场形成电极表面形成电场交流电通过腔体周围的线圈产生诱导磁场,磁场产生诱导电场特征电子在静电场中加速产生等离子体;高压、低电子温度;晶圆与等离子体中存在鞘层电子在诱导电场中加速产生等离子体;低压,高电子温度;Skindepth内生成Plasma应用下部电极和Plasma之间强电压,离子能量高,用于SiO2,Si3N4等化学键能高的刻蚀金属、掺杂硅刻蚀优点均一性好;易于调节离子化能量;可刻蚀硬介质材料;各方异向刻蚀电极与腔室分离,污染小;可在低压状态获得高等离子体密度;可以通过RF调节电子温度;可独立控制等离子体能量与密度缺点电极位于腔体内部,污染多;强力溅射容易造成衬底损伤;Plasma密度低Plasma均一性差;感应模式下无法在低等离子体密度下工作资料来源:
ValeryGodyak,WorkshoponRadioFrequencyDischarges,2011,中微公司公告,光大证券研究所整理1.2.31.2.3、离子注入机关键构件离子源的可选零部件离子注入机关键构件离子源的可选零部件离子注入是一种向硅衬底中引入可控制数量的杂质以改变其电学性能的工艺,最主要用途是掺杂半导体材料,可通过重复控制杂质浓度和深度,以满足每一次掺杂对杂质浓度和深度的特性要求。
离子注入机包括离子源、引出电极和离子分析器、加速管、扫描系统和工艺室。
其中离子源是用来产生离子的装置。
离子源的设计方法,离子源的设计方法,包括磁分析器离子源、射频离子源、冷阴极源和微波离子源。
因此射频电源是离子源可选用的零部件之因此射频电源是离子源可选用的零部件之一,一,RFRF源在磁场中激活气体分子,能够在较低的等离子温源在磁场中激活气体分子,能够在较低的等离子温度下产生更高的离子度下产生更高的离子束电流,并能延长离子源的寿命。
束电流,并能延长离子源的寿命。
离子注入工艺在离子注入机内进行,并处于高真空环境。
离子注入工艺在离子注入机内进行,并处于高真空环境。
注入机包含离子源部分,可从源材料中产生带正电荷的杂质离子。
离子被吸出后,质量分析仪将它们分开以形成需要掺杂离子的束流。
离子束在电场中加速至高速,使离子有足够的动能注入到硅片的晶格结构中。
束流扫描整个硅片,使硅片表面均匀掺杂。
注入之后的退火过程将激活晶格结构中的杂质离子。
敬请参阅最后一页特别声明-12-证券研究报告机械行业机械行业图图99:
离子注入机结构:
离子注入机结构资料来源:
MichaelQuirk,JulianSerda等,半导体制造技术,光大证券研究所整理1.2.41.2.4、射频电源在等离子清洗设备中的应用射频电源在等离子清洗设备中的应用低温等离子体为重要的表面改性技术,将电浆物理、电浆化学及气固相界面反应等综合,可以有效去除材料表面有机污染物与氧化层,该方法属于干法清洗,优点是环境友好、低磨损,但成本高,控制精度要求高,只在少量特定工艺环节中采用。
表表66:
湿法清洗与干法清洗:
湿法清洗与干法清洗类别类别清洗方法清洗方法清洗介质清洗介质工艺简介工艺简介应用特点应用特点湿法清洗溶液浸泡法化学药液主要用于槽式清洗设备,将待清洗晶圆放入溶液中浸泡,通过溶液与晶圆表面及杂质的化学反应达到去除污染物的目的。
应用广泛,针对不同的杂质可选用不同的化学药液;产能高,同时可进行多片晶圆浸泡工艺;成本低,分摊在每片晶圆上的化学品消耗少;容易造成晶圆之间的交叉污染机械刷洗法去离子水主要配置包括专用刷洗器,配合去离子水利用刷头与晶圆表面的摩擦力以达到去除颗粒的清洗方法。
成本低,工艺简单,对微米级的大颗粒去除效果好;清洗介质一般为水,应用受到局限;易对晶圆造成损伤。
一般用于机械抛光后大颗粒的去除和背面颗粒的去除。
二流体清洗SC-1溶液,去离子水等一种精细化的水气二流体雾化喷嘴,在喷嘴的两端分别通入液体介质和高纯氮气,使用高纯氮气为动力,辅助液体微雾化成极微细的液体粒子被喷射至晶圆表面,从而达到去除颗粒的效果。
效率高,广泛用于辅助颗粒去除的清洗步骤中;对精细晶圆图形结构有损伤的风险,且对小尺寸颗粒去除能力不足。
超声波清洗化学溶剂加超声辅助在20-40kHz超声波下清洗,内部产生空腔泡,泡消失时将表面杂质解吸。
能清除晶圆表面附着的大块污染和颗粒;易造成晶圆图形结构损伤。
兆声波清洗化学溶剂加兆声波辅助与超声波清洗类似,但用1-3MHz工艺频率的兆声波。
对小颗粒去除效果优越,在高深宽比结构清洗中优势明显,精确控制空穴气泡后,兆声波批式旋转喷淋法高压喷淋去离子水或清洗液清洗腔室配置转盘,可一次装载至少两个晶圆盒,在旋转过程中通过液体喷柱不断向圆片表面喷淋液体去除圆片表面杂质。
与传统的槽式清洗相比,化学药液的使用量更低;机台占地面积小;化学药液之间存在交叉污染风险,若单一晶圆产生碎片,整个清洗腔室内所有晶圆均有报废风险。
干法清洗等离子清洗氧气等离子体在强电场作用下,使氧气产生等离子体,迅速使光刻胶气化成为可挥发性气体状态物质并被抽走。
工艺简单、操作方便、坏境友好、表面干净无划伤;较难控制、造价较高。
气相清洗化学试剂的气相等效物利用液体工艺中对应物质的汽相等效物与圆片表面的沾污物质相互作用。
化学品消耗少,清洗效率高;但不能有效去除金属污染物;较难控制、造价较高。
敬请参阅最后一页特别声明-13-证券研究报告机械行业机械行业束流清洗高能束流状物质利用高能量的呈束流状的物质流与圆片表面的沾污杂质发生相互作用而达到清除圆片表面杂质。
技术较新,清洗液消耗少、避免二次污染;较难控制、造价较高。
资料来源:
盛美上海招股说明书,光大证券研究所整理真空腔负压与射真空腔负压与射频高压交变电场协同实现清洗。
频高压交变电场协同实现清洗。
射频等离子清洗设备工艺原理是利用真空腔体产生真空负压,在真空状态下,工艺气体压力越来越小,分子间间距越来越大,分子间力越来越小。
在510Pa气压范围内利用频率为13.56MHZ、1000W功率(功率范围)的射频电源产生的高压交变电场将O2、Ar2、H2或CF4等工艺气体的分子之间化学键打断,激荡成具有高活性或高能量的离子团,该等离子团动能高,可与有机污染物、微颗粒污染物或金属氧化层反应或碰撞形成易挥发性物质,然后通过真空泵产生的负压管道气体流将挥发性物质抽出,从而达到持续高精密清洁、活化器件表面的目的。
图图1010:
射频等离子清洗兼具物理清洗与化学清洗:
射频等离子清洗兼具物理清洗与化学清洗资料来源:
纳恩科技官方网站,光大证券研究所等离子体去胶机属于等离子清洗的一种,只是去胶的操作对象是光刻胶。
等离子体去胶机属于等离子清洗的一种,只是去胶的操作对象是光刻胶。
是通过氧原子与光刻胶在等离子体环境中发生反应,从而去除光刻胶。
原子氧通过微波原子氧通过微波或或RRFF能量分解氧分子而产生能量分解氧分子而产生,也常常加入N2或H2来提高去胶性能并加强对残留聚合物的去除。
氧原子可以很快与光刻胶反应生成挥发性的一氧化碳、二氧化碳和水等,并被真空系统抽走。
1.31.3、射频电源技术壁垒较高射频电源技术壁垒较高,3DIC3DIC对功率稳定一致要对功率稳定一致要求更高求更高目前我国传统的国产射频电源主要应用于工业低端设备,尚无法满足半导体及泛半导体产业的批量应用要求,主要技术难点在于电源波形、频率和功率等参数稳电源波形、频率和功率等参数稳定性定性的提升,以及在腔体中激发出的等离子体浓度、均匀度等离子体浓度、均匀度及相应的控制精度及相应的控制精度。
我国先进的等离子体设备使用的射频电源与国外同类电源仍然存在较明显的差距,主要体现在以下方面:
(1)目前我国的射频电源大多采用电子管或电子管、晶体管混合电路,体积较大,限制了射频电源的应用。
同时,使用的晶体管大多为国外进口。
(2)目前我国仍使用阻抗手动匹配器,易受环境因素影响,而国外已开始使用阻抗自动匹配器。
敬请参阅最后一页特别声明-14-证券研究报告机械行业机械行业(3)我国射频电源种类单一。
随着半导体制程微缩化发展,随着半导体制程微缩化发展,3DIC3DIC时代芯片制造工艺设备的电源系统面临复杂时代芯片制造工艺设备的电源系统面临复杂工艺过程中功率输送的一致性与准确性问题。
工艺过程中功率输送的一致性与准确性问题。
射频电源频率、精确性、功率调节能力的选择对于薄膜沉积厚度、密度、应力、速率至关重要。
多层堆叠的3DNAND深孔刻蚀需多频RF、同步RF脉冲以及互补的匹配能力,以更好控制等离子体功率以及电荷累积等表面效应。
此外,各工艺步骤间的功率水平、气体流量、压力变化不一,致使等离子体阻抗急剧变化,因此,过程动力系统必须克服此影响,功率传输与阻抗匹配的创新必须与工艺创新保持同步。
图图1111:
稳定的射频系统在刻蚀中的重要性:
稳定的射频系统在刻蚀中的重要性图图1212:
多个:
多个RFRF电源作用于一个电极电源作用于一个电极资料来源:
AE官网,光大证券研究所资料来源:
AE官网,光大证券研究所22、射频电源射频电源以美日德进口为主以美日德进口为主2.12.1、全球射频电源市场规模持续扩大全球射频电源市场规模持续扩大国内外射频电源市场需求旺盛,并预计未来数年内市场规模持续增长。
国内外射频电源市场需求旺盛,并预计未来数年内市场规模持续增长。
据恒州诚思YH数据,2022年全球射频电源市场销售额预计达26.43亿美元,同比增长20.04%,其预测2028年该规模将达到50.62亿美元,2022-2028
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 2023 半导体 设备 核心 零部件 射频 电源 国产 验证 替代 加速